TRANSISTORS BIPOLARS - OpenCourseWareCaracterístiques BJT 2N2222. BJT en continua. V. CE(sat):...
Transcript of TRANSISTORS BIPOLARS - OpenCourseWareCaracterístiques BJT 2N2222. BJT en continua. V. CE(sat):...
![Page 1: TRANSISTORS BIPOLARS - OpenCourseWareCaracterístiques BJT 2N2222. BJT en continua. V. CE(sat): tensió que hi ha entre col·lector i emisor del transistor bipolar quan el dispositiu](https://reader034.fdocuments.mx/reader034/viewer/2022052519/5f222462fd40523bbc79e2f8/html5/thumbnails/1.jpg)
Tema 1
TRANSISTORS BIPOLARS
Universitat Politècnica de CatalunyaDepartament d’Enginyeria Electrònica
![Page 2: TRANSISTORS BIPOLARS - OpenCourseWareCaracterístiques BJT 2N2222. BJT en continua. V. CE(sat): tensió que hi ha entre col·lector i emisor del transistor bipolar quan el dispositiu](https://reader034.fdocuments.mx/reader034/viewer/2022052519/5f222462fd40523bbc79e2f8/html5/thumbnails/2.jpg)
Berbel / Zaragoza
TRANSISTOR BIPOLAR
Conceptes bàsics BJT en continua BJT en alterna
Intr
oduc
ció
Principios de Electrónica. Alvert Paul Malvino. Ed. McGraw-Hill.Capítol 7.Circuitos y dispositivos electrónicos. Fundamentos de electrónica.Lluís Prat. Edicions UPC. Capítol 7.
Bibliografia:
2
![Page 3: TRANSISTORS BIPOLARS - OpenCourseWareCaracterístiques BJT 2N2222. BJT en continua. V. CE(sat): tensió que hi ha entre col·lector i emisor del transistor bipolar quan el dispositiu](https://reader034.fdocuments.mx/reader034/viewer/2022052519/5f222462fd40523bbc79e2f8/html5/thumbnails/3.jpg)
Berbel / Zaragoza
TRANSISTOR BIPOLAR
Definició:
Intr
oduc
ció
El transistor d’unió bipolar, de l’anglès Bipolar JunctionTransistor, o BJT es un dispositiu electrònic d’estat sòlid queconsisteix en dues unions PN. Aquest dispositiu permetcontrolar el corrent que circula a través d’ell.
L’antecesor del BJT va ser inventat al Desembre de 1947 als“Bell Telephone Laboratories” per John Bardeen i WalterBrattain sota la direcció de William Shockley. El BJT tal i com elconeixem a l’actualitat va ser inventat per William Shockley al1948 i va servir per dissenyar els primers circuits integrats
3
![Page 4: TRANSISTORS BIPOLARS - OpenCourseWareCaracterístiques BJT 2N2222. BJT en continua. V. CE(sat): tensió que hi ha entre col·lector i emisor del transistor bipolar quan el dispositiu](https://reader034.fdocuments.mx/reader034/viewer/2022052519/5f222462fd40523bbc79e2f8/html5/thumbnails/4.jpg)
Berbel / Zaragoza
TRANSISTOR BIPOLARIn
trod
ucci
ó
Primer transistor (1947)
4
![Page 5: TRANSISTORS BIPOLARS - OpenCourseWareCaracterístiques BJT 2N2222. BJT en continua. V. CE(sat): tensió que hi ha entre col·lector i emisor del transistor bipolar quan el dispositiu](https://reader034.fdocuments.mx/reader034/viewer/2022052519/5f222462fd40523bbc79e2f8/html5/thumbnails/5.jpg)
Berbel / Zaragoza
TRANSISTOR BIPOLARIn
trod
ucci
ó
Transistor NPN en el circuit integrat 7805
5
![Page 6: TRANSISTORS BIPOLARS - OpenCourseWareCaracterístiques BJT 2N2222. BJT en continua. V. CE(sat): tensió que hi ha entre col·lector i emisor del transistor bipolar quan el dispositiu](https://reader034.fdocuments.mx/reader034/viewer/2022052519/5f222462fd40523bbc79e2f8/html5/thumbnails/6.jpg)
Berbel / Zaragoza
TRANSISTOR BIPOLARIn
trod
ucci
ó
El BJT presenta tres terminals:
BaseCol·lectorEmissor
Transistor PNP Transistor NPN
6
![Page 7: TRANSISTORS BIPOLARS - OpenCourseWareCaracterístiques BJT 2N2222. BJT en continua. V. CE(sat): tensió que hi ha entre col·lector i emisor del transistor bipolar quan el dispositiu](https://reader034.fdocuments.mx/reader034/viewer/2022052519/5f222462fd40523bbc79e2f8/html5/thumbnails/7.jpg)
Berbel / Zaragoza
TRANSISTOR BIPOLAR
4 regions de funcionament del BJT
BJT
en
cont
inua
7
![Page 8: TRANSISTORS BIPOLARS - OpenCourseWareCaracterístiques BJT 2N2222. BJT en continua. V. CE(sat): tensió que hi ha entre col·lector i emisor del transistor bipolar quan el dispositiu](https://reader034.fdocuments.mx/reader034/viewer/2022052519/5f222462fd40523bbc79e2f8/html5/thumbnails/8.jpg)
Berbel / Zaragoza
TRANSISTOR BIPOLAR
Característica I/V BJT
BJT
en
cont
inua
8
![Page 9: TRANSISTORS BIPOLARS - OpenCourseWareCaracterístiques BJT 2N2222. BJT en continua. V. CE(sat): tensió que hi ha entre col·lector i emisor del transistor bipolar quan el dispositiu](https://reader034.fdocuments.mx/reader034/viewer/2022052519/5f222462fd40523bbc79e2f8/html5/thumbnails/9.jpg)
Berbel / Zaragoza
TRANSISTOR BIPOLAR
Circuit equivalent quan el BJT es troba en la regió ACTIVA
BJT
en
cont
inua
El BJT es troba en la regió activa quan la VBE> VγV i VBC< 0V.
Circuit equivalent del BJT en regió activa
Equació de funcionament enregió activa
On βF és el guany de corrent en la configuració de emisor comú.Aquest paràmetre té un valor superior a la unitat.
9
![Page 10: TRANSISTORS BIPOLARS - OpenCourseWareCaracterístiques BJT 2N2222. BJT en continua. V. CE(sat): tensió que hi ha entre col·lector i emisor del transistor bipolar quan el dispositiu](https://reader034.fdocuments.mx/reader034/viewer/2022052519/5f222462fd40523bbc79e2f8/html5/thumbnails/10.jpg)
Berbel / Zaragoza
TRANSISTOR BIPOLAR
Circuit equivalent quan el BJT es troba en la regió ACTIVA
BJT
en
cont
inua
El corrent d’emisor en la zona activa és:
On αF és el guany de corrent en la configuració de base comú.Aquest paràmetre té un valor molt proper a la unitat.
Exercici 1
Calcular αF si βF val 100.
10
![Page 11: TRANSISTORS BIPOLARS - OpenCourseWareCaracterístiques BJT 2N2222. BJT en continua. V. CE(sat): tensió que hi ha entre col·lector i emisor del transistor bipolar quan el dispositiu](https://reader034.fdocuments.mx/reader034/viewer/2022052519/5f222462fd40523bbc79e2f8/html5/thumbnails/11.jpg)
Berbel / Zaragoza
TRANSISTOR BIPOLAR
Circuit equivalent quan el BJT es troba en la regió TALL
BJT
en
cont
inua
El BJT es troba en regió de tall quan IBE i IBC són aproximadamentnules. Per lo tant, el corrent de col·lector també ho serà.
Circuit equivalent del BJT enregió de TALL
00
B
C
I AI A
≈≈
11
![Page 12: TRANSISTORS BIPOLARS - OpenCourseWareCaracterístiques BJT 2N2222. BJT en continua. V. CE(sat): tensió que hi ha entre col·lector i emisor del transistor bipolar quan el dispositiu](https://reader034.fdocuments.mx/reader034/viewer/2022052519/5f222462fd40523bbc79e2f8/html5/thumbnails/12.jpg)
Berbel / Zaragoza
TRANSISTOR BIPOLAR
Circuit equivalent quan el BJT es troba en la regió SATURACIÓ
BJT
en
cont
inua
El BJT es troba en regió de saturació quan les tensions VBE i VBCsón ambdues positives. Els dos diodes condueixen.
Circuit equivalent del BJT en regió de SATURACIÓ
12
![Page 13: TRANSISTORS BIPOLARS - OpenCourseWareCaracterístiques BJT 2N2222. BJT en continua. V. CE(sat): tensió que hi ha entre col·lector i emisor del transistor bipolar quan el dispositiu](https://reader034.fdocuments.mx/reader034/viewer/2022052519/5f222462fd40523bbc79e2f8/html5/thumbnails/13.jpg)
Berbel / Zaragoza
TRANSISTOR BIPOLAR
Anàlisi de circuits amb BJT
BJT
en
cont
inua
Objectiu: calcular IB, IC, IE, VCE.
4 incògnites significa tenir 4 equacions
•Equació de malla d’entrada•Equació de malla de sortida•2 equacions pròpies del transistor bipolar
Pel corrent d’emissor es prendrà el sentit positiu de corrent elsentit que indica la fletxa: sortint pel BJT NPN i entrant pel BJTPNP.
Pel corrent de base i de col·lector el sentit positiu de corrent serà:NPN els corrents són entrants i pel PNP els corrents són sortints.
E B B
CB CE BE
I I IV V V
= += −
13
![Page 14: TRANSISTORS BIPOLARS - OpenCourseWareCaracterístiques BJT 2N2222. BJT en continua. V. CE(sat): tensió que hi ha entre col·lector i emisor del transistor bipolar quan el dispositiu](https://reader034.fdocuments.mx/reader034/viewer/2022052519/5f222462fd40523bbc79e2f8/html5/thumbnails/14.jpg)
Berbel / Zaragoza
TRANSISTOR BIPOLAR
Anàlisi de circuits amb BJT
BJT
en
cont
inua
1.- Trobar el corrent de base.
2.- Trobar el corrent de col·lector.
3.- Trobar la tensió col·lector-emissor del transistor bipolar.
Si el corrent de base és negatiu o zero, el transistor BJT es troba entall.
Si la tensió col·lector-emissor és negativa, el transistor BJT es trobaen la regió de saturació.
En qualsevol altre cas, el transistor BJT es troba en la regió activa.
14
![Page 15: TRANSISTORS BIPOLARS - OpenCourseWareCaracterístiques BJT 2N2222. BJT en continua. V. CE(sat): tensió que hi ha entre col·lector i emisor del transistor bipolar quan el dispositiu](https://reader034.fdocuments.mx/reader034/viewer/2022052519/5f222462fd40523bbc79e2f8/html5/thumbnails/15.jpg)
Berbel / Zaragoza
TRANSISTOR BIPOLAR
Exercici 2
BJT
en
cont
inua
Trobar el punt de treball del següent circuit amb transistor bipolars.
Dades: VIN=5 V, RB=10 kΩ, RC=1 kΩ, VCC=5 VTransistor: 2N2222
15
![Page 16: TRANSISTORS BIPOLARS - OpenCourseWareCaracterístiques BJT 2N2222. BJT en continua. V. CE(sat): tensió que hi ha entre col·lector i emisor del transistor bipolar quan el dispositiu](https://reader034.fdocuments.mx/reader034/viewer/2022052519/5f222462fd40523bbc79e2f8/html5/thumbnails/16.jpg)
Berbel / Zaragoza
TRANSISTOR BIPOLAR
Característiques BJT 2N2222
BJT
en
cont
inua
16
![Page 17: TRANSISTORS BIPOLARS - OpenCourseWareCaracterístiques BJT 2N2222. BJT en continua. V. CE(sat): tensió que hi ha entre col·lector i emisor del transistor bipolar quan el dispositiu](https://reader034.fdocuments.mx/reader034/viewer/2022052519/5f222462fd40523bbc79e2f8/html5/thumbnails/17.jpg)
Berbel / Zaragoza
TRANSISTOR BIPOLAR
Característiques BJT 2N2222
BJT
en
cont
inua
17
![Page 18: TRANSISTORS BIPOLARS - OpenCourseWareCaracterístiques BJT 2N2222. BJT en continua. V. CE(sat): tensió que hi ha entre col·lector i emisor del transistor bipolar quan el dispositiu](https://reader034.fdocuments.mx/reader034/viewer/2022052519/5f222462fd40523bbc79e2f8/html5/thumbnails/18.jpg)
Berbel / Zaragoza
TRANSISTOR BIPOLAR
Característiques BJT 2N2222
BJT
en
cont
inua
VCBO: tensió màxima que se li poc aplicar entre la unió col·lector-basedel transistor bipolar abans que es faci malbé el dispositiu.
VCEO: tensió màxima que se li poc aplicar entre la unió col·lector-emisor del transistor bipolar abans que es faci malbé el dispositiu.
VEBO: tensió màxima que se li poc aplicar entre la unió emisor-basedel transistor bipolar abans que es faci malbé el dispositiu.
IC: corrent màxima que pot circular pel terminal de col·lector.
Ptot: potència màxima que pot dissipar el transistor bipolar.
Tstg: rang de temperatures en el qual el dispositiu ha de treballar.
Tj: temperature màxima de la unió. Serveix pel càlcul dels radiadors.
18
![Page 19: TRANSISTORS BIPOLARS - OpenCourseWareCaracterístiques BJT 2N2222. BJT en continua. V. CE(sat): tensió que hi ha entre col·lector i emisor del transistor bipolar quan el dispositiu](https://reader034.fdocuments.mx/reader034/viewer/2022052519/5f222462fd40523bbc79e2f8/html5/thumbnails/19.jpg)
Berbel / Zaragoza
TRANSISTOR BIPOLAR
Característiques BJT 2N2222
BJT
en
cont
inua
VCE(sat): tensió que hi ha entre col·lector i emisor del transistor bipolarquan el dispositiu es troba en la regió de saturació.
VBE(sat): tensió que hi ha entre base i emisor del transistor bipolarquan el dispositiu es troba en la regió de saturació.
hFE: guany de corrent en emisor comú.
19
![Page 20: TRANSISTORS BIPOLARS - OpenCourseWareCaracterístiques BJT 2N2222. BJT en continua. V. CE(sat): tensió que hi ha entre col·lector i emisor del transistor bipolar quan el dispositiu](https://reader034.fdocuments.mx/reader034/viewer/2022052519/5f222462fd40523bbc79e2f8/html5/thumbnails/20.jpg)
Berbel / Zaragoza
TRANSISTOR BIPOLAR
Característiques BJT 2N2222
BJT
en
cont
inua
20
![Page 21: TRANSISTORS BIPOLARS - OpenCourseWareCaracterístiques BJT 2N2222. BJT en continua. V. CE(sat): tensió que hi ha entre col·lector i emisor del transistor bipolar quan el dispositiu](https://reader034.fdocuments.mx/reader034/viewer/2022052519/5f222462fd40523bbc79e2f8/html5/thumbnails/21.jpg)
Berbel / Zaragoza
TRANSISTOR BIPOLAR
Anàlisis del circuit
BJT
en
cont
inua
Dades: VIN=5 V, RB=10 kΩ, RC=1 kΩ, VCC=5 VDades 2N2222: hFE|min=35, VBE=1,2 V, VCE|SAT=1,2 V
·
380
· 13,3·
· 8,3
3,8
IN B B BE
IN BEB
B
C FE B
CC C C CE
CE CC C C
CC CE SATC SAT
C
V I R VV VI A
RI h I mAV I R VV V I R V
V VI mA
R
µ
= +−
= =
= == += − = −
−= =
21
![Page 22: TRANSISTORS BIPOLARS - OpenCourseWareCaracterístiques BJT 2N2222. BJT en continua. V. CE(sat): tensió que hi ha entre col·lector i emisor del transistor bipolar quan el dispositiu](https://reader034.fdocuments.mx/reader034/viewer/2022052519/5f222462fd40523bbc79e2f8/html5/thumbnails/22.jpg)
Berbel / Zaragoza
TRANSISTOR BIPOLAR
Exercici 3
BJT
en
cont
inua
Trobar el punt de treball del següent circuit amb transistor bipolars.
Dades: VCC=15 V RC=1 kΩ RB=400 kΩ βF=200 VBEQ=0,7 V
244,810,2
B
C
CE
I AI mAV V
µ===
22
![Page 23: TRANSISTORS BIPOLARS - OpenCourseWareCaracterístiques BJT 2N2222. BJT en continua. V. CE(sat): tensió que hi ha entre col·lector i emisor del transistor bipolar quan el dispositiu](https://reader034.fdocuments.mx/reader034/viewer/2022052519/5f222462fd40523bbc79e2f8/html5/thumbnails/23.jpg)
Universitat Politècnica de CatalunyaDepartament d’Enginyeria Electrònica
Electrònica Analògica
TEMA 1: TRANSISTORS BIPOLARS
Universitat Politècnica de CatalunyaDepartament d’Enginyeria Electrònica
Autor: Néstor Berbel i Jordi Zaragoza
![Page 24: TRANSISTORS BIPOLARS - OpenCourseWareCaracterístiques BJT 2N2222. BJT en continua. V. CE(sat): tensió que hi ha entre col·lector i emisor del transistor bipolar quan el dispositiu](https://reader034.fdocuments.mx/reader034/viewer/2022052519/5f222462fd40523bbc79e2f8/html5/thumbnails/24.jpg)
Electrònica Analògica
ELECTRÒNICA ANALÒGICA
2
Conceptes bàsics El transistor bipolar en continua i en baixa
freqüència El transistor bipolar com a amplificador
Intro
ducc
ió
![Page 25: TRANSISTORS BIPOLARS - OpenCourseWareCaracterístiques BJT 2N2222. BJT en continua. V. CE(sat): tensió que hi ha entre col·lector i emisor del transistor bipolar quan el dispositiu](https://reader034.fdocuments.mx/reader034/viewer/2022052519/5f222462fd40523bbc79e2f8/html5/thumbnails/25.jpg)
Electrònica Analògica
ELECTRÒNICA ANALÒGICAB
JT e
n co
ntin
ua i
en b
aixa
freq
üènc
ia
Exercici 1
Trobar el punt de treball del següent circuit amb transistor bipolars.
Dades: VCC=15 V RC=1 kΩ RB=400 kΩ βF=200 VBEQ=0,7 V
3
![Page 26: TRANSISTORS BIPOLARS - OpenCourseWareCaracterístiques BJT 2N2222. BJT en continua. V. CE(sat): tensió que hi ha entre col·lector i emisor del transistor bipolar quan el dispositiu](https://reader034.fdocuments.mx/reader034/viewer/2022052519/5f222462fd40523bbc79e2f8/html5/thumbnails/26.jpg)
Electrònica Analògica
ELECTRÒNICA ANALÒGICAEl
tran
sist
or b
ipol
ar c
om a
am
plifi
cado
r
Amplificadors
Un circuit electrònic amplifica quan la potència del senyal de sortida éssuperior a la potència del senyal d’entrada.
4
![Page 27: TRANSISTORS BIPOLARS - OpenCourseWareCaracterístiques BJT 2N2222. BJT en continua. V. CE(sat): tensió que hi ha entre col·lector i emisor del transistor bipolar quan el dispositiu](https://reader034.fdocuments.mx/reader034/viewer/2022052519/5f222462fd40523bbc79e2f8/html5/thumbnails/27.jpg)
Electrònica Analògica
ELECTRÒNICA ANALÒGICAEl
tran
sist
or b
ipol
ar c
om a
am
plifi
cado
r
Exercici 7. Amplificador
Dades: VCC=10 V RC=2 kΩ RB=30 kΩ RE= 940 Ω VBB=3 V βF=200 VBEQ=0,7V VCEsat=0,2 V
Anàlisi en contínua. Punt de repòs.
Anàlisi en gran senyal: amplificació i marges dinàmics.
Anàlisi en petit senyal.
5
![Page 28: TRANSISTORS BIPOLARS - OpenCourseWareCaracterístiques BJT 2N2222. BJT en continua. V. CE(sat): tensió que hi ha entre col·lector i emisor del transistor bipolar quan el dispositiu](https://reader034.fdocuments.mx/reader034/viewer/2022052519/5f222462fd40523bbc79e2f8/html5/thumbnails/28.jpg)
Electrònica Analògica
ELECTRÒNICA ANALÒGICAEl
tran
sist
or b
ipol
ar c
om a
am
plifi
cado
r
Exercici 7. Amplificador. Anàlisi en continua.
Es suposa que ΔvS(t) és igual a zero.
Trobar IBQ, ICQ i VCEQ.
Malla d’entrada Malla de sortida
El BJT es troba en la zona activa perquè la unió base-emisor està endirecte i la unió base-colector està en inversa per ser VCEQ més gran que0,2 V.
6
![Page 29: TRANSISTORS BIPOLARS - OpenCourseWareCaracterístiques BJT 2N2222. BJT en continua. V. CE(sat): tensió que hi ha entre col·lector i emisor del transistor bipolar quan el dispositiu](https://reader034.fdocuments.mx/reader034/viewer/2022052519/5f222462fd40523bbc79e2f8/html5/thumbnails/29.jpg)
Electrònica Analògica
ELECTRÒNICA ANALÒGICAEl
tran
sist
or b
ipol
ar c
om a
am
plifi
cado
r
Exercici 7. Amplificador. Anàlisi en gran senyal.
7
![Page 30: TRANSISTORS BIPOLARS - OpenCourseWareCaracterístiques BJT 2N2222. BJT en continua. V. CE(sat): tensió que hi ha entre col·lector i emisor del transistor bipolar quan el dispositiu](https://reader034.fdocuments.mx/reader034/viewer/2022052519/5f222462fd40523bbc79e2f8/html5/thumbnails/30.jpg)
Electrònica Analògica
ELECTRÒNICA ANALÒGICAEl
tran
sist
or b
ipol
ar c
om a
am
plifi
cado
r
Exercici 7. Amplificador. Distorsió del senyal de sortida.
Trobar la màxima amplitud del senyal d’entrada per a que el senyal desortida no es distorsioni (no es retalli a 0 V i a VCC V)
8
![Page 31: TRANSISTORS BIPOLARS - OpenCourseWareCaracterístiques BJT 2N2222. BJT en continua. V. CE(sat): tensió que hi ha entre col·lector i emisor del transistor bipolar quan el dispositiu](https://reader034.fdocuments.mx/reader034/viewer/2022052519/5f222462fd40523bbc79e2f8/html5/thumbnails/31.jpg)
Electrònica Analògica
ELECTRÒNICA ANALÒGICAEl
tran
sist
or b
ipol
ar c
om a
am
plifi
cado
r
Exercici 7. Amplificador. Anàlisi en petit senyal.
Circuit d’entrada del BJT
Circuit de sortida del BJT
9
![Page 32: TRANSISTORS BIPOLARS - OpenCourseWareCaracterístiques BJT 2N2222. BJT en continua. V. CE(sat): tensió que hi ha entre col·lector i emisor del transistor bipolar quan el dispositiu](https://reader034.fdocuments.mx/reader034/viewer/2022052519/5f222462fd40523bbc79e2f8/html5/thumbnails/32.jpg)
Electrònica Analògica
ELECTRÒNICA ANALÒGICAEl
tran
sist
or b
ipol
ar c
om a
am
plifi
cado
r
BJT Model en petit senyal
10
![Page 33: TRANSISTORS BIPOLARS - OpenCourseWareCaracterístiques BJT 2N2222. BJT en continua. V. CE(sat): tensió que hi ha entre col·lector i emisor del transistor bipolar quan el dispositiu](https://reader034.fdocuments.mx/reader034/viewer/2022052519/5f222462fd40523bbc79e2f8/html5/thumbnails/33.jpg)
Electrònica Analògica
ELECTRÒNICA ANALÒGICAEl
tran
sist
or b
ipol
ar c
om a
am
plifi
cado
r
BJT Model en petit senyal (cont)
El model en petit senyal mostrat a continuació té en compte larealimentació interna en que la modulació del ample de base produeix quela característica d’entrada canvii. També en compte la resistencia de sortidadel BJT.
11
![Page 34: TRANSISTORS BIPOLARS - OpenCourseWareCaracterístiques BJT 2N2222. BJT en continua. V. CE(sat): tensió que hi ha entre col·lector i emisor del transistor bipolar quan el dispositiu](https://reader034.fdocuments.mx/reader034/viewer/2022052519/5f222462fd40523bbc79e2f8/html5/thumbnails/34.jpg)
Electrònica Analògica
ELECTRÒNICA ANALÒGICAEl
tran
sist
or b
ipol
ar c
om a
am
plifi
cado
r
Anàlisi circuits amb BJT amb el model en petit senyal
Pasos a seguir per l’anàlisis d’amplificadors amb BJT.
1.Suposar que els condensadors són circuits oberts i trobar els valors deIBQ, ICQ, IEQ (si fes falta) i VCEQ.
•Trobar el model en petit senyal del transistor bipolar.
•Anular les fonts de continua (fonts de tensió per curt-circuits i fonts decorrent per circuits oberts).
•Suposar que els condensadors són curt-circuits i analizar el circuitresultant, substituint el BJT pel model en petit senyal, per trobar la relacióentre la tensió de sortida i la tensión d’entrada.
12
![Page 35: TRANSISTORS BIPOLARS - OpenCourseWareCaracterístiques BJT 2N2222. BJT en continua. V. CE(sat): tensió que hi ha entre col·lector i emisor del transistor bipolar quan el dispositiu](https://reader034.fdocuments.mx/reader034/viewer/2022052519/5f222462fd40523bbc79e2f8/html5/thumbnails/35.jpg)
Electrònica Analògica
ELECTRÒNICA ANALÒGICAEl
tran
sist
or b
ipol
ar c
om a
am
plifi
cado
r
Exercici 8. Amplificador
Dades: VCC=15 V CIN=4.7 μF COUT=47 μF CE=22 μF RE=2kΩRC=10 kΩ RB1=120 kΩ RB2=18kΩ βF=110 VBEQ=0,7 V
13