CÁLCULO DE BANDA DE ENERGÍA PROHIBIDA DE CdTe POR EL MÉTODO DE PUNTO DE INFLEXION.
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CÁLCULO DE BANDA DE ENERGÍA PROHIBIDA DE CdTe POR EL MÉTODO DE PUNTO DE INFLEXION Oswaldo Morales Morales, Kleber Janampa Quispe , Octavio Cerón Balboa Julio Oré García, (CER-UNSCH ) [email protected] UNSCH UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN CRISTOBAL DE HUAMANGA
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CÁLCULO DE BANDA DE ENERGÍAPROHIBIDA DE CdTe POR EL MÉTODO DE
PUNTO DE INFLEXION
Oswaldo Morales Morales,Kleber Janampa Quispe ,Octavio Cerón BalboaJulio Oré García,(CER-UNSCH ) [email protected]
UNSCH
UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN CRISTOBAL DE HUAMANGA
OBJETIVO:
Calcular la banda de energía prohibida del semiconductor hechode teluro de cadmio (CdTe )
INTRODUCCIÓN:
CdTe•Como material puro:
Semiconductor Intrínseco.
•Dopado:Semiconductor tipo “p”.
Ampliamente utilizado en la fabrica-ción de células solares CdTe/CdS yotros dispositivos optoelectrónicos
Banda de Energía prohibida
B.V
B.C
Banda ProhibidaEg
MÉTODOS Y MATERIALES
1. Implementación del sistema CSS1. Implementación del sistema CSS
2. Preparación de muestra2. Preparación de muestra
3. Deposición de lámina fina de CdTe.3. Deposición de lámina fina de CdTe.
4. Mediciones4. Mediciones
MÉTODOS Y MATERIALES
1. Implementación del sistema CSS.
Horno para sublimar el teluro de cadmio
MÉTODOS Y MATERIALES
2. Preparación de muestra
MÉTODOS Y MATERIALES
3. Deposición de lámina fina de CdTe
Vacío: 300 mTorr; T=520 o C; t=15 min, enfriamiento.
20 30 40 50 60 70 80
0
10000
20000
30000
40000
50000
(511)(422)(331)(400)
ua
2 ( 0 )
CdTe
(111)
(220) (311)
RESULTADOS Y DISCUSION
Difracción de rayos X de CdTeLámina, semiconductor de CdTe
depositado sobre vidrio.
4. Mediciones : DRX
350 400 450 500 550 600 650 700 750 800 850 900 950 10000
20
40
60
80
100
Tran
smita
ncia
%
Longitud de onda (nm)
B
CdTe
Curva de Transmitancia de CdTe
RESULTADOS Y DISCUSION
Mediciones: T
v ( )c g ohv E E E
( )g g oo
hcE E
Material λ (nm) Eg(eV)
CdTe 825.9450 1.5010
RESULTADOS Y DISCUSION
Cálculo de la bandaProhibida de CdTe
CONCLUSIONES:
1. El valor de la banda de energía prohíba encontrado para elteluro de cadmio, en este trabajo, es de .
2. El método de punto de inflexión, para el cálculo de labanda de energía prohíba de semiconductores, en estecaso mostró ser eficiente por su sencillez y operacionesfáciles involucrados; el valor obtenido concuerda muy biencon los valores estándares que se encuentra en la literaturade semiconductores.
CONCLUSIONES:
3. Se mostró la importancia y la sencillez del método depunto de inflexión para el cálculo de bandas de energíaprohibida de semiconductores que presentan punto deinflexión en su curva de transmitancia.
4. Para la determinación de la banda de energía prohibida deCdTe con el método de punto de inflexion, no fuenecesario calcular el coeficiente de absorción, como ocurrecon otros métodos.
REFERENCIA BIBLIOGRÁFICA:
1. Bonnet, D., Rabenhorst H. (1972). New results on the evelopment of a thin film p-CdTe–n-CdS heterojunction solar cell. In: Proceedings of the 9th PhotovoltaicSpecialists Conference, 129–131.
2. Guimarães, Luciano de Moura. Electrodeposição galvanostática de Telureto deCádmio sobre silício monocristalino (111). (2006). 67 f. Disertação de Mestrado.Universidade federal de Viçosa. Brasil.
3. Hamaguchi, C. (2009). Basic Semiconductor Physics. Sec. Edit. Osaka. Japan.4. Morales, O. (2011). Construção e caracterização de células solares de filmes finos de
CdTe. Disertação de Mestrado, Universidade Estadual Paulista de São Paulo-IlhaSolteira, Brasil.
5. Romeo, N., Bosio, A., Canevari, V., Podesta, A.. (2004). Recent progress on CdTe/CdSthin film solar cells. Solar Energy 77, 795–801.
6 Shalinova, K.V. (1975) Física de los semiconductores. Moscú. Ed. MIR..
GRACIAS PORLA
ATENCIÓN
