Memoria RAM

Tipo: DDR3

historiaEn febrero de 2009, Samsung Electronics anunció un chip prototipo de 512 MiB a 1.066 MHz (la misma velocidad de bus frontal del Pentium 4 Extreme Edición más rápido) con una reducción de consumo de energía de un 40% comparado con los actuales módulos comerciales DDR2, debido a la tecnología de 80 nanómetros.

CaracterísticasEl principal beneficio de instalar DDR3 es la

habilidad de poder hacer transferencias de datos más rápido, y con esto nos permite obtener velocidades de transferencia y velocidades de bus más altas que las versiones DDR2 anteriores. Sin embargo, no hay una reducción en la latencia, la cual es proporcionalmente más alta. Además la DDR3 permite usar integrados de 512 MB a 8 GB, siendo posible fabricar módulos de hasta 16 GB.

Todos las memorias DDR-3 cuentan con 240 terminales.

Cuentan con una muesca en un lugar estratégico del conector, para que al insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta o para evitar que se inserten en ranuras inadecuadas.

Tiene un voltaje de alimentación de 1.5 Voltios.Estos módulos pueden transferir datos a una tasa

de reloj efectiva de 800-2600 MHz, comparado con el rango actual del DDR2 de 400-1200 MHz ó 200-533 MHz del DDR. Existen módulos de memoria DDR y DDR2 de mayor frecuencia pero no estandarizados por JEDEC.

Si bien las latencias típicas DDR2 fueron 5-5-5-15 para el estándar JEDEC, para dispositivos DDR3 son 7-7-7-20 para DDR3-1066 y 9-9-9-24 para DDR3-1333.