últimos 10 años de desarrollo en la miniaturización

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1. ltimos 10 aos en el desarrollo de la miniaturizacin.El desarrollo de la electrnica desde sus comienzos con el primer transistor ha sido aumentarla densidad de estos dispositivos en los materiales utilizados ya que cuanto ms transistoreshaya en un dispositivo mayor memoria y prestaciones tendr.En esta carrera tecnolgica se ha pasado de los transistores FET, que constan de unsemiconductor entre dos placas metlicas paralelas (dispositivo tridimensional) a niveles msaltos de sofisticacin como los dispositivos MOS-FET (dispositivos metal-xido-semiconductor) en los que se reduce en uno la dimensionalidad del dispositivo (dispositivobidimensional).Desde el desarrollo de los MOS-FET y ante las limitaciones a la capacidad del Si(semiconductor empleado para la mayora de los circuitos usados en el mbito civil), elaumento de la capacidad en los dispositivos viene dado por una mayor miniaturizacin de lostransistores integrados sobre obleas de Si obteniendo por tanto una mayor densidadsuperficial de dispositivos.Esta estrategia ha dado resultado por el momento, pero en un futuro no muy lejano se va arequerir un grado de miniaturizacin mayor del que puede conseguir la deposicin, y es aqudonde la nanotecnologa tiene un futuro prometedor. Existen en la actualidad varias lneas deinvestigacin para la miniaturizacin de dispositivos. Entre ellas se encuentran varias basadasen nanotransistores en nanohilos que superan en mucho las tcnicas litogrficas msavanzadas.Estos dispositivos permiten la formacin de heteroestructuras en las cuales cadacomponente est bien confinado de tal manera que el flujo electrnico en el dispositivo estbien controlado.Para ello se ha desarrollado un diseo complejo de elaboracin de nanotubos en las quepequeas particulas de oro y aluminio (que garanticen un buen contacto ohmico) son fundidasy depositadas en el interior de una cmara de vaco. A continuacin se introduce en la cmara 2. Si(g) de tal forma que satura la mezcla y el Si solidifica en forma de nanohilos debido a latransferencia de calor, una vez hecho esto se deposita una capa de aleacin de aluminio-orolquido sobre la superficie de los nanohilos dando al nanodispositivo una aparienciacaracterstica de seta, como se puede apreciar en la figura:Para la fabricacin de dispositivos nanoelectrnicos existen otras vas de investigacinen lasque se intenta emular los mecanismos biolgicos de construccin basados en el ADN como esla va del modelo biolgico y del autoensamblaje.El desarrollo de las tcnicas de miniaturizacin de dispositivos permitirn que el desarrollo dela capacidad informtica se mantenga en un ritmo adecuado para cubrir las necesidadesfuturas hasta el desarrollo de tecnologas ms complejas como la computacin cuntica.