PRAC 01 Circuitos de Polarización con BJT

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 INSTITUTO TECNOLÓGICO DE ORIZABA DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELÉCTRICA-ELECTRÓNICA (ÁREA ELECTRÓNICA) 1 LABORATORIO DE ELECTRÓNICA ANALÓGICA II PRÁCTICA # 1 TÉCNICAS DE POLARIZACIÓN DE BJT’s  (CIRCUITOS DE MÁXIMA VARIACIÓN SIMÉTRICA). OBJETIVO: El alumno reforzará los conocimientos adquiridos acerca de la recta de carga y del punto de operación y comprobará el comportamiento práctico de circuitos diseñados para operar en Máxima Excursión Simétrica.  I DESARROLLO TEÓRICO. I.1 MARCO TEÓRICO. I.2 DISEÑO. Se calcula el valor de las resistencias de polarización de los diferentes circuitos. I.3 PREREPORTE. Simular en EWB o PSPICE los circuitos amplificadores diseñados para operar en máxima excursión simétrica, determinar los diferentes puntos de operación y tabular los resultados. II DESARROLLO PRÁCTICO.  II.1 MATERIAL Y EQUIPO A UTILIZAR.  Transistores bipolares con hojas de datos.  Resistencias.  Tablilla de pruebas (Protoboard).  Alambre para interconexiones y puntas de prueba.  Fuente de Voltaje Regulada.  Multímetro Analógico o Digital.

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1

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA ANALÓGICA II

PRÁCTICA # 1

TÉCNICAS DE POLARIZACIÓN DE BJT’s (CIRCUITOS DE MÁXIMA VARIACIÓN SIMÉTRICA).

OBJETIVO:

El alumno reforzará los conocimientos adquiridos acerca de la recta de carga y del punto deoperación y comprobará el comportamiento práctico de circuitos diseñados para operar enMáxima Excursión Simétrica. 

I DESARROLLO TEÓRICO.

I.1 MARCO TEÓRICO.

I.2 DISEÑO.

Se calcula el valor de las resistencias de polarización de los diferentes circuitos.

I.3 PREREPORTE.

Simular en EWB o PSPICE los circuitos amplificadores diseñados para operar en máximaexcursión simétrica, determinar los diferentes puntos de operación y tabular los resultados.

II DESARROLLO PRÁCTICO. 

II.1 MATERIAL Y EQUIPO A UTILIZAR.

  Transistores bipolares con hojas de datos.

  Resistencias.  Tablilla de pruebas (Protoboard).  Alambre para interconexiones y puntas de prueba.

  Fuente de Voltaje Regulada.  Multímetro Analógico o Digital.

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II.2 PROCEDIMIENTO Y RESULTADOS.

A) CIRCUITO DE POLARIZACIÓN FIJA.

A.1.- Diseñe y arme el circuito de la Figura 1.1 para M. E. S. con un Transistor __________,VCE de 5 V y una ICQ de 5 mA. Consulte en las hojas de datos las características deltransistor.

Figura 1.1 Amplificador con Polarización Fija. 

A.2.- Con un multímetro de CD realice las mediciones de todas las características deCorriente y Voltaje del amplificador y tabúlelos en la Tabla 1.1 junto con los valoresteóricos calculados y simulados.

QValores VCC RB VC VE VCE IC IE IB Teóricos

SimuladosPrácticos

Tabla 1.1 Comparación de Resultados Teóricos, Simulados y Prácticos. 

A.3.- Sustituya RB con una resistencia de aproximadamente el 80 % del valor calculado y unpotenciómetro del 30 al 40 % y varíe este hasta obtener exactamente el punto deoperación para M. E. S.. Mida el valor total de RB y anote sus observaciones.

T*2N22222N3904BC337

BC548MPS A05etc. 

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B) CIRCUITO DE POLARIZACIÓN CON RETROALIMENTACIÓN.

B.1.- Diseñe y arme el circuito de la Figura 1.2 para M. E. S. con un Transistor __________,VCE de 5 V y una ICQ de 5 mA.

Figura 1.2 Amplificador con Retroalimentación de Colector.

B.2.- Con un multímetro de CD realice las mediciones de todas las características deCorriente y Voltaje del amplificador y tabúlelos en la Tabla 1.2 junto con los valoresteóricos calculados y simulados.

QValores VCC RB VC VE VCE IC IE IB Teóricos

SimuladosPrácticos

Tabla 1.2 Comparación de Resultados Teóricos, Simulados y Prácticos. 

B.3.- Sustituya RB con una resistencia de aproximadamente el 80 % del valor calculado y unpotenciómetro del 30 al 40 % y varíe este hasta obtener exactamente el punto de

operación para M. E. S.. Mida el valor total de RB y anote sus observaciones.

RB RC 

RE 

T* VCC 

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C) CIRCUITO DE POLARIZACIÓN POR DIVISOR DE VOLTAJE.

C.1.- Diseñe y arme el circuito de la Figura 1.3 para M. E. S. con un Transistor __________,VCE de 5 V y una ICQ de 5 mA.

Figura 1.3 Amplificador con Polarización por Divisor de Voltaje.

C.2.- Con un multímetro de CD realice las mediciones de todas las características deCorriente y Voltaje del amplificador y tabúlelos en la Tabla 1.3 junto con los valoresteóricos calculados y simulados.

QValores VCC RB VC VE VCE IC IE IB Teóricos

SimuladosPrácticos

Tabla 1.3 Comparación de Resultados Teóricos, Simulados y Prácticos. 

C.3.- Sustituya R1 con una resistencia de aproximadamente el 80 % del valor calculado y un

potenciómetro del 30 al 40 % y varíe este hasta obtener exactamente el punto deoperación para M. E. S.. Mida el valor total de R1 y anote sus observaciones.

C.4.- Repita los puntos C.2 a C.4 para un transistor PNP.

Vcc

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III CUESTIONARIO.

1.- ¿En donde se encuentra localizado el punto de operación para M. E. S.?  

2.- ¿Qué ocurre al variar la Resistencia de Base en los amplificadores anteriores?

3.- ¿Cuál de estos amplificadores es el más adecuado para trabajar en Máxima Excursiónsimétrica?

4.- ¿Qué ocurre al variar la temperatura? 

5.- ¿Las características reales cumplieron lo indicado en las hojas de datos? 

6.- ¿Qué diferencias y qué similitudes encontró con el transistor complementario (PNP)? 

IV CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES.

V BIBLIOGRAFÍA Y SOFTWARE.