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INGENIERIA EN NANOTECNOLOGIA

TPICOS DE NANOELECTRNICA

TOE-ES REV01

II

Directorio Lic. Emilio Chuayffet Chemor Secretario de Educacin Dr. Fernando Serrano Migalln Subsecretario de Educacin Superior Mtro. Hctor Arreola Soria Coordinador General de Universidades Tecnolgicas y Politcnicas

Dr. Gustavo Flores Fernndez Coordinador de Universidades Politcnicas.

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PGINA LEGAL

Participantes

Dr. Hber Vilchis Bravo - Universidad Politcnica del Valle de Mxico

Primera Edicin: 2013.

DR 2013 Coordinacin de Universidades Politcnicas.

Nmero de registro: -----------------------

Mxico, D.F.

ISBN: -----------------

IV

NDICE

INTRODUCCIN ............................................................................................................................................ 5

PROGRAMA DE ESTUDIOS .......................................................................................................................... 7

FICHA TCNICA ............................................................................................................................................. 8

DESARROLLO DE LA PRCTICA PROYECTO .......................................................................................... 9

GUA DE CUESTIONARIOS ....................................................................................................................... 14

INSTRUMENTOS DE EVALUACIN ............................................................................................................. 19

GLOSARIO ................................................................................................................................................ 221

BIBLIOGRAFA ............................................................................................................................................ 22

5

INTRODUCCIN

La nanotecnologa es un campo de las ciencias aplicadas que depende directamente de la

nanociencia para el estudio, sntesis de materiales y diseo de nanoestructuras. Con la

finalidad de realizar aplicaciones que resuelvan problemas en diversas reas que con la

tecnologa actual no tienen solucin.

El inicio de la nanotecnologa se dio en la dcada anterior, encontrndonos actualmente en

un crecimiento considerable de la misma. Lo que ha sido posible gracias a los importantes

avances tecnolgicos en microscopa que nos permiten ver y manipular materiales con

dimensiones nanomtricas.

La nanotecnologa tiene un fuerte impacto e importancia en diferentes ciencias en la que

ha sido necesaria e indispensable su incursin:

Qumica orgnica e inorgnica, para sensar potenciales qumicos, acelerar reacciones, etc.

Biologa celular y molecular, monitorear cambios a nivel celular molecular en diferentes entes biolgicos, etc.

Medicina, para la deteccin y tratamiento de enfermedades, etc. Ambiental, para detectar y mejorar la calidad del aire y el agua, etc. Informtica, con el fin de lograr mayor capacidad en la transmisin y almacenamiento

de datos para aplicaciones de audio y video, etc

Metalurga, mejorar la calidad de diversos materiales, productos y procesos de produccin, etc.

Obtenindose resultados novedosos, interesantes y tiles; que han ampliado el horizonte de

estudio plantendose nuevos objetivos ms ambiciosos.

Para interactuar con los diferentes parmetros fsicos y qumicos en la mayora de las

aplicaciones ya mencionadas es necesario adquirir y manipular seales de pequeas

magnitudes. Por lo que es indispensable implementar dispositivos nanomtricos que

puedan detectar ligeros cambios de campos elctricos y magnticos; que permitan

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detectar otras magnitudes fsicas y qumicas, tales como potenciales qumicos, cambios

metablicos, vibraciones, emisin o absorcin de luz etc. que puedan traducirse a seales

elctricas.

La rama de la nanotecnologa que se encarga del estudio, diseo, simulacin, fabricacin,

manipulacin y anlisis del funcionamiento de los dispositivos nanomtricos que manejan

seales elctricas sean de entrada salida es la nanoelectrnica. A diferencia de la

nanotecnologa que se define para materiales menores a 100 nm, la escala mxima de la

nanoelectrnica es de 20 nm. Qu se explica conociendo los tres principales temas de

inters:

Partculas con carga elctrica. Estudia los fenmenos que se presentan cuando interactan dos ms partculas que tienen carga dentro de un solo

material en una interfaz de dos materiales, las cuales son de escala

atmica. Por lo que se requieren dimensiones prximas a unas cuantas capas

atmicas para determinar dichos fenmenos.

Nanodispositivos. Busca desarrollar dispositivos que impliquen el uso de la menor cantidad de tomos posible con la finalidad de algn da crear

dispositivos de un solo tomo. Los dispositivos de mayor inters son los

nanotransistores, nanodiodos, nanoceldas solares y nanosensores.

NEMS. Sistemas nano-electromecnicos, disea e implementa sistemas para

el control y manipulacin de nanopartculas, conocidos como nanobots.

Finalmente es importante decir, que la nanoelectrnica es una tecnologa disruptiva, es

decir, rompe paradigmas establecidos y ser un referente para futuros desarrollos

tecnolgicos. Esto se debe por dos razones, la primera, porque involucra el comportamiento

de nuevas partculas que la fsica cuntica est descubriendo. Y la segunda, porque los

dispositivos que se desarrollan a esta escala son sustancialmente diferentes a los

dispositivos electrnicos tradicionales.

7

PROGRAMA DE ESTUDIOS PROGRAMA DE ESTUDIO

DATOS GENERALES

NOMBRE DEL PROGRAMA EDUCATIVO: INGENIERA EN NANOTECNOLOGA

OBJETIVO DEL PROGRAMA EDUCATIVO: OFRECER BAJO LAS NORMAS DE CALIDAD EDUCATIVA, LA FORMACIN DE PROFESIONALES MULTIDISCIPLINARIOS QUE PODRAN SOLUCIONAR LOS PROBLEMAS CIENTFICOS Y TECNOLGICOS QUE EXISTEN EN LAS INDUSTRIAS QUMICA, ELECTRNICA Y BIOMDICA, A TRAVS DE LA COMPRENSIN DE LAS DISTINTAS CIENCIAS BSICAS RELACIONADAS CON MATERIALES NANOESTRUCTURADOS, OPTOELECTRNICOS, NANOBIOTECNOLOGICOS, AS COMO EN EL DISEO Y FABRICACIN DE DISPOSITIVOS MICRO Y NANO ELECTROMECNICOS.

NOMBRE DE LA ASIGNATURA: TPICOS DE NANOELECTRNICA

CLAVE DE LA ASIGNATURA: TOE-ES

OBJETIVO DE LA ASIGNATURA: EL ALUMNO SER CAPAZ DE IDENTIFICAR LAS CARACTERSTICAS DE LOS DISPOSITIVOS MICROELECTRNICAS (MEMS) Y NANOELECTRONICOS (NEMS) PARA NUEVAS APLICACIONES TECNOLGICAS.

TOTAL HRS. DEL CUATRIMESTRE: 75 Hrs.

FECHA DE EMISIN: AGOSTO 2012

UNIVERSIDADES PARTICIPANTES: UNIVERSIDAD POLITCNICA DEL VALLE DE MXICO

CONTENIDOS PARA LA FORMACIN ESTRATEGIA DE APRENDIZAJE EVALUACIN

OBSERVACIN UNIDADES DE APRENDIZAJE RESULTADOS DE APRENDIZAJE EVIDENCIAS

TECNICAS SUGERIDAS ESPACIO EDUCATIVO MOVILIDAD FORMATIVA

MATERIALES REQUERIDOS EQUIPOS REQUERIDOS

TOTAL DE HORAS

PARA LA ENSEANZA (PROFESOR) PARA EL APRENDIZAJE (ALUMNO) AULA LABORATORIO OTRO PROYECTO PRCTICA

TERICA PRCTICA

TCNICA INSTRUMENTO

Presencial NO Presencial Presencial NO Presencial

1. Dispositivos electrnicos avanzados.

Al completar la unidad, el alumno ser capas de: * Identificar los dispositivos CMOS, TFT, CCDs, LEDs, LCD y Lseres Semiconductores. * Identificar los dispositivos cuya funcin es controlada por un solo electrn (SET) o elaborados con una molcula * Identifica los dispositivos Electrnicos: Memorias, MOS, CCDs, RTD y SET Dispositivos de tecnologas emergentes: Electrnica molecular y Nanotubos

EP1: Reporte de Prctica.- Realiza mediciones electrnicas. EP2: Ejercicios Prcticos.- da solucin a ejercicios de dispositivos electrnicos avanzados.

Exposicin: proporcionar informacin al grupo sobre los dispositivos electrnicos avanzados. Discusin dirigida: propiciar el intercambio de ideas y opiniones entre alumnos y facilitador en forma ordenada acerca de los dispositivos electrnicos avanzados. Preguntas y analogas: que los alumnos generen sus propios puntos de vista sobre los dispositivos electrnicos avanzados.

Estudio de caso: Permite al alumno analizar e intercambiar ideas sobre sus estudios, que examinen diferentes soluciones ante un mismo caso, asi com fomentar la participacin y responsabilidad en su auto aprendizaje. Discusin dirigida: Esta tcnica propicia el intercambio de ideas y opiniones entre alumnos y facilitar en forma ordenada hacerca de los dispositivos electrnicos avanzados y estudios de casos. Taller y prctica mediante la accin: Esta tcnica permite realizar a los alumnos una serie de actividades relacionadas con el uso de instrumentos de medicin en el laboratoro de electrnica, en el cul los alumnos evalan los procedimeintos y resultados de la prctica.

x x Biblioteca N/A

Reconocimiento de equipo de laboratorio y

creacion de circuitos.

Pizarrn, rotafolio, diapositivas,

material impreso, manuales, material

de electrnica

Proyector, caon, equipo de computo,

equipo de laboratorio de

electrnica

10 0 5 4 Documental

Lista de Cotejo para reporte de

prctica. Lista de Cotejo para ejercicios

prcticos

2. Dispositivos fotnicos.

Al completar la unidad, el alumno ser capas de: *Definir el concepto de los dispositivos fotnicos: Emisores y detectores *Identificar los dispositivos optoelectrnicos (fotoconductores, clulas solares, fotodiodos, fototransistores, diodos emisores de luz y diodos lser) * Identificar la capacidad de un circuito integrados fotnicos.

EC1 Cuestionario: Resuelve cuestionario sobre elementos Emisores y detectores. EP1 Reporte de Prctica: Sobre el comportamiento de dispositivos optoelectrnicos. ED1 Exposicin: Realiza una presentacin sobre la aplicacin dispositivos fotnicos.

Conferencia: La relevancia del empleo de dispositivos fotnicos en la industria manufacturera. Diagramas, ilustraciones y esquemas: Emplea recursos visuales para familiarizarse con equipo de medidas y fotnicos.

Investigacin documental : Sobre el concepto de dispositivos fotnicos. Taller y prctica mediante la accin: sobre el funcionamiento de dispositivos fotnicos.

x x Biblioteca N/A

Aplicacin de dispositivos fotnicos

a nivel industrial.


material impreso, manual y material de

electrnica



electrnica

10 0 6 3 Documental

Lista de cotejo para reporte de

prctica. Lista de cotejo

para problemario. Gua de

Observacin para exposicin.

3. Fsica de Nanodispositivos de silicio

Al completar la unidad, el alumno ser capas de: *Definir el concepto de los MOSFETs pequeos y el transporte balstico en el. *Identificar el comportamiento cuntico dentro del dispositivo.

EC1 Cuestionario: Resuelve cuestionario sobre los MOSFETs. EP1 Reporte de prctica: sobre el comportamiento de los Nanodispositivos de silicio.

Conferencia: La relevancia del empleo de la Fsica de Nanodispositivos de silicio en la industria. Diagramas, ilustraciones y esquemas: Emplea recursos visuales para familiarizarse Nanodispositivos.

Investigacin documental : Sobre el concepto de Nanodispositivos de silicio. Taller y prctica mediante la accin: sobre una serie de actividades previamente diseadas sobre el funcionamiento de la Fsica de Nanodispositivos de silicio.

x x Biblioteca N/A Comportamiento de los Nanodispositivos

de silicio.



electrnica



electrnica

10 0 5 4 Documental



para problemario.

4. Dispositivos Lgicos

Al completar la unidad, el alumno ser capas de: *Definir la importancia e los Transistor Ferroelctrico de Efecto de Campo y los dispositivos de Transporte Cuntico basado en Tuneleo Resonante. *Explicar la operacin de los dispositivos de Electrn nico para aplicaciones lgicas. *Explicar que son los nanotubos de Carbn en el procesamiento de datos y la Electrnica Molecular.

EP1 Reporte de prctica: Realiza diagrama electronico con transistores EP2: Ejercicios Prcticos: da solucin a Ejercicios con operaciones de electrones

Exposicin: Esta tcnica expositiva proporciona informacin al grupo sobre dispositivos logicos y su aplicacin industrial. Preguntas y analogas: Esta tcnica permite al facilitador que los alumnos generen sus propios puntos de vista sobre la importancia y aplicacin de los dispositivos logicos.

Investigacin documental : Sobre el concepto de Dispositivos Lgicos Taller y prctica mediante la accin: sobre el funcionamiento de Dispositivos Lgicos

x x Biblioteca N/A Aplicacin de

Dispositivos Lgicos a nivel industrial.



electrnica



electrnica

10 0 4 4 Documental



para problemario.

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Nombre: Tpicos de Nanoelectrnica

Clave: TOE-ES

Justificacin: Est asignatura permitir al alumno conocer los principios bsicos que han hecho posible construir dispositivos electrnicos cada vez de menor tamao.

Objetivo: El alumno ser capaz de identificar las caractersticas de los dispositivos microelectrnicos (MEMS) y nanoelectrnicos (NEMS) para nuevas aplicaciones tecnolgicas.

Habilidades: Trabajo en equipo, Habilidades interpersonales, Pensamiento crtico y analtico, Trabajo interdisciplinario, aprender a aprender y Creatividad,

Competencias genricas a desarrollar:

Capacidad de abstraccin, anlisis y sntesis, Capacidad de investigacin, Habilidades para buscar, procesar y analizar informacin procedentes de fuentes diversas, Capacidad para actuar en nuevas situaciones y Capacidad creativa

Capacidades a desarrollar en la asignatura Competencias a las que contribuye la

asignatura

Determinar las caractersticas de

funcionamiento y el rea de aplicacin de los

diferentes dispositivos nanoelectrnicos

Determinar la funcionalidad de nanomateriales y dispositivos nanoestructurados, correlacionando su morfologa y propiedades macroscpicas para identificar sus posibles aplicaciones

Estimacin de tiempo (horas) necesario para transmitir el aprendizaje al

alumno, por Unidad de

Aprendizaje:

Unidades de aprendizaje HORAS TEORA HORAS PRCTICA

presencial No

presencial

presencial No

presencial Dispositivos electrnicos

avanzados

10 2 2 1

Dispositivos fotnicos

10 2 2 1

Fsica de nanodispositivos de silicio

9 2 2 1

Dispositivos lgicos 9

2 2 1

Otros dispositivos 12 2 2 1

Total de horas por cuatrimestre: 75

Total de horas por semana: 5 Crditos: 5

FICHA TCNICA

NOMBRE DE LA ASIGNATURA

9

Nombre de la asignatura: Tpicos de Nanoelectrnica

Nombre de la Unidad de Aprendizaje:

Dispositivos electrnicos avanzados

Nombre de la prctica o proyecto:

Mecanismos de transporte cunticos

Nmero: 1/5 Duracin (horas) : 2 Resultado de aprendizaje:

El alumno conoce los diferentes mecanismos de transporte de partculas, que se estudian utilizando la fsica cuntica. Y determinar las caractersticas de los dispositivos en base a los mecanismos presentes.

Requerimientos (Material o equipo): Apuntes de la unidad de aprendizaje y bibliografa correspondiente

Actividades a desarrollar en la prctica: El alumno realizar una lectura sobre un artculo texto cientfico, en el cual comprender la importancia que tienen el estudio de los mecanismos cunticos para determinar las caractersticas de los dispositivos nanoelectrnicos. Evidencias a las que contribuye el desarrollo de la prctica:

EP 1 - Ensayo sobre los mecanismos cunticos

DESARROLLO DE LA PRCTICA PROYECTO

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Dispositivos fotnicos


Dispositivos nanoelectrnicos


El alumno relaciona las caractersticas de los dispositivos nanoelectrnicos con los diferentes campos de aplicacin donde se utilizan.


Actividades a desarrollar en la prctica: El alumno realizar un trabajo de investigacin enfocado en conocer cules han sido los diferentes dispositivos nanoelectrnicos que se han desarrollado en los ltimos aos. Evidencias a las que contribuye el desarrollo de la prctica:

EP 2 - Anlisis sobre el presente y el futuro de la nanoelectrnica

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Fsica de nanodispositivos de silicio


Introduccin a la tecnologa planar


El alumno aprende los diferentes procesos tecnolgicos que estn involucrados en la fabricacin de circuitos integrados. Los cuales tambin son empleados para el desarrollo de nanodispositivos.


Actividades a desarrollar en la prctica: El alumno realizar la bsqueda de informacin relacionada con los diferentes procesos pasos tecnolgicos empleados en la fabricacin de dispositivos electrnicos. Evidencias a las que contribuye el desarrollo de la prctica:

EP 3 - Mapa conceptual (ilustrado) de los pasos de la tecnologa planar

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Dispositivos lgicos


Nanotubos de carbn


El alumno conoce las principales caractersticas de los nanotubos de carbn y el campo de aplicacin para dispositivos basados en este material.


Actividades a desarrollar en la prctica: El alumno realizar un trabajo de investigacin enfocado en conocer cules son las ventajas de implementar nanodispositivos basados en nanotubos de carbn. Evidencias a las que contribuye el desarrollo de la prctica:

EP 4 - Anlisis sobre las aplicaciones de los nanotubos de carbn

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Otros dispositivos


Sistemas Nano-ElectroMecnicos (NEMS)


El alumno aprende las caractersticas y conoce las aplicaciones de los NEMS.


Actividades a desarrollar en la prctica: El alumno realizar una lectura sobre un artculo texto cientfico, en el cual se manifieste la utilidad de emplear NEMS para la manipulacin de nanomateriales, nanopartculas nanomaterial orgnico e inorgnico. Evidencias a las que contribuye el desarrollo de la prctica:

EP 5 - Ensayo sobre la aplicacin de los NEMS

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PROPIEDADES ELCTRICAS DE SEMICONDUCTORES (UA1, EC1)

Conteste correctamente las siguientes preguntas realice lo que se le indique:

1. Cul es la escala mxima en nanoelectrnica? Por qu?

2. Explique que es un material semiconductor.

3. A que se le llama semiconductor intrnseco?

4. Dibuje el diagrama de bandas de un semiconductor de bandas indirectas.

5. Qu es un material semiconductor compuesto?

6. Describa que es un material impurificado tipo n y cual un tipo p.

7. Por qu es importante conocer la ecuacin de Schringer?

8. Explique el funcionamiento del diodo.

9. Cul es la relacin entre longitud de onda y el ancho de energa prohibida de

un semiconductor?

10. Mencione que otros dispositivos electrnicos conoce.

GUA DE CUESTIONARIOS

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MECANISMOS DE TRANSPORTE EN NANODISPOSITIVOS (UA2, EC2)


1. Qu significa el concepto de onda-partcula?

2. Qu indica fsicamente el principio de incertidumbre?

3. Explique detalladamente los siguientes mecanismos de transporte:

a. Difusin

b. Arrastre

c. Tuneleo

d. Recombinacin radiativa

e. Recombinacin no radiativa

4. Dibuje el diagrama de bandas de una unin n-p.

5. Cmo se lleva a cabo el transporte de carga en una regin rea donde se

han sintetizado nanoalambres, para sensar gases, crecidos de forma aleatoria?

6. Explique qu mecanismo de transporte domina en el funcionamiento de un

nanodiodo emisor de luz.

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DISPOSITIVOS MOSFETs (UA3, EC3)

Resuelva el siguiente problema:

Utilizando los procesos de la tecnologa planar, desarrolle un procedimiento (diseo)

para fabricar un MOSFET.

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TRANSISTOR FERROELECTRICO (UA4, EC4)


1. Explique lo que es un transistor de efecto de campo. (FET)

2. Mencione las ventajas de un FET.

3. Describa esquemticamente el funcionamiento de un FET.

4. Dibuje las curvas de entrada salida de un FET.

5. Qu ventajas se tienen de hacer un FET de :

a. Metal-oxido-semiconductor (MOSFET)?

b. Pelcula delgada (TFET)?

c. Material orgnico (OFET)?

d. Material ferro-elctrico (FeFET)?

6. Detalle el funcionamiento de un FeFET

7. Cules son las aplicaciones actuales y futuras de los FeFET?

18

DISPOSITIVOS NANOELECTRONICOS (UA5, EC5)

Resuelva el siguiente problema:

Emplee los conocimientos adquiridos en la asignatura, para proponer el diseo de tres

de los siguientes dispositivos:

a. Nanodiodo de nanotubos de carbono.

b. Nanocelda solar basada en un compuesto III-V.

c. Nanofotodiodo que trabaje en la regin infrarroja.

d. Nanosensor de gas basado en nanoalambres.

e. Nanotransistor.

f. NEMS.

El diseo debe incluir:

1. Propiedades de los materiales a emplear y justificacin de los mismos.

2. Regin de operacin del nanodispositivo

3. Caractersticas fsicas del nanodispositivo (dimensiones, impurezas, etc.)

4. Proceso de fabricacin (mtodo(s) de sntesis) y

5. Aplicacin til del nanodispositivo

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INSTRUMENTOS DE EVALUACIN LISTA DE COTEJO PARA PRCTICA PROYECTO

UNIVERSIDAD POLITCNICA DEL VALLE DE MXICO

DATOS GENERALES DEL PROCESO DE EVALUACIN Nombre(s) del alumno(s): Matrcula: Firma del alumno(s):

Producto: Nombre del Proyecto: Fecha:

Asignatura:

Periodo cuatrimestral:

Nombre del Docente: Firma del Docente:

INSTRUCCIONES

Revisar los documentos o actividades que se solicitan y marque con una X en la columna SI cuando el reactivo a evaluar se cumple; en caso contrario marque con una X en la columna NO. En la columna OBSERVACIONES ocpela cuando tenga que hacer comentarios referentes a lo observado.

Valor del reactivo Caracterstica a cumplir (Reactivo)

CUMPLE OBSERVACIONES

SI NO

4% Presentacin. El trabajo cumple con los requisitos de: a. Buena presentacin. (Portada completa)

4% b. No tiene ninguna falta de ortografa. 2% c. Mismo Formato. (establecido al inicio del curso) 5% d. Maneja el lenguaje tcnico apropiado.

5% Introduccin y Objetivo. La introduccin y el objetivo dan una idea clara del contenido del trabajo.

10% Sustento Terico. a. Presenta un panorama general del tema a desarrollar.

5% b. Sustenta con referencias bibliogrficas y cita correctamente a los autores.

50% Desarrollo. Realiza de forma clara, objetiva, ordenada, global y eficaz el anlisis, ensayo mapa conceptual abarcando todo el contenido.

10% Conclusiones. Las conclusiones son claras y acordes con el objetivo esperado. Las cuales contribuyen enriquecen el contenido presentado.

5% Responsabilidad. Entreg el reporte en la fecha y hora sealada.

100% CALIFICACIN:

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INSTRUMENTOS DE EVALUACIN

LISTA DE COTEJO PARA CUESTIONARIO

UNIVERSIDAD POLITCNICA DEL VALLE DE MXICO

DATOS GENERALES DEL PROCESO DE EVALUACIN Nombre(s) del alumno(s) y/o Equipo: Firma del alumno(s):

Producto: Nombre o tema de la Tarea: Fecha:

LISTA DE COTEJO PARA CUESTIONARIOS Nombre de la unidad de aprendizaje: Instrumento de Evaluacin: Asignatura:

Grupo:

Periodo cuatrimestral:

Nombre del Docente: Firma del Docente:

INSTRUCCIONES Revisar las caractersticas que se solicitan y califique en la columna Valor Obtenido el valor asignado con respecto al Valor del Reactivo. En la columna OBSERVACIONES haga las indicaciones que puedan ayudar al alumno a saber cules son las condiciones no cumplidas.

Valor del reactivo Caracterstica a cumplir (Reactivo)

Valor Obtenido OBSERVACIONES

5% Presentacin: El trabajo cumple con los requisitos de:

a) Buena presentacin, (Portada y cero errores ortogrficos)

5% b) Entreg el cuestionario en la fecha y hora sealada

90% La respuesta del alumno a todas las preguntas problemas presentados en el cuestionario es correcta

100.% CALIFICACIN:

21

GLOSARIO

Diodo. Dispositivo electrnico ms simple que consiste de dos regiones, una con conductividad negativa (n) y otra con conductividad positiva (p). Que slo permite el paso de corriente en una direccin, cuando se polariza directamente. Electrn. Es una partcula subatmica elemental con carga elctrica negativa. Electrnica. Es la rama de la fsica y especializacin de la ingeniera, que estudia y emplea sistemas cuyo funcionamiento se basa en la conduccin y el control del flujo microscpico de electrones u otras partculas cargadas elctricamente. Fonn. Es una cuasi-partcula de vibracin mecnica que se presenta en las estructuras cristalinas de los materiales. Fotn. Es la partcula elemental responsable de las manifestaciones cunticas del fenmeno electromagntico. Es la partcula portadora de todas las formas de radiacin electromagntica, incluyendo rayos X, luz visible, microondas, etc. Y viaja en el vaco con una velocidad constante C. Nano. Es un prefijo del sistema internacional de unidades utilizado para referirse a dimensiones del orden de una mil millonsima parte de un metro. Semiconductor. Es un elemento material que qumicamente tiene medio lleno el ltimo nivel energtico ocupado por electrones. Se puede comportar como conductor como aislante dependiendo de diversos factores, tales como: introduccin de impurezas, temperatura, radiacin, presencia de campos electromgneticos. Transistor. Dispositivo electrnico de tres regiones (n-p-n p-n-p), que permite obtener a la salida una seal amplificada de la seal de corriente que recibe en las terminales de entrada.

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BIBLIOGRAFA Bsica TTULO: Introduction to nanoelectronics: Science, nanotechnology, engineering, and

applications AUTOR: Vladimir V. Mitin, Viatcheslav A. Kochelap, Michael A. Stroscio EDITORIAL O REFERENCIA: Cambridge University Press LUGAR Y AO DE EDICIN: United Kingdom 2008 TTULO: Integrated nanophotonic devices AUTOR: Zeev Zalevsky and Abdulhalim EDITORIAL O REFERENCIA: Elsevier LUGAR Y AO DE EDICIN: United Kingdom 2010

Complementaria TTULO: Nanomaterials an introduction to synthesis, properties and applications. AUTOR: Dieter Vollath EDITORIAL O REFERENCIA: Wiley-VCH LUGAR Y AO DE EDICIN: Federal Republic of Germany 2008

TTULO: Nanotechnology principles and fundamentals AUTOR: Gunter Schmid EDITORIAL O REFERENCIA: Wiley-VCH LUGAR Y AO DE EDICIN: California 2008

Revistas Especializadas

Mundo Nano

Journal of Nanoelectronics and optoelectronics

Journal of Nano Research

Nanoletters

Nanotechnology

Sitios Web

www.nanoelectronicsforum.org

www.nanotech-now.com

www.nano.gov

www.nature.com/nnano/

INTRODUCCINPROGRAMA DE ESTUDIOSDATOS GENERALES DEL PROCESO DE EVALUACINFirma del alumno(s):Matrcula:Nombre(s) del alumno(s):Fecha:Nombre del Proyecto:Producto:INSTRUCCIONESCUMPLEValor del reactivoOBSERVACIONESCaracterstica a cumplir (Reactivo)NOSIDATOS GENERALES DEL PROCESO DE EVALUACINFirma del alumno(s):Nombre(s) del alumno(s) y/o Equipo:Fecha:Nombre o tema de la Tarea:Producto:LISTA DE COTEJO PARA CUESTIONARIOSINSTRUCCIONESValor ObtenidoValor del reactivoOBSERVACIONESCaracterstica a cumplir (Reactivo)GLOSARIOBIBLIOGRAFA

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