Tipos de memoria

TIPOS DE MEMORIAS: Parámetros y características: Capacidad, velocidad, voltaje de

operación. Arquitectura y funcionamiento, tipos de tecnología.

Que es una memoria: es un aparato o un dispositivo capaz de mantener o almacenar un tipo de información, esta información es utilizada para ser almacenada o retenida para cumplir un serie de procesos electrónicos según el dispositivo que la requiera, generalmente es un chip que junto con otros componetes se completa para llevar a cabo su labor, las memorias las encontramos hoy en dia en todos los dispositivos electrónicos sobre todo aquellos que manejen algún tipo de software como neveras, televisores, celulares, dvds, computadores, mp3, etc. Se han vuelto muy importantes en la vida del hombre.

Memorias de en un computador.

Memoria ram:

En ingles que significa ramdom access memory o memoria de acceso aleatorio. Es un tipo de memoria basada en los semiconductores, los avances tecnológicos las han hecho con el pasar de los años dispositivos muy eficientes ya que cada vez mas mejoran sus aspectos como pueden ser: su velocidad, capacidad, tecnología etc. Una de las características mas destacadas de este tipo de memoria es que tiene la capacidad de ser leída o escrita por el microprocesador u otros dispositivos de hardware acoplados al computador es decir es un tipo memoria tanto de lectura como de escritura a diferencia de la ROM que es solo de lectura. También es característica porque esta memoria almacena o carga los procesos que requiera un computador para su buen funcionamiento de una forma temporal, es decir que mientras el computador se encuentre encendido esta puede guardar información necesaria para que el computador complete sus tareas pero una vez que el ordenador se apaga, la memoria es borrada y será nuevamente utilizada cuando el ordenador este otra vez en funcionamiento ha esta característica se le llama volátil es decir la memoria ram es volátil por que cumple este tipo de función.

Para que sirve:

La memoria ram sirve para cargar lo procesos que un procesador necesita para poder manejar la información esta memoria guarda los nuevos datos que se están creando en el ordenador como puede ser mientras se esta escribiendo un archivo de texto, la memoria ram gurda esta información hasta que el usuario decida grabarla en otro dispositivo como el disco duro, memoria flash, CD, etc.

La memoria ram es muy importante, es la intercesora entre la información y el procesador, esta memoria permite que ordenador trabaje más rápido. Si no

hubiera una memoria ram el procesador cuando debería realizar alguna tarea tendría que ingresar a la imforacion del disco duro como puede ser la ejecución de un programa y cuando nesecite otro tipo de información tendría que volver a hacerlo es decir instrucción por instrucción lo que haría muy lento el trabajo del computador porque este proceso hace que el procesamiento de la información sea lento, cuando la memoria ram se invento se descubrió que el procesador podía acceder muchísimo mas rápido a esta memoria que a la del disco duro u otro dispositivo de almacenamiento, por lo tanto el sistema que se maneja es así. La memoria ram carga todas las instrucciones que el procesador debe de hacer una vez que lo hace puede interactuar mas rápido con los programas o información del disco duro es como un atajo que hay entre si lo que hace que el trabajo del ordenador sea mucho mas rápido y eficiente. Eficiente.

TIPOS Y FUNCIONAMIENTO Todas hacen la misma función, pero entre ellas las diferenciamos por el tiempo de acceso y la capacidad, o por el modo como trabajan:

DRAM (Dynamic Random Access Memory): Tipo de memoria de gran capacidad, pero que precisa ser constantemente refrescada (re-energizada) o perdería su contenido.

FPM (Fast Page Mode) DRAM: Este tipo de chip de memoria es una mejora con respecto a la anterior, ya que con ella se logra acceder más rápidamente a la información. Actualmente tecnología ya está obsoleta, viéndose reemplazada por la SDRAM.

EDO (Extended Data Out) DRAM: Es similar a la FPM con una leve modificación. La ventaja principal de la EDO es que mantiene la información disponible por más tiempo, acortando la secuencia de lectura de la memoria. Su funcionamiento es entre un 10% y 20% más rápido que la FPM. Esta tecnología finalizó su producción a fines del año 2000.

SDRAM (Synchronous DRAM) o DRAM Sincrónica: Es el cambio más radical y reciente en tecnologías de memorias, porque la extracción de información está sincronizada con el reloj de la placa base que controla la CPU. Al existir este sincronismo con el procesador, se eliminan en gran medida los tiempos de espera, lo que redunda en un manejo de la información más eficiente. En 1998, SDRAM se convirtió en el estándar de memoria de la mayoría de los ordenadores.

SDRAM II o DDR (Double Date Rate): Es la generación actual de SDRAM. Se basa en el mismo principio de la SDRAM, pero duplica su velocidad de lectura de información.

RDRAM (Rambus Dynamic RAM): Es usada en la industria del entretenimiento, estaciones gráficas y trabajo con video.

Direct RDRAM: Es la tercera generación de Rambus. Se comercializa en módulos RIMM y SORIMM

LA BIOS

El BIOS (Basic Input-Output System) es un sistema básico de entrada/salida que normalmente pasa inadvertido para el usuario final de computadoras. Se encarga de encontrar el sistema operativo y cargarlo en memoria RAM. Posee un componente de hardware y otro de software, este último brinda una interfaz generalmente de texto que permite configurar varias opciones del hardware instalado en la PC, como por ejemplo el reloj, o desde qué dispositivos de almacenamiento iniciará el sistema operativo (Windows, GNU/Linux, Mac OS X, etc.).

El BIOS gestiona al menos el teclado de la PC, proporcionando incluso una salida bastante básica en forma de sonidos por el parlante incorporado al gabinete cuando hay algún error, como por ejemplo un dispositivo que falla o debería ser conectado. Estos mensajes de error son utilizados por los técnicos para encontrar soluciones al momento de armar o reparar un equipo. Basic Input/Output System - Sistema básico de entrada/salida de datos). Programa que reside en la memoria EPROM (Ver Memoria BIOS no-volátil). Es un programa tipo firmware. La BIOS es una parte esencial del hardware que es totalmente configurable y es donde se controlan los procesos del flujo de información en el bus del ordenador, entre el sistema operativo y los demás periféricos. También incluye la configuración de aspectos importantísimos de la máquina.

Memoria rom: (read only memory) memoria de solo lectura: Esta solada o conectada a la placa madre es una clase de medio de almacenamiento utilizado en los ordenadores y otros dispositivos electrónicos. Los datos almacenados en la ROM no se puede modificar -al menos no de manera rápida o fácil- y se utiliza principalmente para contener el firmware (software que está estrechamente ligada a hardware específico, y es poco probable que requieren actualizaciones frecuentes).

En la memoria ROM se guarda la información que es necesario conocer para la puesta en marcha del ordenador. La ROM interviene de forma casi exclusiva en el proceso de arranque o encendido del equipo. Durante este proceso se realiza un pequeño test en el que se comprueba que todos los periféricos están conectados correctamente y que no hay ningún problema en ellos. Si todo es correcto, se da paso a la carga del sistema operativo, en caso contrario, se muestra

un mensaje de error en pantalla y una serie de pitidos avisan del tipo de error encontrado.

Caracteristica: Esta memoria en un computador contiene el programa del bios, que es importante para el reconocimiento de dispositivos, antiguamente los ordenadores manejaban su sistema operativo en la memoria romsi este se queria actualizar habia que remplazar la rom por otra, esto se hacia asi tubieran la capacidad de tener discos de almacenamiento masivo como los discos duros ya que inicialmente la memoria rom era mucho mas facil y rapida de leer para el procesador esta tiene que primero cargar su imformacion en la memoria ram para luego ser ejecutada por el procesador. Las memorias rom las encontramos en la mayoria de dispositivos electrónicos tales como, celulares, equipos de sonido, televisores etc, a estas se les atribuye el sistem operativo que se le denomina firmaware. Auque tambien estos dispositivos tiene sus sistema en memorias tipo flash. El contenido de estas memorias no es vaciado cuando se apaga el ordenador por lo tanto no es una memoria volátil, Un claro ejemplo de memorias rom los encotramos en videojueos como el nintendo 64, game boy, supernintento, sega. Estos requieren la introducción de un cartucho que es una memoria rom que contiene la información necesaria para ejecutar el juego. Tipos de memoria rom:

PROM (Programmable Read-Only Memory): Memoria inicialmente vacía que sólo permite una única grabación. Para grabar en ella es necesario disponer de un dispositivo especial, llamado programador PROM. La escritura en la memoria PROM se hace fundiendo sus fusibles, este es el motivo por el que se puede grabar en ella una única vez.

Las podemos encontrar en dispositivos que tengan memorias de funciones en ese caso esas serian las memorias prom. Su estado del fusible siempre esta en 1 bit y cuando son grabadas pasan a 0.

EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory): Similar a la anterior, pero permite múltiples grabaciones. Para escribir datos en ella es necesario disponer de un programador EPROM y para vaciarla es necesario exponerla a una luz ultravioleta.

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son las siglas de Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM programable borrable de sólo lectura). Es un tipo de chip de memoria ROM no volátil inventado por el ingeniero Dov Frohman. Está formada por celdas de FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) o transistores de puerta flotante, cada uno de los cuales viene de fábrica sin carga, por lo que son leídos como 0 (por eso, una EPROM sin grabar se lee como 00 en todas sus celdas). Se programan mediante un dispositivo electrónico que proporciona voltajes superiores a los normalmente utilizados en los circuitos electrónicos. Las celdas que reciben carga se leen entonces como un 1.

Una vez programada, una EPROM se puede borrar solamente mediante exposición a una fuerte luz ultravioleta. Esto es debido a que los fotones de la luz excitan a los electrones de las celdas provocando que se descarguen. Las EPROMs se reconocen fácilmente por una ventana transparente en la parte alta del encapsulado, a través de la cual se puede ver el chip de silicio y que admite la luz ultravioleta durante el borrado.

Como el cuarzo de la ventana es caro de fabricar, se introdujeron los chips OTP (One-Time Programmable, programables una sola vez). La única diferencia con la EPROM es la ausencia de la ventana de cuarzo, por lo que no puede ser borrada. Las versiones OTP se fabrican para sustituir tanto a las EPROMs normales como a las EPROMs incluidas en algunos microcontroladores. Estas últimas fueron siendo sustituidas progresivamente por EEPROMs (para fabricación de pequeñas cantidades donde el coste no es lo importante) y por memoria flash (en las de mayor utilización).

Una EPROM programada retiene sus datos durante diez o veinte años, y se puede leer un número ilimitado de veces. Para evitar el borrado accidental por la luz del sol, la ventana de borrado debe permanecer cubierta. Los antiguos BIOS de los ordenadores personales eran frecuentemente EPROMs y la ventana de borrado estaba habitualmente cubierta por una etiqueta que contenía el nombre del productor del BIOS, su revisión y una advertencia de copyright.

Esta memoria puede mantener esta carga durante 20 años

Con capacidad de 2 kbits 128kbits 2mb

1.8 voltios

Con una velocidad de transferencia de 400kbit por segundo con interface de 8bits

Programador eprom Reseteador eprom

EEPROM (Electrically Erasable Read-Only Memory): Al igual que la EPROM permite múltiples grabaciones. La diferencia entre amabas radica en que esta puede ser borrada aplicando simplemente una carga eléctrica, por lo que no es necesario sacarla del ordenador.

son las siglas de Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM programable y borrable eléctricamente). Es un tipo de memoria ROM que puede ser programado, borrado y reprogramado eléctricamente, a diferencia de la EPROM que ha de borrarse mediante un aparato que emite rayos ultravioletas. Son memorias no volátiles.

Las celdas de memoria de una EPROM están constituidas por un transistor MOS, que tiene una compuerta flotante, su estado normal esta cortado y la salida proporciona un 1 lógico.

Aunque una EEPROM puede ser leída un número ilimitado de veces, sólo puede ser borrada y reprogramada entre 100.000 y un millón de veces.

Estos dispositivos suelen comunicarse mediante protocolos como I²C, SPI y Microwire. En otras ocasiones, se integra dentro de chips como microcontroladores y DSPs para lograr una mayor rapidez.

Estas son tipos de comunicación en bus diseñado principalenntte para la comunicación intercambio de datos entre los microcontroladores y sistemas electronicos.

EEPROM presente en una memoria RAM ddr2

La memoria flash es una forma avanzada de EEPROM creada por el Dr. Fujio Masuoka mientras trabajaba para Toshiba en 1984 y fue presentada en la Reunión de Aparatos Electrónicos de la IEEE de 1984. Intel vio el potencial de la invención y en 1988 lanzó el primer chip comercial de tipo NOR.

Con capacidades de 256kbit 4mb 8mb 32mb 64mb 128mb interfaz de 8bits y 16bits

Consumos de 1.8 a 5 v

Velocida de 3kbits hasta 3.2mbits

MEMORIA FLASH:

Subtipo mejorado de memoria EEPROM.

Programador eeprom

EEPROM en placa electrónica

es una forma desarrollada de la memoria EEPROM que permite que múltiples posiciones de memoria sean escritas o borradas en una misma operación de programación mediante iado tarjetas de hasta 32 GB (32 GiB) por parte de la empresa Panasonic en formato SDpo de memorias similares como EEPROM y ofrece rendimientos y características muy superiores. Económicamente hablando, el precio en el mercado ronda los 13 € para dispositivos con 4 GB de almacenamiento, aunque, evidentemente, se pueden encontrar dispositivos exclusivamente de almacenamiento de unos pocos MB por precios realmente bajos, estos en extinción, y de hasta 600 € para la gama más alta y de mayores prestaciones. No obstante, el coste por MB en los discos duros son muy inferiores a los que ofrece la memoria flash y, además los discos duros tienen una capacidad muy superior a la de las memorias flash.

Ofrecen, además, características como gran resistencia a los golpes, bajo consumo y es muy silencioso, ya que no contiene ni actuadores mecánicos ni partes móviles. Su pequeño tamaño también es un factor determinante a la hora de escoger para un dispositivo portátil, así como su ligereza y versatilidad para todos los usos hacia los que está orientado.

Sin embargo, todos los tipos de memoria flash sólo permiten un número limitado de escrituras y borrados, generalmente entre 10.000 y un millón, dependiendo de la celda, de la precisión del proceso de fabricación y del voltaje necesario para su borrado.

Este tipo de memoria está fabricado con puertas lógicas NOR y NAND para almacenar los 0’s ó 1’s correspondientes. Actualmente (08-08-2005) hay una gran división entre los fabricantes de un tipo u otro, especialmente a la hora de elegir un sistema de archivos para estas memorias. Sin embargo se comienzan a desarrollar memorias basadas en ORNAND.

Los sistemas de archivos para estas memorias están en pleno desarrollo aunque ya en funcionamiento como por ejemplo JFFS originalmente para NOR, evolucionado a JFFS2 para soportar además NAND o YAFFS, ya en su segunda versión, para NAND. Sin embargo, en la práctica se emplea un sistema de archivos FAT por compatibilidad, sobre todo en las tarjetas de memoria extraíble.

Otra característica de reciente aparición (30-9-2004) ha sido la resistencia térmica de algunos encapsulados de tarjetas de memoria orientadas a las cámaras digitales de gama alta. Esto permite funcionar en condiciones extremas de temperatura como desiertos o glaciares ya que el rango de temperaturas soportado abarca desde los -25 ºC hasta los 85 ºC.

Las aplicaciones más habituales son:

El llavero USB que, además del almacenamiento, suelen incluir otros servicios como radio FM, grabación de voz y, sobre todo como reproductores portátiles de MP3 y otros formatos de audio.

Las PC Card Las tarjetas de memoria flash que son el sustituto del carrete en la fotografía

digital, ya que en las mismas se almacenan las fotos.

Existen varios estándares de encapsulados promocionados y fabricados por la mayoría de las multinacionales dedicadas a la producción de hardware.

Funcionamiento

Flash, como tipo de EEPROM que es, contiene un arreglo de celdas con un transistor evolucionado con dos puertas en cada intersección. Tradicionalmente sólo almacenan un bit de información. Las nuevas memorias flash, llamadas también dispositivos de celdas multi-nivel, pueden almacenar más de un bit por celda variando el número de electrones que almacenan.

Estas memorias están basadas en el transistor FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal Oxide Semiconductor) que es, esencialmente, un transistor NMOS con un conductor (basado en un óxido metálico) adicional entre la puerta de control (CG – Control Gate) y los terminales fuente/drenador contenidos en otra puerta (FG – Floating Gate) o bien que rodea a FG y es quien contiene los electrones que almacenan la información.

Memoria flash de tipo NOR

En las memorias flash de tipo NOR, cuando los electrones se encuentran en FG, modifican (prácticamente anulan) el campo eléctrico que generaría CG en caso de estar activo. De esta forma, dependiendo de si la celda está a 1 ó a 0, el campo eléctrico de la celda existe o no. Entonces, cuando se lee la celda poniendo un determinado voltaje en CG, la corriente eléctrica fluye o no en función del voltaje almacenado en la celda. La presencia/ausencia de corriente se detecta e interpreta como un 1 ó un 0, reproduciendo así el dato almacenado. En los dispositivos de celda multi-nivel, se detecta la intensidad de la corriente para controlar el número de electrones almacenados en FG e interpretarlos adecuadamente.

Para programar una celda de tipo NOR (asignar un valor determinado) se permite el paso de la corriente desde el terminal fuente al terminal sumidero, entonces se coloca en CG un voltaje alto para absorber los electrones y retenerlos en el campo eléctrico que genera. Este proceso se llama hot-electrón injection. Para borrar (poner a “1”, el estado

natural del transistor) el contenido de una celda, expulsar estos electrones, se emplea la técnica de Fowler-Nordheim tunnelling, un proceso de tunelado mecánico – cuántico. Esto es, aplicar un voltaje inverso bastante alto al empleado para atraer a los electrones, convirtiendo al transistor en una pistola de electrones que permite, abriendo el terminal sumidero, que los electrones abandonen el mismo. Este proceso es el que provoca el deterioro de las celdas, al aplicar sobre un conductor tan delgado un voltaje tan alto.

Es necesario destacar que las memorias flash están subdivididas en bloques (en ocasiones llamados sectores) y por lo tanto, para el borrado, se limpian bloques enteros para agilizar el proceso, ya que es la parte más lenta del proceso. Por esta razón, las memorias flash son mucho más rápidas que las EEPROM convencionales, ya que borran byte a byte. No obstante, para reescribir un dato es necesario limpiar el bloque primero para después reescribir su contenido.

Memorias flash de tipo NAND

Las memorias flash basadas en puertas lógicas NAND funcionan de forma ligeramente diferente: usan un túnel de inyección para la escritura y para el borrado un túnel de ‘soltado’. Las memorias basadas en NAND tienen, además de la evidente base en otro tipo de puertas, un coste bastante inferior, unas diez veces de más resistencia a las operaciones pero sólo permiten acceso secuencial (más orientado a dispositivos de almacenamiento masivo), frente a las memorias flash basadas en NOR que permiten lectura de acceso aleatorio. Sin embargo, han sido las NAND las que han permitido la expansión de este tipo de memoria, ya que el mecanismo de borrado es más sencillo (aunque también se borre por bloques) lo que ha proporcionado una base más rentable para la creación de dispositivos de tipo tarjeta de memoria. Las populares memorias USB o también llamadas Pendrives, utilizan memorias flash de tipo NAND.

Comparación de memorias flash basadas en NOR y NAND:

Para comparar estos tipos de memoria se consideran los diferentes aspectos de las memorias tradicionalmente valorados.

La densidad de almacenamiento de los chips es actualmente bastante mayor en las memorias NAND.

El coste de NOR es mucho mayor. El acceso NOR es aleatorio para lectura y orientado a bloques para su

modificación. Sin embargo, NAND ofrece tan solo acceso directo para los bloques y lectura secuencial dentro de los mismos.

En la escritura de NOR podemos llegar a modificar un solo bit. Esto destaca con la limitada reprogramación de las NAND que deben modificar bloques o palabras completas.

La velocidad de lectura es muy superior en NOR (50-100 ns) frente a NAND (10 µs de la búsqueda de la página + 50 ns por byte).

La velocidad de escritura para NOR es de 5 µs por byte frente a 200 µs por página en NAND.

La velocidad de borrado para NOR es de 1 s por bloque de 64 KB frente a los 2 ms por bloque de 16 KB en NAND.

La fiabilidad de los dispositivos basados en NOR es realmente muy alta, es relativamente inmune a la corrupción de datos y tampoco tiene bloques erróneos frente a la escasa fiabilidad de los sistemas NAND que requieren corrección de datos y existe la posibilidad de que queden bloques marcados como erróneos e inservibles.

En resumen, los sistemas basados en NAND son más baratos y rápidos pero carecen de una fiabilidad que los haga eficientes, lo que demuestra la necesidad imperiosa de un buen sistema de archivos. Dependiendo de qué sea lo que se busque, merecerá la pena decantarse por uno u otro tipo.

Tipos de tecnologías:

Existen dos tipos de memorias ram:

Memoria RAM estática o Sram :

Es un tipo de memoria que mantiene sus datos sin necesidad de refresco es una memoria costosa , se estima que es mas costosa que que la dram en una proporción de byte a byte, algunas veces consume mucho menos energía, esta memoria es utilizada , existen muchos tipos de memorias Sram las podemos encontrar en portátiles, automóviles, celulares, Reuters, esta meoria no es utilizada como memoria principal del sistema, se utiliza como cache que viene siendo un componente del procesador, este tipo de memorias puede ser volátiles o no volátiles, según el dispositivo que la requiera. as SRAM solo necesitan tres buses de control: Chip Enable (CE), Write Enable (WE), y Output Enalbe (OE). Esta memoria en estructura en mucho mas grande que un memoria dram ya que necesita muchos transistores por eso nunca se encuentra un Sram De 1gb es un tamaño muy exagerado y requiere mucha performance cuando se habla de memoria Sram, se debe referir a valores en kbits aunque ese termino esta cambiando

gracias a que hoy día una de las memorias Sram con mas capacidad es la cache del procesador core i7 que tiene 8mb dividida en 3 canales L1,L2,L3 por lo tanto es muy eficiente.

Memoria Cache o RAM Cache

Un cache es un sistema especial de almacenamiento de alta velocidad. Puede ser tanto un área reservada de la memoria principal como un dispositivo de almacenamiento de alta velocidad independiente. Hay dos tipos de cache frecuentemente usados en las computadoras personales: memoria cache y cache de disco. Una memoria cache, llamada también a veces almacenamiento cache o RAM cache, es una parte de memoria RAM estática de alta velocidad (SRAM) más que la lenta y barata RAM dinámica (DRAM) usada como memoria principal. La memoria cache es efectiva dado que los programas acceden una y otra vez a los mismos datos o instrucciones. Guardando esta información en SRAM, la computadora evita acceder a la lenta DRAM.

Cuando un dato es encontrado en la cache, se dice que se ha producido un impacto (hit), siendo un cache juzgado por su tasa de impactos (hit rate). Los sistemas de memoria cache usan una tecnología conocida por cache inteligente en el cual el sistema puede reconocer cierto tipo de datos usados frecuentemente. Las estrategias para determinar qué información debe de ser puesta en el cache constituyen uno de los problemas más interesantes en la ciencia de las computadoras. Algunas memorias cache están construidas en la arquitectura de los microprocesadores. Por ejemplo, el procesador Pentium II tiene una cache L2 de 512 Kbytes.

Celda de las memorias sram

El cache de disco trabaja sobre los mismos principios que la memoria cache, pero en lugar de usar SRAM de alta velocidad, usa la convencional memoria principal. Los datos más recientes del disco duro a los que se ha accedido (así como los sectores adyacentes) se almacenan en un buffer de memoria. Cuando el programa necesita acceder a datos del disco, lo primero que comprueba es la cache del disco para ver si los datos ya están ahí. La cache de disco puede mejorar drásticamente el rendimiento de las aplicaciones, dado que acceder a un byte de datos en RAM puede ser miles de veces más rápido que acceder a un byte del disco duro

Memoria RAM dinámica DRAM: es un tipo de memoria que se utiliza en los módulos de memorias RAM o como memoria principal de sistema es la mas conocida de todas se le llama dinámica porque para revisar un dato se requiere revisar todos los anteriores cada cierto tiempo es decir en un ciclo de refresco. Esta memoria tiene la ventaja de que se fabrica con una gran densidad o gran capacidad, esta se invento en los laboratorios IBM esta compuesta de un transistor y un condensador por cada celda , a diferencia de Sram Que tiene 6 transistores o mas en cada una es una memoria que al principio se consideraba lenta, los primeros modelos de memorias RAM para la unidad del sistema contaban con un bus muy pequeño lo que hacia que fueran muy lentas, hoy en día ese termino a cambiado, en si la memoria DRAM. es lenta porque tiene que refrescarse cada rato pero los buses de transmisión actuales han hecho de que los usuarios no les presten tanto atención a su lentitud ya que a pesar de ser DRAM son muy rápidas y su necesidad y eficiencia la vamos a seguir necesitando en nuestros computadores.

Procesador Intel core i7 con cache de 8 Mb en L1,L2,L3

Memorias Dinámicas Celdas de una memoria dinámica

Estos tipos de memorias pueden ser sincronizadas o a asíncronas: Memorias sincronizadas: Son aquellas que funcionan sincronizadamente con la frecuencia del procesador lo que hace que halla un bus mas alto y estable. Es la mejor combinación y es la que se esta tratando actualmente en las configuración por defecto de la BIOS del los sistemas modernos Memorias asíncronas: quiere decir que no van sincronizadas con la memoria del procesador es decir que la frecuencia del procesador va a una velocidad y la memoria ram a otro velocidad, esta característica la tenían los chipset de las tarjetas madres viejas , que tenían este tipo configuración por defecto, mucha gente con conocimiento sabia que esta no era lo mejor por lo tanto cambiaban la configuración manualmente esto había que hacerlo cada vez que se reiniciara la BIOS, SDR SDRAM (del inglés, Single Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory,

Es una memoria dinámica de acceso síncrono de tasa de datos simple Se comercializó en módulos de 32, 64, 128, 256 y 512 MiB, y con frecuencias de reloj que oscilaban entre los 66 y los 133 MHz. Se popularizaron con el nombre de SDRAM (muy poca gente sabía entonces que lo 'correcto' era decir SDR), de modo que cuando aparecieron las DDR SDRAM, los nombres 'populares' de los dos tipos de tecnologías fueron SDRAM y DDR, aunque las memorias DDR también son SDRAM.

Para funcionar a toda su velocidad, una memoria SDR requiere una caché con velocidad suficiente como para no desperdiciar su potencial.

DDR (Double Data Rate) significa doble tasa de transferencia de datos en español. Son módulos de memoria RAM compuestos por memorias síncronas (SDRAM), disponibles en encapsulado DIMM, que permite la transferencia de datos por dos canales distintos simultáneamente en un mismo ciclo de reloj. Los módulos DDR soportan una capacidad máxima de 3 GiB.

Fueron primero adoptadas en sistemas equipados con procesadores AMD Athlon. Intel con su Pentium 4 en un principio utilizó únicamente memorias RAMBUS, más costosas. Ante el avance en ventas y buen rendimiento de los sistemas AMD basados en DDR SDRAM, Intel se vio obligado a cambiar su estrategia y utilizar memoria DDR, lo que le permitió competir en precio. Son compatibles con los procesadores de Intel Pentium 4 que disponen de un Front Side Bus (FSB) de 64 bits de datos y frecuencias de reloj desde 200 a 400 MHz.

Memoria ddr

También se utiliza la nomenclatura PC1600 a PC4800, ya que pueden transferir un volumen de información de 8 bytes en cada ciclo de reloj a las frecuencias descritas.

Un ejemplo de calculo para PC-1600: 100 MHz x 2 Datos por Ciclo x 8 B = 1600 MiB/s

Muchas placas base permiten utilizar estas memorias en dos modos de trabajo distintos:

Single Memory Channel: Todos los módulos de memoria intercambian información con el bus a través de un sólo canal, para ello sólo es necesario introducir todos los módulos DIMM en el mismo banco de slots.

Dual Memory Channel: Se reparten los módulos de memoria entre los dos bancos de slots diferenciados en la placa base, y pueden intercambiar datos con el bus a través de dos canales simultáneos, uno para cada banco.

RDRAM:

La RDRAM es un tipo de memoria síncrona, conocida como Rambus DRAM. Éste es un tipo de memoria de siguiente generación a la DRAM en la que se ha rediseñado la DRAM desde la base pensando en cómo se debería integrar en un sistema.

El modo de funcionar de estas memorias es diferente a las DRAM, cambios producidos en una serie de decisiones de diseño que no buscan solo proporcionar un alto ancho de banda, sino que también solucionan los problemas de granularidad y número de pins. Este tipo de memoria se utilizó en el sistema de videojuegos Nintendo 64 de Nintendo y otros aparatos de posterior salida.

Single Memory Channel Dual Memory Channel

Características RDRAM:

Una de las características más destacable dentro de las RDRAM es que su ancho de palabra es de tan sólo 16 bits comparado con los 64 a los que trabajan las SDRAM, y también trabaja a una velocidad mucho mayor, llegando hasta los 400Mhz. Al trabajar en flancos11111 positivos y negativos, se puede decir que puede alcanzar unos 800 Mhz virtuales o equivalentes, este conjunto le da un amplio ancho de banda. Posteriormente nos encontramos que la frecuencia principal de las RDRAM es de 1200 Mhz, la configuración del módulo RIMM 4800 que incorpora dos canales RDRAM separados a 1200 Mhz en un solo módulo. Además, han pasado de RIMMs de los 16 bits a conseguir módulos de 32 y 64 bits.

RIMM, acrónimo de Rambus Inline Memory Module, designa a los módulos de memoria RAM que utilizan una tecnología denominada RDRAM, desarrollada por Rambus Inc. a mediados de los años 1990 con el fin de introducir un módulo de memoria con niveles de rendimiento muy superiores a los módulos de memoria SDRAM de 100 Mhz y 133 Mhz disponibles en aquellos años.

Los módulos RIMM RDRAM cuentan con 184 pins y debido a sus altas frecuencias de trabajo requieren de difusores de calor consistentes en una placa metálica que recubre los chips del módulo. Se basan en un bus de datos de 16 bits y están disponibles en velocidades de 300MHz (PC-600), 356 Mhz (PC-700), 400 Mhz (PC-800) y 533 Mhz (PC-1066) que por su pobre bus de 16 bits tenía un rendimiento 4 veces menor que la DDR. La RIMM de 533MHz tiene un rendimiento similar al de un módulo DDR133, a pesar de que sus latencias son 10 veces peores que la DDR.

Inicialmente los módulos RIMM fueron introducidos para su uso en servidores basados en Intel Pentium III. Rambus no manufactura módulos RIMM si no que tiene un sistema de licencias para que estos sean manufacturados por terceros siendo Samsung el principal fabricante de éstos.

A pesar de tener la tecnología RDRAM niveles de rendimiento muy superiores a la tecnología SDRAM y las primeras generaciones de DDR RAM, debido al alto costo de esta tecnología no han tenido gran aceptación en el mercado de PC. Su momento álgido tuvo lugar durante el periodo de introducción del Pentium 4 para el cual se diseñaron las primeras placas base, pero Intel ante la necesidad de lanzar equipos más económicos decidió lanzar placas base con soporte para SDRAM y más adelante para DDR RAM desplazando esta última tecnología a los módulos RIMM del mercado.

PC600: 16-bit, single channel RIMM, specified to operate at 300 MHz clock rate, 1200 MB/s bandwidth



PC1066 (RIMM 2100): 16-bit, single channel RIMM specified to operate at 533

MHz clock rate, 2133 MB/s bandwidth PC1200 (RIMM 2400): 16-bit, single channel RIMM specified to operate at 600

MHz clock rate, 2400 MB/s bandwidth RIMM 3200: 32-bit, dual channel RIMM specified to operate at 400 MHz clock

rate, 3200 MB/s bandwidth RIMM 4200: 32-bit, dual channel RIMM specified to operate at 533 MHz clock



rate, 6400 MB/s bandwidth

FB-DIMM ddr2

La memoria FB-DIMM (Fully-Buffered Dual Inline Memory Module) es una variante de las memorias DDR2, diseñadas para aplicarlas en servidores, donde se requiere un transporte de datos rápido, efectivo, y coordinado.

La memoria FB-DIMM combina la arquitectura interna de gran velocidad de la memoria DDR2, con una interfaz de memoria en serie punto a punto que une cada módulo FB-DIMM como en una cadena.

La interfaz de la memoria serial FB-DIMM

Las memorias de módulos convencionales usan una conexión paralela, en cual en cada canal de memoria el módulo del mismo tiene unos enlaces separados a ese canal y al controlador de memoria. Con grandes concentraciones de memoria, estas conexiones pueden sobrecargar la capacidad del controlador de memoria, provocando errores y retrasos en el flujo de información.

Este problema tiende a negar el beneficio de memorias de mayor velocidad, mientras más rápido se inunde de información el canal, más errores van a ocurrir. Lo que nos conduce entre, poca cantidad de memorias rápidas, veloces, o más cantidad de memorias lentas, menos veloces, memoria más efectiva, cualquiera de las opciones es ideal para las aplicaciones de los servidores modernos.

La memorias FB-DIMM usa pistas de memorias serial bi-direccionales las cuales pasan por cada módulo de memoria, en vez de tener pistas individuales que mandan datos a cada módulo. Similar a las PCI Express (otra tecnología serie moderna), FB-DIMM transmite los datos a la memoria en paquetes, controlados de forma precisa por un integrado AMB (Advanced Memory Buffer) que se encuentra en cada módulo FB-DIMM.

Cada canal de FB-DIMM puede contener hasta 8 (ocho) módulos FB-DIMM, y la arquitectura actual admite hasta 6 (seis) canales por cada controlador de memoria. Tiene una fuente de datos en lo que a controlador de memoria concierne, y todos los datos llegan en paquetes de manera ordenada, errores y señales de interferencia no son más un problema.

Un controlador de memoria, convencional, requiere 240 “trace lines” dedicados por canal, pero el controlador de memoria de FB-DIMM requiere solo 70, reduciendo los circuitos complejos y haciendo que sea más fácil añadir canales de FB-DIMM adicionales. Similar al efecto de simplificación que Hypertransport y PCI Express han tenido en el diseño de la placa madre.

En memorias convencionales, a más alto sea la crecida de densidad de memoria, más errores de desgaste de tiempo y señal ocurren. En cambio, en FB-DIMM, la tecnología de bus serial de datos niega este problema al proveerle de una única ruta de información de todos los módulos en un canal, y coordinando la información, los datos, mediante chips AMB que se encuentran en cada módulo de memoria FB-DIMM.

INSTALACION DE MEMORIAS MERORIA SIMM DE 30 CONTACTOS Muesca 30 contactos Lado liso

Memorias fb ddr2 con blindaje metálico

ZOCALO SIMM DE 30 CONTACTOS MEMORIA SIMM DE 72 CONTACTOS Muesca 36 + 36 = 72 pines Por un solo lado Una ranura Lado liso

ZOCALO SIMM DE 72 CONTACTOS MEMORIAS DIMM Muesca Dos particiones 168 contactos o pines Es una memoria que se caracteriza por tener 168 contactos, pueden ser de dos tipos de tecnología BUFFERED y UNBEFFERED, los cuales varían dependiendo de las distintas tecnologías y también su requerimiento de alimentación, por ejemplo una DIMM trabaja con una tensione de 3,3 Vcc o 5Vcc dependiendo de su tipo. ZOCALO DE MEMORIA DIMM

COMO INTERPRETAR LAS RANURAS BUFFERED La ranura indicadora de la arquitectura se encuentra al centro de los contactos 10 y 11 y la ranura del indicador de tensión se encuentra a la izquierda junto al contacto 40 y alejado del 41. Esto nos indica que este es un DIMM BUFFERED de 5V.

La ranura de arquitectura se encuentra al centro de los pines 10 y 11, y la ranura de la indicación de la tensión se encuentra al centro de los contactos 40 y 41. Esto nos indica que este es un DIMM BUFFERED de 3.3V.

La ranura de arquitectura esta al centro de los contactos 10 y 11 lo cual indica que es BUFFERED. El de tensión se encuentra alejado del contacto 40 y junto al contacto 41 y esto nos indica que carece de importancia la tensión de alimentación. Por lo expuesto podemos decir que este es un DIMM BUFFERED de X,X V. Donde X,X significa que la tensión carece de importancia. COMO INTERPRETAR LAS RANURAS UNBUFFERED

Ahora podemos notar que la ranura de arquitectura no se encuentra al centro de los pines 10 y 11 sino que esta alejado del contacto 10 y junto al contacto 11 es decir a la derecha del centro y esto nos indica que el tipo de memoria es UNBUFFERED. Como la ranura de indicación de tensión se encuentra a la izquierda del centro, es decir, junto al contacto 40 y alejado del 41 podemos decir que es de 5V. Entonces por lo anteriormente dicho podemos decir que este es un DIMM UNBUFFERED de 5V.

Podemos notar nuevamente que la ranura de arquitectura se encuentra a la derecha y la de tensión al centro por lo cual inferimos que es un DIMM UNBUFFERED de 3,3V.

Tenemos el indicador de la arquitectura a la derecha del centro contra el contacto 11 lo que indica que es UNBUFFERED y la ranura de alimentación a la derecha del centro junto al contacto 41 con lo cual que el valor de la tensión de alimentación es indistinto, por lo tanto este es un DIMM UNBUFFERED de X,X V. Donde X,X indica que la tensión carece de importancia. En conclusión podemos afirmar que una memoria DIMM es BUFFERED cuando su arquitectura se encuentra en el medio de los contactos 10 y 11, y es una memoria DIMM UNBUFFERED cuando su arquitectura no se encuentra en medio de los pines 10 y 11 sino que esta alejado del contacto 10 y junto al contacto 11, dependiendo de su tecnología varia su voltaje. DIMM BUFFERED

DIMM UNBUFFERED

MEMORIAS DIMM DDR DE 184 CONTACTOS Este tipo de memoria tiene 184 contactos, es decir 92 por lado pero el tamaño físico es el mismo y por lo tanto los contactos son más pequeños. De todos modos no debemos preocuparnos por instalar un DDR en un zócalo de DIMM o al revés, debido ya que el DIMM SDRAM tiene 2 ranuras y el DDR tiene una y desplazada del centro hacia la derecha, el otro punto que debemos mencionar es que la tensión de alimentación es de 2,5 o 1,8 Voltios, otra característica es La doble traba de ranura, nos permite insertar estos DDR en zócalos de simple o doble altura.

ZOCALO DE DIMM DDR COMO INTERPRETAMOS RANURAS EN DDR En las memorias DDR las ranuras se utilizan para determinar la tensión de alimentación de los módulos. Solo existen dos versiones, una de 2.5 Voltios y otra de 1,8 Voltios, también se reservó una tercera versión para futuras aplicaciones y que se identifica por su sigla en ingles TDB (To Be Develop – A Ser Desarrollado). Las figuras siguientes nos muestran los distintos posicionamientos de las ranuras (izquierda, centro o derecha) respecto del centro formado entre los contactos 52 y 53.

LECTURA DE LAS INDICACIONES DE UNA MEMORIA RIMM Cont.1 ranuras de posicionamiento Cont. 47 Cont.92 Cont. 46 Antes de comenzar a explicar como se leen las ranuras, debemos mencionar que el tamaño de de estos módulos es igual al de un DIMM, pero con la diferencia que poseen 184 contactos (92 por lado), igual que en las DDR pero con distinta distribución física y tienen 2 ranuras de posicionamiento. Una característica distintiva y mucho más llamativa, es que se presentan con una cubierta metálica que oficia de disipador térmico, ya que desarrollan mas calor que el resto de las memorias y de esta forma cambiando la vista tradicional de los módulos. En la imagen anterior podemos observar una memoria con el

disipador térmico montado y en la figura de la parte de abajo una vista de la misma memoria sin el disipador térmico, donde podemos ver la disposición tradicional de los chips. Debemos mencionar que si bien en la actualidad los módulos RIMM funcionan a 2,5Volts, ya se encuentra en el diseño, la forma que deberán tener los próximos módulos, que trabajen con otras tensiones. Por ese motivo incluimos esta información. Como podemos apreciar en la figura de la parte de arriba, para poder diferenciar las distintas tensiones de alimentación que tendrán los RIMM, solo debemos tomar como referencia la separación entre las ranuras de posicionamiento, tomando la medida entre sus centros. El primer ejemplo es una memoria de 2.5 Voltios (la única disponible en la actualidad) que tiene una distancia entre ranuras de 11.50 milímetros, para los otros ejemplos la metodología es la misma. Aun no se ha especificado que tensión tendrán los próximos RIMM, pero ya están normalizadas las distancias que hay entre las ranuras de posicionamiento como podemos ver en los dos últimos ejemplos de la figura.

INSTALACIÓN DE MÓDULOS DIMM, DDR Y RIMM Como hemos observado estos tres módulos tiene mucho en común con respecto a sus contactos, pero como vimos es imposible colocar un módulo de una tecnología en otra debido a que las ranuras de posicionamiento no coinciden. En la figura podemos ver procedimiento de extracción de un módulo de memoria, comenzando por abrir las trabas que lo sujeta (1) y luego retirar el módulo tirando hacia arriba (2).

Para insertar los módulos de memoria podemos ver en la figura de la parte de arriba el siguiente procedimiento, debemos verificar previamente que las trabas que tiene el zócalo estén abiertas (1), luego debemos observar el zócalo para tomar referencia de donde se encuentran las ranuras de posicionamiento y hacerlas coincidir con nuestro zócalo (2), luego de esta verificación podemos insertar el módulo (3) deslizándolo verticalmente hasta que haga tope con el fondo del zócalo, como último paso y sirviendo de verificación del procedimiento de inserción, las trabas laterales deberán quedar perfectamente cerradas (4).

Los soportes son SIMM (Single Inline Memory Module) ó DIMM (Double Inline Module Memory). Los módulos SIMM tienen 30 ó 72 contactos (los contactos son esas conexiones eléctricas que tienen en un borde). En cambio, los módulos DIMM son más modernos y tienen 168 o 184 contactos.

En este manual hablaremos fundamentalmente de las memorias con soporte DIMM, ya que son las más usadas desde hace años. Dentro de las memorias con soporte DIMM tenemos 2 tipos bien diferenciados, las SDRAM “normales” y las DDR SDRAM.

Las SDRAM normales tienen 168 contactos, los primeros módulos se comercializaban a 66MHz de velocidad, luego surgieron los de 100 y 133MHz, que son prácticamente los únicos que se emplean en SDRAM, actualmente sólo se encuentran fácilmente los SDRAM de 133MHz.

Las DDR SDRAM son comúnmente conocidas como DDR, similares a las anteriores pero tienen 184 contactos y mejores prestaciones. Las más comunes son:

- DDR266 (PC2100): Frecuencia de trabajo de 266 MHz y transferencia de datos de 2,1 GB/s.

- DDR333 (PC2700): 333 MHz y 2,7 GB/s

- DDR400 (PC3200): 400 MHz y 3,2 GB/s

- DDR533 (PC4200): 533 MHz y 4,2 GB/s

Se puede ver claramente que, a mayor frecuencia (MHz), se pueden conseguir mayores velocidades de transferencia de datos, lo cual se transmite en mayor velocidad de funcionamiento del sistema.

Las siglas DDR vienen de "Double Data Rate" y significan "Doble Tasa de Datos", esto indica que la memoria es capaz de procesador el doble de datos por cada ciclo de reloj. Por eso se dice que una memoria DDR con 133MHz trabaja como si fuera a 266MHz, ahí se ve esa doble capacidad de trabajo.

¿Qué memoria tengo que instalar en mi ordenador si quiero ampliar?

Esto depende de las capacidades de la placa base. Lo ideal es acudir al manual de la placa (un librito que nos debieron entregar al comprar el ordenador) y verificar las características. Ahí pondrá qué tipo de memorias se deben poner y de qué velocidad.

Si no estamos seguros se debe acudir a una tienda de informática o a un especialista para que nos asesore.

Si ya sabemos qué memoria vamos a poner y la tenemos en mano, sólo nos queda el proceso físico de su inserción; también podemos seguir estos pasos si únicamente queremos ver la memoria que ya hay puesta.

* Materiales necesarios: Un simple destornillador de estrella.

Lo primero que debemos hacer es apagar el ordenador y abrir la torre, esto es una operación muy sencilla y que se debe repetir cada vez que queramos manipular un componente de su interior, no sólo la memoria. Quitamos los tornillos que sujetan las tapas o la carcasa y las retiramos.

* ¡Precaución!: Antes de manipular el interior de la torre, debemos tocar cualquier superfície metálica para descargar nuestra electricidad estática que sería fatal para cualquier componente interno.

Para poder insertar cualquier tipo de memoria tenemos que identificar la ubicación de la memoria, si miramos en la placa interna veremos una zona similar a esta:

Ahí están los slots (huecos para poner la memoria) y el módulo o módulos que tengamos ya instalados aparecerán colocados en una de las ranuras (en la imagen no sale ninguno).

Seguidamente, acercamos el módulo por el lado donde están los conectores hacia uno de los slots libres y lo insertamos perpendicularmente y con firmeza, hasta que queden los contactos en su interior. Pero antes de hacer esto hay que tener en cuenta algunas cosas:

1) Los módulos van sujetos lateralmente con unas piezas de plástico, antes de insertar el módulo debemos asegurarnos de que están abiertas para que podamos colocar el módulo cómodamente. Una vez insertado, debemos cerrar las piezas hasta que se ajusten a las muescas laterales del módulo.

2) Entre los contactos de las memorias puede haber 1 muesca (DDR 184 contactos) o 2 muescas (SDRAM 168 contactos), estas muescas deben coincidir con unas que existen en el hueco donde vamos a colocar la memoria.

Teniendo en cuenta estos aspectos, ya podemos insertar el módulo con firmeza. Si vemos que no podemos ponerlo, hay que detenerse y revisar todo el proceso de nuevo y con mucho cuidado. Es importante destacar que la memoria sólo entra en su sitio en una posición determinada por las muescas, no hay varias maneras de ponerla.

Cuando hayamos insertado la memoria, sólo queda comprobar que el sistema la acepta correctamente. Por ese motivo se recomienda no cerrar la torre todavía, en la siguiente sección comentaremos cómo comprobarla y corregir errores. Cuando veamos que la memoria funciona bien, podemos cerrar la torre con las tapas y colocando de nuevo los tornillos (apagando el PC previamente).

Un módulo DIMM, o de doble módulo de memoria en línea, comprende una serie de memoria dinámica de acceso aleatorio de circuitos integrados. Estos módulos están montados en una placa de circuito impreso y diseñado para su uso en ordenadores personales, estaciones de trabajo y servidores. DIMM comenzaron a reemplazar a SIMMs (módulos únicos de memoria en línea) como el tipo predominante de módulo de memoria de Intel 's procesadores Pentium comenzó a ganar cuota de mercado.

La principal diferencia entre los SIMMs y DIMMs de memoria DIMM que se han separado los contactos eléctricos en cada lado del módulo, mientras que los contactos de los SIMMs de ambos lados son redundantes. Otra diferencia es que los SIMMs estándar tienen datos de 32 bits ruta de acceso, mientras que módulos DIMM estándar disponen de datos de 64 bits ruta de acceso. Desde que Intel 's Pentium tiene (como lo hacen varios otros procesadores) de 64-ancho de bus de bits, se requiere SIMM instalados en pares, a fin de completar el bus de datos. El procesador entonces acceder a los dos SIMMs de forma simultánea. DIMMs se introdujeron para eliminar esta práctica.

Los tipos más comunes de DIMMs son:

72-SO pin-DIMM (no lo mismo que un 72-pin SIMM), utilizado para FPM DRAM y EDO DRAM

100-pin DIMM, utilizado para SDRAM de la impresora 144-pin SO-DIMM, utilizado para SDR SDRAM 168-pin DIMM, utilizado para SDRAM SDR (con menos frecuencia para

FPM / EDO DRAM en estaciones de trabajo / servidores) 172-pin MicroDIMM, utilizado para DDR SDRAM 184-pin DIMM, utilizado para DDR SDRAM 200-pin SO-DIMM, utilizado para DDR SDRAM y DDR2 SDRAM 204-pin SO-DIMM, utilizado para DDR3 SDRAM 214-pin MicroDIMM, usado para memoria DDR2 SDRAM 240-pin DIMM, utilizado para DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM y FB-

DIMM de DRAM.

INTRODUCCION Las memorias SIMM, DIMM, DDR y RIMM están enfocadas principalmente para aumentar la capacidad de memoria en una PC principalmente en la memoria RAM, este tipo de memorias son pequeñas placas de circuitos impresos con varios chips de memoria integrados. Que se instalan directamente sobre la placa base se puedan insertar fácilmente; se fabrican con distintas capacidades y distintas velocidades. Esto aumenta considerablemente el proceso de una computadora y el almacenamiento de la información en la memoria RAM. MEMORIAS SIMM DE 30 PINES SIMM o Single in-line Memory Module (módulo de memoria en línea simple), pequeña placa de circuito impreso con varios chips de memoria integrados. Vinieron a sustituir a los SIP, Single in-line Package (encapsulado en línea simple), chips de memoria independientes que se instalaban directamente sobre la placa base. Los SIMM están diseñados de modo que se puedan insertar fácilmente en la placa base de la computadora, y generalmente se utilizan para aumentar la cantidad de memoria RAM. Se fabrican con distintas capacidades (4Mb, 8Mb, 16Mb...) y con diferentes velocidades de acceso. En un principio se construían con 30 contactos y luego aparecieron los de 72 contactos. Hoy en día se dificulta conseguirlas fácilmente, pero aún algunos proveedores incluyen estas memorias en sus listas de precio.Este SIMM (Single In-line Memory Module) consta de 30 contactos y maneja 8 bits, ver. Las PC que utilizan típicamente estas memorias son las 386 y 486. Estos módulos se presentan en capacidades de 256Kbyte,1Mbyte y 4Mbyte.

Su tensión de alimentación es de 5Vcc. Esta muesca sobre el SIMM evita que el mismo pueda ser insertado al revés en su zócalo.

Muesca MEMORIAS SIMM DE 72 CONTACTOS . En la figura podemos ver un módulo SIMM de memoria que tiene 72 contactos y maneja 32 bits. Las PC que utilizan este tipo de memoria son algunos 486, 586, K6-II, K6-III, Celeron, Pentium, Pentium Pro y Pentium II. La capacidad de estos módulos de memoria es de 4Mbyte, 8Mbyte, 16Mbyte, 32Mbyte y 64Mbyte. Como en el caso del SIMM de 30 contactos, esta memoria también funciona con 5Vcc. Estas muescas y ranuras sobre el SIMM evitan que el mismo pueda ser insertado al revés en su zócalo. Como referencia podemos citar que la ranura se conoce con el nombre de ranura de posición.

Muesca Ranura de posicion MEMORIAS DIMM DE 168 CONTACTOS DIMM significa Dual In-line Memory Module es decir modulo de memoria dual en línea. Este tipo de memoria posee 168 contactos y maneja 64 bits. Comercialmente estas memorias se encuentran disponibles en capacidades de 8Mbytes, 16Mbytes, 32Mbytes, 64Mbytes, 128Mbytes, 256Mbytes y 512Mbytes. Como vimos en capítulos anteriores existen distintas tecnologías de memorias y también sus requerimientos de alimentación son distintos, por ejemplo las DIMM trabajan con una tensión de 3,3Vcc ó 5Vcc, dependiendo su tipo. Otra característica que sumaremos a las ya vistas es la tecnología de Buffered.

Un DIMM unbuffered se conecta directamente a los buses de control y de dirección del sistema, esta tecnología hace que los buses se sobrecarguen cuando instalamos más memorias y esto es debido a la cantidad de chips que componen la memoria. Esta tecnología es la que se utiliza en la actualidad para máquinas hogareñas y la capacidad de manejar una mayor cantidad de esta memoria esta dada por la característica del chipset y la placa madre. Debido a esto, la cantidad típica de memoria que soporta una placa madre diseñada para trabajar con memorias unbuffered esta limitada a un máximo de 4 módulos DIMM. Un DIMM buffered tiene un chip extra en la lógica que reduce la carga eléctrica en los buses de control y direcciones del sistema. Por tal motivo una placa madre diseñada para trabajar con DIMM buffered, puede tener mas módulos de memoria cargados al mismo tiempo debido a que el chip de buffer “absorbe” parte de la carga del bus. Una placa madre diseñada para trabajar con esta tecnología nos permite utilizar desde 8 módulos y llegar hasta los 16 módulos de memoria. Traba de ranura Cont. 1 cont. 10 indicador de cont. 11 cont. 40 indicador cont. 41 Arquitectura de voltaje En la figura podemos ver que las ranuras de posicionamiento son las encargadas de determinar tanto el tipo de tecnología como la tensión de alimentación del módulo. La indicación de la arquitectura nos indica si el DIMM es Buffered o Unbuffered.Como referencia para la posición de las ranuras utilizaremos una posición equidistante (centro) entre los contactos 10 y 11 para indicar la arquitectura, mientras la posición entre 40 y 41 indicará la tensión de alimentación. ESTUDIO ¿Porqué la transición de SIMM a DIMM?

Los SIMM de 72 contactos transmiten datos 32 bits a la vez mientras que los DIMM de 168 contactos transmiten datos 64 bits a la vez. Cuando los sistemas progresaron a un ancho de bus de 64 bits, resultó más razonable utilizar los DIMM que los SIMM como el factor de forma de memoria estándar. La tecnología SDRAM en sí no tiene nada que ver con la transición de SIMM a DIMM; es solamente que la transición de EDO a la tecnología SDRAM y la transición de SIMM a DIMM sucedió casi al mismo tiempo. MEMORIA RIMM RIMM: módulo de memoria RDRAM (Rambus Son los módulos de memoria, sustituyen a los actuales DIMM, y son una continuación del canal; el canal entra por un extremo del RIMM y sale por el otro. Los RIMM tienen el mismo tamaño que los DIMM y han sido diseñados para soportar SPD, (Serial Presence Detect). También hay RIMM de doble cara o de una cara, y pueden tener cualquier número de chips hasta el máximo de 32 soportados por canal. Hay módulos de 64Mb, 128Mb y 256Mb, la máxima cantidad total de memoria va desde los 64Mb hasta 1Gb por canal. Podemos instalar dos repetidores para aumentar el número de conectores, y así aumentar el numero de RIMMs, con un repetidor aumentamos a 6 conectores y con dos repetidores aumentamos a 12 conectores. La arquitectura de las memorias SDRAM están llegando prácticamente al límite superior de la frecuencia de operación, con las velocidades de los microprocesadores actuales, mas los próximos por venir, nos encontramos con el problema de que la cantidad de información que pueden transferir es muy superior a lo que puede ofrecer la tecnología. La introducción de la tecnología DRDRAM sobre módulos RIMM de la empresa Rambus junto a Intel en 1999 puede ser una solución al problema que planteamos por un periodo de tiempo prolongado. La tecnología RDRAM utiliza canales específicamente diseñados para transportar los datos a y desde la memoria, la primer versión salió con un canal simple o en ingles Single Channel y la siguiente versión incluyó dos canales o en ingles Two Channels, un diagrama de estas tecnologías de canales. Un canal incluye un controlador de memoria, uno o mas módulos RIMM RDRAM y en el extremo mas lejano un Terminador o en ingles (Continuity RIMM - RIMM de Continuidad),este terminador tiene como función cerrar el circuito al final del canal, para que retornen ciertas señales al controlador de memoria. El uso de este terminador es obligatorio y necesario para el correcto funcionamiento de este sistema, además estos terminadores deben instalarse uno por cada canal, dependiendo de la tecnología de canal que estemos utilizando. Una tecnología de cuatro canales está en desarrollo y promete ser el futuro para las PC de alto desempeño, pero tendremos que esperar un poco mas de tiempo para verla.

Este canal a diferencia de las otras tecnologías trabaja con 2 bytes (16 bits) y usa un pequeño número de señales de alta velocidad para transportar la información de datos, control, y direcciones hasta una velocidad de 800Mhz, otra característica es la posibilidad de transferir dos datos por cada ciclo de reloj, similar al DDR.

EST Cont.1 Cont. 46 Ranuras de Cont. 47 Cont. 92 posicionamiento Factores Característicos de la memoria SIMM, DIMM, RIMM Integridad de datos Uno de los aspectos en el diseño de la memoria implica el asegurar la integridad de los datos en ella almacenados. Actualmente, existen dos métodos principales para asegurar la integridad de los datos: 1. Paridad: ha sido el método más común usado hasta la fecha. Este proceso consiste en añadir un bit adicional por cada 8 bits de datos. Este bit adicional nos indica si el número de unos es par o impar (igual se puede hacer con los ceros. A esto se denomina criterio de paridad par o impar). 2. Códigos de Corrección de Errores (ECC): Es un método más avanzado de control de la integridad de los datos que puede detectar y corregir errores en bits simples. Debido a la competencia de precios, la norma más habitual es la de no introducir métodos de control de la integridad de los datos en la memoria, siendo más caros aquellos módulos que sí incluyen alguno de estos dos métodos de control de errores. El controlador de memoria También conocido como MMU (Memory Manager Unit, unidad de manejo de memoria), es un componente esencial en cualquier ordenador. Simplemente es un chip (actualmente suele venir integrado como parte de otro chip o del microprocesador) cuya función consiste en controlar el intercambio de datos entre microprocesador y memoria. El controlador de memoria determina el funcionamiento del control de errores, si es que existe.

Es muy importante determinar la necesidad de introducir o no un sistema de memoria con control de integridad. Generalmente esto se implementa en grandes servidores y ordenadores de alto rendimiento donde la integridad de datos es un factor importante. Control de Paridad Cuando se implementa un sistema de paridad en un sistema informático, se almacena un bit de paridad por cada 8 bits de datos. Existen dos métodos de control de paridad: paridad par y paridad impar, dependiendo de que aquello que se controle sea el número de ceros o de unos en cada grupo de ocho bits en memoria. El método de control de paridad tiene sus limitaciones. Por ejemplo, un sistema de control de paridad, puede detectar errores, pero no corregirlos. Incluso puede darse el caso de que varios bits sean erróneos y el sistema no detecte error alguno. ECC Este es un método que se implementa en grandes servidores y equipos de altas prestaciones. La importancia de este método es que es capaz de detectar y corregir errores de 1 bit. Todo esto ocurre sin que el usuario tenga constancia de ello. Cuando se detectan múltiples errores en varios bits, el sistema acaba por devolver un error de paridad en memoria. MEMORIAS DDR DE 184 CONTACTOS Estas memorias reciben su nombre por la sigla DDR que significa "Double Data Rate". Los DDR son muy similares a las DIMM SDRAM exceptuando su velocidad de trabajo, la cantidad de contactos y su tensión de alimentación. Tienen 184 contactos, es decir 92 por lado, pero el tamaño físico es el mismo y por lo tanto los contactos son más pequeños. De todos modos no debemos preocuparnos por instalar un DDR en un zócalo de DIMM o al revés debido a que el DIMM SDRAM tiene 2 ranuras y el DDR tiene una y desplazada del centro hacia la derecha. El otro punto que debemos mencionar es que la tensión de alimentación es de 2,5 o 1,8 Voltios. La doble traba de ranura nos permite insertar estos

DDR en zócalos de simple o doble altura Fueron primero adoptadas en sistemas equipados con procesadores AMD Athlon. Intel con su Pentium 4 en un principio utilizó únicamente memorias RAMBUS, más costosas. Ante el avance en ventas y buen rendimiento de los sistemas AMD basados en DDR SDRAM, Intel se vio obligado a cambiar su estrategia y utilizar memoria DDR,

lo que le permitió competir en precio. Son compatibles con los procesadores de Intel Pentium 4 que disponen de un Front Side Bus (FSB) de 64 bits de datos y frecuencias de reloj desde 200 a 400 MHz.

También se utiliza la nomenclatura PC1600 a PC4800, ya que pueden transferir un volumen de información de 8 bytes en cada ciclo de reloj a las frecuencias descritas.

Un ejemplo de calculo para PC-1600: 100 MHz x 2 Datos por Ciclo x 8 B = 1600 MiB/s

Muchas placas base permiten utilizar estas memorias en dos modos de trabajo distintos:

Single Memory Channel: Todos los módulos de memoria intercambian información con el bus a través de un sólo canal, para ello sólo es necesario introducir todos los módulos DIMM en el mismo banco de slots.

Dual Memory Channel: Se reparten los módulos de memoria entre los dos bancos de slots diferenciados en la placa base, y pueden intercambiar datos con el bus a través de dos canales simultáneos, uno para cada banco.

Doble traba de ranura

Ranura de indicador de voltaje

eMEMORIAS DDR2

es un tipo de memoria RAM. Forma parte de la familia SDRAM de tecnologías de memoria de acceso aleatorio, que es una de las muchas implementaciones de la DRAM.

Los módulos DDR2 son capaces de trabajar con 4 bits por ciclo, es decir 2 de ida y 2 de vuelta en un mismo ciclo mejorando sustancialmente el ancho de banda potencial bajo la misma frecuencia de una DDR SDRAM tradicional (si una DDR a 200 MHz reales entregaba 400 MHz nominales, la DDR2 por esos mismos 200 MHz reales entrega 800 MHz nominales). Este sistema funciona debido a que dentro de las memorias hay un pequeño buffer que es el que guarda la información para luego transmitirla fuera del modulo de memoria, este buffer en el caso de la DDR convencional trabajaba tomando los 2 bits para transmitirlos en 1 sólo ciclo, lo que aumenta la frecuencia final. En las DDR2, el buffer almacena 4 bits para luego enviarlos, lo que a su vez redobla la

frecuencia nominal sin necesidad de aumentar la frecuencia real de los módulos de memoria.

Las memorias DDR2 tienen mayores latencias que las conseguidas con las DDR convencionales, cosa que perjudicaba su rendimiento. Reducir la latencia en las DDR2 no es fácil. El mismo hecho de que el buffer de la memoria DDR2 pueda almacenar 4 bits para luego enviarlos es el causante de la mayor latencia, debido a que se necesita mayor tiempo de "escucha" por parte del buffer y mayor tiempo de trabajo por parte de los módulos de memoria, para recopilar esos 4 bits antes de poder enviar la información.

Características

Las memorias DDR2 son una mejora de las memorias DDR (Double Data Rate), que permiten que los búferes de entrada/salida trabajen al doble de la frecuencia del núcleo, permitiendo que durante cada ciclo de reloj se realicen cuatro transferencias.

Operan tanto en el flanco alto del reloj como en el bajo, en los puntos de 0 voltios y 1.8 voltios, lo que reduce el consumo de energía en aproximadamente el 50 por ciento del consumo de las DDR, que trabajaban a 0 voltios y a 2.5.

Terminación de señal de memoria dentro del chip de la memoria ("Terminación integrada" u ODT) para evitar errores de transmisión de señal reflejada.

Estándares

Para usar en PC, las DDR2 SDRAM son suministradas en tarjetas de memoria DIMMs con 240 pines y una localización con una sola ranura. Las tarjetas DIMM son identificadas por su máxima capacidad de transferencia (usualmente llamado ancho de banda).

Nombre del estándar

Velocidad del reloj

Tiempo entre señales

Velocidad del reloj de E/S

Datos transferidos por segundo

Nombre del módulo

Máxima capacidad de transferencia

DDR2-400 100 MHz 10 ns 200 MHz 400 millones PC2-3.200 3.200 MiB/s

DDR2-533 133 MHz 7,5 ns 266 MHz 533 millones PC2-4.200 4.264 MiB/s

DDR2-667 166 MHz 6 ns 333 MHz 667 millones PC2-5.300¹ 5.336 MiB/s

DDR2-800 200 MHz 5 ns 400 MHz 800 millones PC2-6.400 6.400 MiB/s

DDR2-1.066 266 MHz 3,75 ns 533 MHz 1.066 millones PC2-8.500 8.500 MiB/s

DDR2 es la nueva tecnología de memorias que ira, progresivamente, desplazando del mercado a las conocidas DDR. Las nuevas características son: • Duplica la cantidad de datos utilizando dos relojes, así aumentando a 4 los datos en un ciclo de reloj. • Cuenta con 240 Contactos en su distribución estándar para PC. Y una sola ranura de posicionamiento. • Velocidades que van desde los 400 hasta los 667 Mhz y hasta 1GB de capacidad. • Menor consumo de energía (hasta un 50% menos utilizando 1,8 Volts) y mejor desempeño térmico. Factor de Forma DDR2 DIMM Sin Buffer (ECC y no ECC) 240 Contactos, 1.8 V DIMM ECC Registered 240 Contactos, 1.8 V Para utilización en integraciones propietarias SO-DIMM (Notebooks) 200 Contactos, 1.8 V Mini DIMM Registered 244 Contactos, 1.9 V Micro DIMM 200 Contactos, 1.8 V Las memorias DDR2 no son compatibles con DDR ya que el voltaje que utilizan es diferente

MEMORIA DDR3

Es un tipo de memoria RAM. Forma parte de la familia SDRAM de tecnologías de memoria de acceso aleatorio, que es una de las muchas implementaciones de la SDRAM.

El principal beneficio de instalar DDR3 es la habilidad de hacer transferencias de datos ocho veces mas rápido, esto nos permite obtener velocidades pico de transferencia y velocidades de bus más altas que las versiones DDR anteriores. Sin embargo, no hay una reducción en la latencia, la cual es proporcionalmente más alta. Además la DDR3 permite usar integrados de 512 megabits a 8 gigabytes, siendo posible fabricar módulos de hasta 16 Gb.

En febrero, Samsung Electronics anunció un chip prototipo de 512 MiB a 1066 MHz (La misma velocidad de bus frontal del [Pentium 4 Extreme Edition más rápido) con una reducción de consumo de energía de un 40% comparado con los actuales módulos comerciales DDR2, debido a la tecnología de 80 nanómetros usada en el diseño del DDR3 que permite más bajas corrientes de operación y voltajes (1,5 V, comparado con los 1,8 del DDR2 ó los 2,5 del DDR). Dispositivos pequeños, ahorradores de energía, como computadoras portátiles quizás se puedan beneficiar de la tecnología DDR3.

Teóricamente, estos módulos pueden transferir datos a una tasa de reloj efectiva de 800-2600 MHz, comparado con el rango actual del DDR2 de 533-1200 MHz ó 200-400 MHz del DDR. Existen módulos de memoria DDR y DDR2 de mayor frecuencia pero no estandarizados por JEDEC.

Si bien las latencias tipicas DDR2 fueron 5-5-5-15 para el estándar JEDEC para dispositivos DDR3 son 7-7-7-20 para DDR3-1066 y 7-7-7-24 para DDR3-1333.

Los DIMMS DDR3 tienen 240 pines, el mismo número que DDR2; sin embargo, los DIMMs son físicamente incompatibles, debido a una ubicación diferente de la muesca.

La memoria GDDR3, con un nombre similar pero con una tecnología completamente distinta, ha sido usada durante varios años en tarjetas gráficas de gama alta como las series GeForce 6x00 ó ATI Radeon X800 Pro, y es la utilizada como memoria principal de la Xbox 360. A veces es incorrectamente citada como "DDR3".

Los módulos más rápidos de tecnología DDR3 ya están listos al mismo tiempo que la industria se preparara para adoptar la nueva plataforma de tecnología.

Considerado el sucesor de la actual memoria estándar DDR2, DDR3 promete proporcionar significativas mejoras en el rendimiento en niveles de bajo voltaje, lo que lleva consigo una disminución del gasto global de consumo.

Muchas de las placas base que se mostraron en Computex 2007, basadas en los nuevos chipsets P35, ahora utilizan la tecnología DDR3

Se prevé que la tecnología DDR3 sea dos veces más rápida que la DDR2 y el alto ancho de banda que promete ofrecer DDR3 es la mejor opcion para la combinación de un sistema con procesadores dual y quad core (2 y 4 nucleos por microprocesador). El voltaje más bajo del DDR3 (HyperX 1,7 V contra 1,8 V con DDR2 y ValueRAM 1,5 V contra 1,8v con DDR2) ofrece una solución térmica más eficaz para los ordenadores actuales y para las futuras plataformas móviles y de servidor.

Estándares]

Nombre del estándar

Velocidad del reloj

Tiempo entre señales

Velocidad del reloj de E/S

Datos transferidos por segundo

Nombre del módulo

Máxima capacidad de transferencia

DDR3-NaNo 100 MHz 9,4 ns 400 MHz 800 Millones PC3-6.400 6.400 MiB/s

DDR3-1.066 133 MHz 7,5 ns 533 MHz 1.066 Millones PC3-8.500 8.533 MiB/s

DDR3-1.333 166 MHz 6 ns 667 MHz 1.333 Millones PC3-10.600 10.667 MiB/s



DDR3-2.133 300 MHz 3.5 ns 1066 MHz 2.133 Millones PC3-17.000 17.000 MiB/s

La variante GDDR

El primer producto comercial en afirmar que usaba tecnología DDR2 fue la tarjeta gráfica nVIDIA GeForce FX 5800. Sin embargo, es importante aclarar que la memoria "DDR2" usada en las tarjetas gráficas (llamada oficialmente

GDDR2) no es DDR2, sino un punto intermedio entre las DDR y DDR2. De hecho, no incluye el (importantísimo) doble ratio del reloj de entrada/salida, y tiene serios problemas de sobrecalentamiento debido a los voltajes nominales de la DDR. ATI Technologies ha desarrollado aún más el formato GDDR, hasta el GDDR3, que es más parecido a las especificaciones de la DDR2, aunque con varios añadidos específicos para tarjetas gráficas.

Tras la introducción de la GDDR2 con la serie FX 5800, las series 5900 y 5950 volvieron a usar DDR, pero la 5700 Ultra usaba GDDR2 con una velocidad de 450 MHz (en comparación con los 400 MHz de la 5800 o los 500 MHz de la 5800 Ultra).

Actualmente, la mayoría de las tarjetas tanto de ATI como de nVIDIA usan el formato GDDR3; no obstante, ATI ya ha comenzado a distribuir las HD4890, que utilizan la nueva tecnología GDDR5 (que alcanza los 7GHz).

Identificar el tipo de memoria que utiliza su ordenador.

La fuente más apropiada de información a este respecto es el manual de la placa base, aunque en general:

MICROPROCESADOR MEMORIA TÍPICA NOTAS

386 DRAM o FPM en módulos SIMM de 30 contactos, de unos 100 u 80 ns

Memoria difícil de encontrar, actualización poco interesante

486 lentos FPM en módulos SIMM de 30 contactos, de 80 ó 70 ns

Típico de DX-33 o velocidades inferiores

486 rápidos Pentium lentos

FPM en módulos SIMM de 72 contactos, de 70 ó 60 ns, a veces junto a módulos de 30 contactos

Típico de DX2-66 o superiores y Pentium 60 ó 66 MHz

Pentium FPM o EDO en módulos SIMM de 72 contactos, de 70 ó 60 ns

Pentium MMX AMD K6

EDO en módulos SIMM de 72 contactos, de 60 ó 50 ns

Celaron Pentium II hasta 350 MHz

SDRAM de 66 MHz en módulos DIMM de 168 contactos, de menos de 20 ns

Suelen admitir también PC100 o PC133; también en algunos K6-2

Pentium II 350 MHz o más Pentium III AMD K6-2 AMD K6-III AMD K7 Athlon

SDRAM de 100 MHz (PC100) en módulos DIMM de 168 contactos, de menos de 10 ns

Aún muy utilizada; suelen admitir también PC133

Pentium III Coppermine (de 533 MHz o más) AMD K7 Athlon AMD Duron

SDRAM de 133 MHz (PC133) en módulos DIMM de 168 contactos, de menos de 8 ns

La memoria más utilizada en la actualidad

NOMBRE

ARQUITECTURA

PINES

CAPACIDAD

VELOCIDAD

EDO RAM

SIMM-32 BITS

72

128 Mb

50 MHZ

PC-66 SDRAM

DIMM-64 BITS

168

256Mb

66 MHZ

PC-100/133 SDRAM

DIMM-64 BITS

168

256Mb

100/133 MHZ

PC-600/700/800

RIMM-16 BITS

141

256Mb/1GB

600/700/800 MHZ

PC-1600/2100

DIMM-64 BITS

184

256Mb

200/266MHZ

PROBLEMAS DE LAS MEMORIAS RAM:

Configuración inadecuada: Tiene el número de parte erróneo para la computadora o no siguió las reglas de configuración.

Cuando tenga un problema con la memoria, la causa generalmente es una de las siguientes:

Instalación inadecuada: La memoria podría no estar asentada correctamente, el socket está mal o el socket necesita limpieza.

Hardware defectuoso: El módulo de memoria mismo está defectuoso.

El hecho de que muchos problemas de la computadora se manifiesten como problemas de memoria, hace difícil la resolución de las fallas. Por ejemplo, un problema con la tarjeta madre o el software puede producir un mensaje de error de memoria.

Veremos como ayudarles a averiguar si tiene un problema de memoria y en caso afirmativo, ayudar a identificar el problema y rápidamente obtener la solución.

Si acaba de instalar una nueva memoria, la primera posibilidad es que haya instalado las piezas incorrectas. Vuelva a verificar los números de partes, confirme que configuró e instaló la memoria correctamente

Si el sistema se ha estado ejecutando bien y repentinamente empieza a generar errores de memoria, se cae y se congela con frecuencia, la posibilidad de una falla de hardware es la más probable, debido a que los problemas de configuración de instalación se muestran cuando se enciende la computadora. Algunas veces se pueden tener problemas de memoria si la computadora se sobrecalienta o si se tiene un problema con el suministro de energía o si se ha desarrollado corrosión entre el módulo de memoria y el socket, lo que debilita la conexión

Si tu PC parece lenta, experimenta demoras en su rendimiento y es incapaz de ejecutar simultáneamente los programas de software que te gustaría, es posible que la clave sea problemas de la memoria. Te contamos cuales son algunos de sus síntomas

Recibís mensajes de error que indican que no tienes suficiente memoria. Este es el llamado de auxilio de tu computadora, aunque probablemente el bajo rendimiento se note mucho antes de que el equipo avise.

La pantalla azul de la muerte" que con frecuencia congela la computadora y requiere ser reiniciada. La "pantalla azul" es una alerta del sistema que le informa sobre una falla en la memoria.

Limpieza general: ¿Están limpios los zócalos que sostienen la memoria? Estos contactos se ensucian, lo que puede causar un deterioro en el

rendimiento de la memoria. Deshacerte del polvo y suciedad que puedan causar malas conexiones y que inhiban el rendimiento de la memoria. Un copito de algodón puede solucionar el problema. Vibración defectuosa: Los módulos de la memoria vibran en sus zócalos y con el tiempo se pueden soltar. Asegurate de que los módulos de la memoria estén asegurados de manera adecuada en los zócalos.

Revisa los zócalos y los módulos de la memoria con cuidado y busca si tiene partes rotas o quemadas. Si algo está roto, se puede pegar en lugar de ser remplazado con nuevos repuestos costosos. Asegúrate de que el pegante sea "seguro para el plástico". Estabilizador de voltaje: ¿Tu PC está conectada a un estabilizador de tensión? Las subidas de energía son letales para la memoria de la computadora. Es fácil impedir que una subida de energía eléctrica dañe su computadora, pero no es tan fácil solucionar el problema causado por una subida de energía.

Tipos de memoria

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