solucion actividad 8

Act 8: Leccin evaluativa No. 2Principio del formularioQuestion1Puntos: 1Si tres quarks constituyen el sistema al que se le asocia una funcin de onda, y el potencial de la fuerza fuerte es 10 veces la electromagnticaSeleccione una respuesta.a.La ecuacin resultante tiene un hamiltoniano donde hay un trmino de energa cintica y tres de potencial.

b.La ecuacin resultante tiene un hamiltoniano donde hay un trmino de energa cintica y uno de potencial

c.La ecuacin resultante tiene un hamiltoniano donde hay tres trminos de energa cintica y tres de potencial

d.La ecuacin resultante tiene un hamiltoniano donde hay tres trminos de energa cintica y uno de potencial

Question2Puntos: 1Cul es el comportamiento de un semiconductor al elevarse fuertemente la temperatura?Seleccione una respuesta.a.Conductor

b.No operacin

c.Aislante

d.Amplificador

Question3Puntos: 1Un tubo fotomultiplicador cumple una o ms de las siguientes afirmaciones siempre.Seleccione una respuesta.a.No requiere fuente de voltaje

b.Amplifica luz

c.Tiene dos ctodos y dos nodos

d.No requiere el efecto fotoelctrico

Question4Puntos: 1El parmetro Beta () depende de:Seleccione una respuesta.a.Tiempo de vida de portadores minoritarios

b.Directamente de la temperatura

c.La corriente de junturas

d.Concentracin de portadores totales

Question5Puntos: 1En un material en el que los portadores mayoritarios son electrones, se infiere que:Seleccione una respuesta.a.No hay carga neta

b.Es un material N y no tiene huecos

c.Estos portadores se encuentran en la banda de valencia

d.Es un material P y no tiene huecos

Question6Puntos: 1Los portadores mayoritarios son electrones. Entonces,Seleccione una respuesta.a.Estos portadores se encuentran en la banda de conduccin

b.Es un material P

c.Es un material N

d.La carga neta es igual a dos veces el nmero de electrones multiplicado por carga de cada electrn

Question7Puntos: 1Los transistores PNP funcionan con voltajes de polarizacin inversos en todos los casos. Suponga que tenemos un circuito amplificador operando en el modo NPN perfectamente y responda la siguiente pregunta.

Si reemplazamos el transistor por un MOSFET canal N haciendo las conexiones de Gate como si fuera Base y Source como si fuera Emisor, entoncesSeleccione una respuesta.a.Necesariamente cambia el funcionamiento

b.Puede averiarse debido a que su canal N se daa cuando es sometido a campo electrosttico

c.Se avera necesariamente

d.La operacin es exactamente la misma

Question8Puntos: 1Si se llega a determinar con exactitud y precisin total que una partcula est en una posicin x,y,z especfica,Seleccione una respuesta.a.No hay ningn dato acerca de la velocidad

b.No hay ningn dato acerca de la frecuencia

c.No hay ningn dato de la energa

d.No hay ningn dato acerca del tiempo que durar en esa posicin

Question9Puntos: 1En una Baquelita tenemos Silicio. Cuando se aplica la solucin correcta, ste se convierte en SiO2. Este material:Seleccione una respuesta.a.Es un Conductor

b.Es un xido

c.Es un semiconductor

d.Es un cido

Question10Puntos: 1Las prdidas debido al recalentamiento del circuito integrado son debido aSeleccione al menos una respuesta.a.Semiconductores

b.Posibles resistencias internas

c.Revestimiento aislante imperfecto

d.Mala construccin del dispositivo

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FSICA DE SEMICONDUCTORES: Act 8: Leccin evaluativa No. 2

Act 8: Leccin Evaluativa

Comenzado el mircoles, 5 de noviembre de 2014Completado el mircoles, 5 de noviembre de 2014Tiempo empleado 40 minutos 10 segundos Calificacin 50 de un mximo de 50 (100%)

Question 1.

Segn lo estudiado en la unidad, si queremos aumentar la tolerancia mxima a la corriente de un BJT, lo mejor es:

Seleccione una respuesta.

a. Disminuir la temperatura b. Aumentar la seccin transversal de la base para que haya ms espacio para los portadores Respuesta Correcta c. Colocar un aislante entre el semiconductor y la fuente d. Aumentar la temperatura

Aumentar la seccin transversal de la base para que haya ms espacio para los portadores

correcto Puntos para este envo: 1/1.

Question 2.

Son caractersticas de la zona de deflexin en una unin PN:

Seleccione al menos una respuesta.

a. Existe una tensin umbral tambin llamada barrera de potencial . Respuesta Correcta b. La mayora de cargas libres son positivas c. No existen cargas libres Respuesta Correcta d. La mayora de cargas libres son negativas

CorrectoEn una unin PN no existen cargas libres y se produce un campo elctrico que genera una barrera de potencial, que en el caso del silicio es de 0,7 voltios.

correcto puntos para este envo: 1/1.

Question 3.

Un diodo Zener opera:


a. En la misma regin que el transitor b. En la misma regin en que el diodo falla Respuesta Correcta c. En la misma regin que el diodo d. En todas las regiones, cumpliendo siempre la misma funcin del mismo modo Un diodo zener opera, En la misma regin en que el diodo falla


Question 4.

si se llega a determinar con exactitud y precisin total que una partcula est en una posicin x,y,z especfica,

Seleccione una respuesta

a. No hay ningn dato acerca de la velocidad Respuesta Correcta b. No hay ningn dato de la energa .c. No hay ningn dato acerca del tiempo que durar en esa posicin d. No hay ningn dato acerca de la frecuencia


Question 5.

El parmetro Beta (B) depende de:


a. Tiempo de vida de portadores minoritarios b. Concentracin de portadores totales Respuesta Correcta c. La corriente de junturas d. Directamente de la temperatura

Beta depende de la concentracin de portadores totales

Correcto Puntos para este envo: 1/1.

Question 6.

Cul es el sistema cristalino en el que las dimensiones de sus lados A y B son iguales y su lado C diferente, pero en el que todos sus ngulos miden 90 grados?


a. Tetragonal Respuesta Correcta b. Hexagonal c. Monoclinico d. cbico

El sistema cristalino que cumple con A=B dif C y a=b=g=90 es el tetragonal.


Question 7.

El boro y el galio son materiales que tiene en su estructura atmica 3 electrones de valencia. El Arsnico y el Fosforo tienen 5. Para disminuir Puntos: 1 el nmero de electrones libres en el silicio para su uso en los transistores, los fabricantes aaden pequeas cantidades de: (pregunta con doble respuesta)


a. Galio Respuesta Correcta b. Boro Respuesta Correcta c. Postora d. Arsnico

CorrectoAl contaminar el silicio con atmos de 3 electrones de valencia se generan menor cantidad de elctrones libres.


Question 8.

Escoja cul de las siguientes afirmaciones es cierta para TODO lser semiconductor.


a. Emite luz de elevada potencia b. Es el nico tipo de lser c. No requiere luz inicial d. No mantiene la intensidad de luz inicial Respuesta Correcta

No mantiene la intensidad de luz inicial


Question 9.

Los transistores PNP funcionan con voltajes de polarizacin inversos en todos los casos. Suponga que tenemos un circuito amplificador operando en el modo NPN perfectamente y responda la siguiente pregunta.

Si reemplazamos el transistor por un MOSFET canal N haciendo las conexiones de Gate como si fuera Base y Source como si fuera Emisor, entonces


a. Puede averiarse debido a que su canal N se daa cuando es sometido a campo electrostticob. Se avera necesariamente y c La operacin es exactamente la misma d. Necesariamente cambia el funcionamiento Respuesta Correcta


Question 10.

En un hamiltoniano de muchas partculas usted encontrar:


a. Una sumatoria de energas blicas. potenciales y moleculares b. Un trmino de energa cinticac. Una sumatoria de energas cinticas, potenciales y un trmino de energas de interaccin entre partculas Respuesta Correcta d. Una sumatoria de energas cinticas y potenciales

Una sumatoria de energas cinticas, potenciales y un trmino de energas de interaccin entre partculas


FSICA DE SEMICONDUCTORES: Act 8: Leccin evaluativa No. 2

Act 8: Leccin Evaluativa

Comenzado el mircoles, 5 de noviembre de 2014Completado el mircoles, 5 de noviembre de 2014Tiempo empleado 40 minutos 10 segundos Calificacin 50 de un mximo de 50 (100%)

Question 1.

Segn lo estudiado en la unidad, si queremos aumentar la tolerancia mxima a la corriente de un BJT, lo mejor es:


a. Disminuir la temperatura b. Aumentar la seccin transversal de la base para que haya ms espacio para los portadores Respuesta Correcta c. Colocar un aislante entre el semiconductor y la fuente d. Aumentar la temperatura

Aumentar la seccin transversal de la base para que haya ms espacio para los portadores


Question 2.

Son caractersticas de la zona de deflexin en una unin PN:


a. Existe una tensin umbral tambin llamada barrera de potencial . Respuesta Correcta b. La mayora de cargas libres son positivas c. No existen cargas libres Respuesta Correcta d. La mayora de cargas libres son negativas

CorrectoEn una unin PN no existen cargas libres y se produce un campo elctrico que genera una barrera de potencial, que en el caso del silicio es de 0,7 voltios.

correcto puntos para este envo: 1/1.

Question 3.

Un diodo Zener opera:


a. En la misma regin que el transitor b. En la misma regin en que el diodo falla Respuesta Correcta c. En la misma regin que el diodo d. En todas las regiones, cumpliendo siempre la misma funcin del mismo modo Un diodo zener opera, En la misma regin en que el diodo falla


Question 4.

si se llega a determinar con exactitud y precisin total que una partcula est en una posicin x,y,z especfica,


a. No hay ningn dato acerca de la velocidad Respuesta Correcta b. No hay ningn dato de la energa .c. No hay ningn dato acerca del tiempo que durar en esa posicin d. No hay ningn dato acerca de la frecuencia


Question 5.

El parmetro Beta (B) depende de:


a. Tiempo de vida de portadores minoritarios b. Concentracin de portadores totales Respuesta Correcta c. La corriente de junturas d. Directamente de la temperatura

Beta depende de la concentracin de portadores totales


Question 6.

Cul es el sistema cristalino en el que las dimensiones de sus lados A y B son iguales y su lado C diferente, pero en el que todos sus ngulos miden 90 grados?


a. Tetragonal Respuesta Correcta b. Hexagonal c. Monoclinico d. cbico

El sistema cristalino que cumple con A=B dif C y a=b=g=90 es el tetragonal.


Question 7.

El boro y el galio son materiales que tiene en su estructura atmica 3 electrones de valencia. El Arsnico y el Fosforo tienen 5. Para disminuir Puntos: 1 el nmero de electrones libres en el silicio para su uso en los transistores, los fabricantes aaden pequeas cantidades de: (pregunta con doble respuesta)


a. Galio Respuesta Correcta b. Boro Respuesta Correcta c. Postora d. Arsnico

CorrectoAl contaminar el silicio con atmos de 3 electrones de valencia se generan menor cantidad de elctrones libres.


Question 8.

Escoja cul de las siguientes afirmaciones es cierta para TODO lser semiconductor.


a. Emite luz de elevada potencia b. Es el nico tipo de lser c. No requiere luz inicial d. No mantiene la intensidad de luz inicial Respuesta Correcta

No mantiene la intensidad de luz inicial


Question 9.

Los transistores PNP funcionan con voltajes de polarizacin inversos en todos los casos. Suponga que tenemos un circuito amplificador operando en el modo NPN perfectamente y responda la siguiente pregunta.

Si reemplazamos el transistor por un MOSFET canal N haciendo las conexiones de Gate como si fuera Base y Source como si fuera Emisor, entonces


a. Puede averiarse debido a que su canal N se daa cuando es sometido a campo electrostticob. Se avera necesariamente y c La operacin es exactamente la misma d. Necesariamente cambia el funcionamiento Respuesta Correcta


Question 10.

En un hamiltoniano de muchas partculas usted encontrar:


a. Una sumatoria de energas blicas. potenciales y moleculares b. Un trmino de energa cinticac. Una sumatoria de energas cinticas, potenciales y un trmino de energas de interaccin entre partculas Respuesta Correcta d. Una sumatoria de energas cinticas y potenciales

Una sumatoria de energas cinticas, potenciales y un trmino de energas de interaccin entre partculas


FSICA DE SEMICONDUCTORES: Act 3 Reconoimiento Unidad 1

Act. 3 Reconocimiento Unidad 3

Comenzado el viernes. 19 de septiembre de 2014Completado el viernes. 19 de septiembre de 2014Tiempo empleado 26 minutos 35 seguidos Puntos 6/6 Calificacion 10 de un mximo de 10 (100%)

Question 1.

Las partculas fundamentales de la materia se dividen en dos, Ellas son:

Seleccione al menos una respuesta:

a. Bosones Respuesta Correcta b. Leptones c. Quarks d. Fermiones Respuesta Correcta

Las partculas fundamentales se subdividen en bosones (partculas de espn entero corno por ejemplo 0, 1, 2...) y fermiones (partculas de espn semientero)


Question 2.

Cuando un fotn emitido por una fuente de luz colisiona con un electrn, el impacto seala la posicin del electrn, En el proceso, sin embargo, la colisin cambia la velocidad del electrn. Sin una velocidad exacta, el impulso del electrn en el momento de la colisin es imposible de medir. La anterior afirmacin define con claridad:


a. La Ecuacin de Schrdinger b. Principio do dualidad OndaPartcula c. La hiptesis de Plank d. El Principio do Incertidumbre de Heisemberg Respuesta Correcta


Question 3.

Un proceso o efecto superluminico, como el que se presenta en el efecto tunel, es aquel que:

Seleccione una respuesta,

a, Se produce al sobreponer seales de laser con diferentes longitudes de ondab. Se produce entre particulas sub atomicas del nucleo atomico.c, se produce a una velocidad superior a la velocidad do la luz en el vaco Respuesta Correcta d. Se produce en las transmisiones por fibra optica.

Un efecto superlumnico es aquel que se produce a una velocidad superior a la velocidad de la luz en el vaco.


Question 4.

Una funcin de onda estacionaria est asociada a una partcula en un estado estable", puede entenderse que la funcin de onda realmente es una especie de mapa de la partcula, qu explica qu tanto est y en qu estado una partcula sobre el espacio. Respecto a lo anterior, es tal vez extrao saber que todas las partculas tienen funciones de onda definidas en TODO el espacio, desde los valores infinitos negativos de las coordenadas hasta los positivos.

Debido a esto, resulta natural que todas las funciones de onda tienda a irse a cero cuando las coordenadas crecen hacia los extremos infinitos.

A partir de lo anterior,


a. Si la funcin de onda depende del tiempo, entonces la partcula se est moviendo b. Si la funcin de onda NO depende del tiempo, entonces la partcula est en reposo absoluto c. Si la partcula se est moviendo, entonces su funcin de onda depende del tiempo d. Si la partcula est cambiando do estados, entonces su funcin de onda depende del tiempo Respuesta Correcta


Question 5.

El efecto Hartman consiste en:


a. La propagacin Superluminica de una partcula en el efecto tnel Respuesta Correcta b. El choque entre dos microparticulas en un tomo c. La emisin de energia que se da cuando un electrn pasa del nivel de valencia a cualquier oto nivel atomice d. La deposicin de un material conductor on uno aislante

La propagacin superlumnica de una partcula en el efecto tnel cuntico se denomina efecto Hartman


Question 6.

En el efecto fotoelctrico

Seleccione una Respuesta.

a. Los fotones se convierten en electrones de conduccinb. Todos los electrones irradiados se convierten en electrones de conduccin c. La energa desprendida puede lesionar los ojos d. Algunos de las electrones irradiados se convierten en electrones de conduccin Respuesta Correcta

En el efecto fotoelctrico, algunos de los electrones irradiados se convierten en electrones de conduccin


FSICA DE SEMICONDUCTORES: Act 9: Quiz 2 Revisin del intento 1

Act 9: Quiz 2 Revisin del intento 1

Comenzado el viernes, 14 de noviembre de 2014Completado el viernes, 14 de noviembre de 2014Tiempo empleado 57 minutos 45 segundos Puntos 15/15 Calificacin 50 de un mximo de 50 (100%)

FISICA DE SEMICONDUCTORES

Question 1

Respecto a las capacitancias internas de un transistor MOSFET y un JFET


e. En el primer caso se ubican entre las terminales y entre el segundo caso en las terminales b, Se ubican en las terminales siempre y cuando el transistor no est en modo de corte Respuesta Correcta c. En el primer caso se ubican entre las Junturas y en el segundo caso entre las terminales d. En ambos casos se ubican entre las terminales.


Question 2.

Un solo electrn, al pasar por una rendija


a. Tiene masa en reposo nula b. No tiene funcin de onda asociada que pueda definirse c. Pierde necesariamente energad. No exhibe su comportamiento ondulatorio Respuesta Correcta


Question 3.

Las capacitancias internas de un transistor 133"1" y Mosfet,


a. En el primer caso se ubican entre las terminales y entre el segundo caso en las terminales b. Ene l primer caso se ubican entre ls junturas y en el segundo caso entre las terminales.c. en ambops casos se ubican entre las junturas.d. En ambos casos se ubican entre las terminales Respuesta Correcta


Question 4.

En un Mosfet canal P, si la Compuerta est ms positiva que la Fuente,


a. NO hay corriente de drenaje sin importar el voltaje de Drenaje Respuesta Correcta b. Hay corriente de drenaje dependiendo del voltaje de Drenajec. Hay corriente de drenaje sin importar el voltaje de Drenajed. No puede saberse si hay corriente de drenaje X


Question 5.

En general los transductores opto electrnicos funcionan a partir del efecto fotoelctrico o el de emisin espontanea, Adems de los tubos fotomultiplicadores, otros representantes de este tipo de transductores son:

Seleccione al menos

a. Laser b. Centelladores Respuesta Correcta c, Detectores d. Clulas Solares Respuesta Correcta

Los centelladores y las clulas solares son transductores optoelectrnicos


Question 6.

En una unin PN


a. Hay portadores MinorRados o hay portadores Mayoritarios, pero no los dos b. Los portadores Mayoritarios son electrones y los minoritarios son huecosc. No hay carga neta, sino electrones tres o huecos en la ltima rbita atmica Respuesta Correcta d. Hay carga neta producida por electrones libres o huecos en banda de conduccin


Question 7.

Este tipo de preguntas consta de dos proposiciones as: una Afirmacin y una Razn, unidas por la palabra PORQUE. Usted debe examinar la veracidad de cada proposicin y la relacin terica que las une,

Un dispositivo semiconductor presenta aumento de conductividad cuando incrementa su temperatura PORQUE a mayor temperatura, la energa cintica molecular del dispositivo es menor y posibilita el salto de electrones de la banda de valencia a la de conduccin.


a. la afirmacin es VERDADERA, pero la razn es una proposicin FALSA. Respuesta Correcta b, la afirmacin os FALSA, poro la razn os una proposicin VERDADERAc. La afirmacin y la razn son VERDADERAS, pero la razn NO es una explicacin CORRECTA de la afirmacin.d, b afirmacin y la razn son VERDADERAS y la razn es una explicacin CORRECTA de la afirmacin,


Question 8.

Suponga un caso unidimensional. Si la funcin de onda Ax3 soluciona la ecuacin de Schrdinger (A es una constante), cul de estos debe ser el potencial asociado?


a. -12/Ax exp 4 b. -3/ Ax exp 3 c. Ax exp 4 d. -6/ x exp 2+1 Respuesta Correcta


Question 9.

La razn que explica por qu el Mosfet tiene corriente de compuerta = O es


a. Los portadores mayoritarios se concentran en el extremo opuestob. El semiconductor es de mayor calidad c, No tiene elementos resistivos internosd. Entre el electrodo y el semiconductor hay un aislante Respuesta Correcta


Question 10.

Una partcula de movimiento unidimensional se encuentra asociada a una funcin de onda compleja, que es igual a Aexp(-ikx), con

A,k=constantes, i=raiz de -1, x: posicin, Se puede decir que:


a. X puede tomar todos los valores entre menos infinito y ms infinito b, La partcula est quieta c. No hay fuerza actuando sobre ella d. El estado de la partcula es estacionario Respuesta Correcta


Question 11.

Este tipo de preguntas consta de dos proposiciones as: una Afirmacin y una Razn, unidas po- la palabra PORQUE, Usted debe examinar la veracidad de cada proposicin y la relacin terica que las une.

En un material tipo N los portadores mayoritarios son los electrones PORQUE los electrones portadores siempre se encuentran en la banda de valencia


a. la afirmacin es FALSA, pero la razn es una proposicin VERDADERA. b. la afirmacin es VERDADERA, pero la razn es una proposicin FALSAc. la afirmacin y la razn son VERDADERAS y la razn es una explicacin CORRECTA de la afirmacin. d. La afirmacin y la razn son VERDADERAS, pero la razn NO es una explicacin CORRECTA de la afirmacin. Respuesta Correcta


Question 12.

Una celda solar Seleccione una respuesta

a. Es un transistor que almacena luz b. Es un diodo que responde a la incidencia de luz mediante el efecto fotoelctrico . Respuesta Correcta c. Es un transistor que responde a la incidencia de luz mediante el efecto fotoelctrico d. Es un diodo que almacena luz


Question 13.

SI un diodo polarizado directamente se reemplaza por otro que tiene corriente de difusin de la mitad del valor anterior, entonces, puede pensarse que


a. El umbral de voltaje minino de operacin (0,7Volts normalmente) aumenta b. La voltaje total sube al cudruple c. El umbral de voltaje minino de operacion (0,7 Volts normalmente) disminuye Respuesta Correcta d. La corriente total sube al doble


Question 14.

Mientras un electrn pasa del estado base a un estado excitado


a. Se convierte en un fotn b, Ni absorbe ni emite fotones c. Absorbe un fotn . Respuesta Correcta d. Emite un fotn X


Question 15.

El semiconductor A est a 1 grado Kelvin y el semiconductor 13 a 500 grados centgrados, Lo que ms probablemente se puede decir es


a. El segundo funciona como resistor b. El primero funciona como conductor c. El segundo funciona como semiconductor an d. El primero funciona como resistor Respuesta Correcta


FSICA DE SEMICONDUCTORES: Act 9: Quiz 2 Revisin del intento 1

Act 9: Quiz 2 Revisin del intento 1

Comenzado el viernes, 14 de noviembre de 2014Completado el viernes, 14 de noviembre de 2014Tiempo empleado 57 minutos 45 segundos Puntos 15/15 Calificacin 50 de un mximo de 50 (100%)

FISICA DE SEMICONDUCTORES

Question 1

Respecto a las capacitancias internas de un transistor MOSFET y un JFET


e. En el primer caso se ubican entre las terminales y entre el segundo caso en las terminales b, Se ubican en las terminales siempre y cuando el transistor no est en modo de corte Respuesta Correcta c. En el primer caso se ubican entre las Junturas y en el segundo caso entre las terminales d. En ambos casos se ubican entre las terminales.


Question 2.

Un solo electrn, al pasar por una rendija


a. Tiene masa en reposo nula b. No tiene funcin de onda asociada que pueda definirse c. Pierde necesariamente energad. No exhibe su comportamiento ondulatorio Respuesta Correcta


Question 3.

Las capacitancias internas de un transistor 133"1" y Mosfet,


a. En el primer caso se ubican entre las terminales y entre el segundo caso en las terminales b. Ene l primer caso se ubican entre ls junturas y en el segundo caso entre las terminales.c. en ambops casos se ubican entre las junturas.d. En ambos casos se ubican entre las terminales Respuesta Correcta


Question 4.

En un Mosfet canal P, si la Compuerta est ms positiva que la Fuente,


a. NO hay corriente de drenaje sin importar el voltaje de Drenaje Respuesta Correcta b. Hay corriente de drenaje dependiendo del voltaje de Drenajec. Hay corriente de drenaje sin importar el voltaje de Drenajed. No puede saberse si hay corriente de drenaje X


Question 5.

En general los transductores opto electrnicos funcionan a partir del efecto fotoelctrico o el de emisin espontanea, Adems de los tubos fotomultiplicadores, otros representantes de este tipo de transductores son:

Seleccione al menos

a. Laser b. Centelladores Respuesta Correcta c, Detectores d. Clulas Solares Respuesta Correcta

Los centelladores y las clulas solares son transductores optoelectrnicos


Question 6.

En una unin PN


a. Hay portadores MinorRados o hay portadores Mayoritarios, pero no los dos b. Los portadores Mayoritarios son electrones y los minoritarios son huecosc. No hay carga neta, sino electrones tres o huecos en la ltima rbita atmica Respuesta Correcta d. Hay carga neta producida por electrones libres o huecos en banda de conduccin


Question 7.

Este tipo de preguntas consta de dos proposiciones as: una Afirmacin y una Razn, unidas por la palabra PORQUE. Usted debe examinar la veracidad de cada proposicin y la relacin terica que las une,

Un dispositivo semiconductor presenta aumento de conductividad cuando incrementa su temperatura PORQUE a mayor temperatura, la energa cintica molecular del dispositivo es menor y posibilita el salto de electrones de la banda de valencia a la de conduccin.


a. la afirmacin es VERDADERA, pero la razn es una proposicin FALSA. Respuesta Correcta b, la afirmacin os FALSA, poro la razn os una proposicin VERDADERAc. La afirmacin y la razn son VERDADERAS, pero la razn NO es una explicacin CORRECTA de la afirmacin.d, b afirmacin y la razn son VERDADERAS y la razn es una explicacin CORRECTA de la afirmacin,


Question 8.

Suponga un caso unidimensional. Si la funcin de onda Ax3 soluciona la ecuacin de Schrdinger (A es una constante), cul de estos debe ser el potencial asociado?


a. -12/Ax exp 4 b. -3/ Ax exp 3 c. Ax exp 4 d. -6/ x exp 2+1 Respuesta Correcta


Question 9.

La razn que explica por qu el Mosfet tiene corriente de compuerta = O es


a. Los portadores mayoritarios se concentran en el extremo opuestob. El semiconductor es de mayor calidad c, No tiene elementos resistivos internosd. Entre el electrodo y el semiconductor hay un aislante Respuesta Correcta


Question 10.

Una partcula de movimiento unidimensional se encuentra asociada a una funcin de onda compleja, que es igual a Aexp(-ikx), con

A,k=constantes, i=raiz de -1, x: posicin, Se puede decir que:


a. X puede tomar todos los valores entre menos infinito y ms infinito b, La partcula est quieta c. No hay fuerza actuando sobre ella d. El estado de la partcula es estacionario Respuesta Correcta


Question 11.

Este tipo de preguntas consta de dos proposiciones as: una Afirmacin y una Razn, unidas po- la palabra PORQUE, Usted debe examinar la veracidad de cada proposicin y la relacin terica que las une.

En un material tipo N los portadores mayoritarios son los electrones PORQUE los electrones portadores siempre se encuentran en la banda de valencia


a. la afirmacin es FALSA, pero la razn es una proposicin VERDADERA. b. la afirmacin es VERDADERA, pero la razn es una proposicin FALSAc. la afirmacin y la razn son VERDADERAS y la razn es una explicacin CORRECTA de la afirmacin. d. La afirmacin y la razn son VERDADERAS, pero la razn NO es una explicacin CORRECTA de la afirmacin. Respuesta Correcta


Question 12.

Una celda solar Seleccione una respuesta

a. Es un transistor que almacena luz b. Es un diodo que responde a la incidencia de luz mediante el efecto fotoelctrico . Respuesta Correcta c. Es un transistor que responde a la incidencia de luz mediante el efecto fotoelctrico d. Es un diodo que almacena luz


Question 13.

SI un diodo polarizado directamente se reemplaza por otro que tiene corriente de difusin de la mitad del valor anterior, entonces, puede pensarse que


a. El umbral de voltaje minino de operacin (0,7Volts normalmente) aumenta b. La voltaje total sube al cudruple c. El umbral de voltaje minino de operacion (0,7 Volts normalmente) disminuye Respuesta Correcta d. La corriente total sube al doble


Question 14.

Mientras un electrn pasa del estado base a un estado excitado


a. Se convierte en un fotn b, Ni absorbe ni emite fotones c. Absorbe un fotn . Respuesta Correcta d. Emite un fotn X


Question 15.

El semiconductor A est a 1 grado Kelvin y el semiconductor 13 a 500 grados centgrados, Lo que ms probablemente se puede decir es


a. El segundo funciona como resistor b. El primero funciona como conductor c. El segundo funciona como semiconductor an d. El primero funciona como resistor Respuesta Correcta


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