Lab Oratorio 5 Curvas Caracteristicas Transistor Bipolar[1]
-
Upload
openidhneyhuxx -
Category
Documents
-
view
4.914 -
download
2
Transcript of Lab Oratorio 5 Curvas Caracteristicas Transistor Bipolar[1]
SERVICIO NACIONAL DE APRENDIZAJE –SENASERVICIO NACIONAL DE APRENDIZAJE –SENA REGIONAL DISTRITO CAPITALREGIONAL DISTRITO CAPITAL
CENTRO DE ELECTRICIDAD, ELECTRONICA Y TELECOMUNICACIONESCENTRO DE ELECTRICIDAD, ELECTRONICA Y TELECOMUNICACIONESMANTENIMIENTO ELECTRONICO E INSTRUMENTAL INDUSTRIALMANTENIMIENTO ELECTRONICO E INSTRUMENTAL INDUSTRIAL
PAGPAG1 DE DE 4
PRACTICA DE LABORATORIO # 5
Curvas Características Transistor Bipolar
OBJETIVOS
Graficar la curva característica de entrada de un transistor bipolar, a partir de valores medidos.
Graficar la familia de curvas características de salida de un transistor bipolar, a partir de valores medidos.
MATERIALES Y EQUIPOS
Protoboard, cables, resistencias, transistor NPN (2N2222A), fuentes de alimentación, multimetro.
PROCEDIMIENTO
1. Para el transistor NPN (2N2222A), identifique sus terminales (emisor, base, colector) y con la utilización del multimetro realice la prueba del estado de este.
2. Busque el datasheet del transistor NPN (2N2222A) y en la siguiente tabla anote el
valor correspondiente a cada parámetro proporcionado en la hoja de especificaciones del fabricante.
Máxima Corriente de Colector (ICMAX): Si se supera esta corriente los diodos internos sufren daños.
0.8 A
Factor de Amplificación o Ganancia (HFE ó Beta): Este factor indica la cantidad de veces que se amplifica la corriente de base.
190 h FE
Máximo Voltaje Colector Emisor (VCEMAX): Similar al voltaje de ruptura en los diodos, pasado de este límite sufre daños internamente el transistor.
40v
Máximo Voltaje Base Emisor (VBEMAX): Es el máximo voltaje que se puede aplicar a la unión base emisor.
6v
Máxima Potencia de Disipación (PD): En general depende del tipo de empaque utilizado.
.500W
3. Monte el circuito de la Figura 1.
Figura 1
SHIRLEY RODRIGUEZSHIRLEY RODRIGUEZINSTRUCTORA C.E.E.TINSTRUCTORA C.E.E.T
SENASENABogotá, D.C.Bogotá, D.C.
20092009
SERVICIO NACIONAL DE APRENDIZAJE –SENASERVICIO NACIONAL DE APRENDIZAJE –SENA REGIONAL DISTRITO CAPITALREGIONAL DISTRITO CAPITAL
CENTRO DE ELECTRICIDAD, ELECTRONICA Y TELECOMUNICACIONESCENTRO DE ELECTRICIDAD, ELECTRONICA Y TELECOMUNICACIONESMANTENIMIENTO ELECTRONICO E INSTRUMENTAL INDUSTRIALMANTENIMIENTO ELECTRONICO E INSTRUMENTAL INDUSTRIAL
PAGPAG2 DE DE 4
PRACTICA DE LABORATORIO # 5
Curvas Características Transistor Bipolar
4. Ajuste el potenciómetro (RV1) para obtener los valores de corriente de base (IB =microamperios) que se indican en la siguiente tabla y complétela.
IB (uA) Nominal 5 ─ 10 16 ─ 25 30 ─ 50 120 ─ 200
IB (uA) Real 8uA 23.3uA 40uA 130.4u A
VBE (Voltios) 0.6v 0.62v 0.64v 0.67v
5. Graficar los valores obtenidos en la tabla del punto anterior, en los ejes de
IB Vs VBE (Curva característica de entrada del transistor NPN).
6. Monte el circuito de la Figura 2.
Figura 2
7. Para el circuito de la Figura 2, ajuste el voltaje de la fuente “VCC” para que el
Voltaje Colector─Emisor (VCE) tome cada uno de los valores indicados para cada valor de corriente de base (IB), si es necesario ajuste el voltaje de la fuente “VBB” para mantener IB constante, anotando el valor correspondiente de IC (Corriente colector), llenando la siguiente tabla.
SHIRLEY RODRIGUEZSHIRLEY RODRIGUEZINSTRUCTORA C.E.E.TINSTRUCTORA C.E.E.T
SENASENABogotá, D.C.Bogotá, D.C.
20092009
SERVICIO NACIONAL DE APRENDIZAJE –SENASERVICIO NACIONAL DE APRENDIZAJE –SENA REGIONAL DISTRITO CAPITALREGIONAL DISTRITO CAPITAL
CENTRO DE ELECTRICIDAD, ELECTRONICA Y TELECOMUNICACIONESCENTRO DE ELECTRICIDAD, ELECTRONICA Y TELECOMUNICACIONESMANTENIMIENTO ELECTRONICO E INSTRUMENTAL INDUSTRIALMANTENIMIENTO ELECTRONICO E INSTRUMENTAL INDUSTRIAL
PAGPAG3 DE DE 4
PRACTICA DE LABORATORIO # 5
Curvas Características Transistor Bipolar
VCE
(Voltios)IB0 = 0uAIc0 (mA)
IB1 = 10uAIc1 (mA)
IB2 = 20uAIc2 (mA)
IB3 = 30uAIc3 (mA)
IB4 = 40uAIc4 (mA)
IB5 = 50uAIc5 (mA)
0V 0 1.18 2.96 2.37 4.74 2.38
1V 0 2.25 4.50 5.95 8.48 10.4
2V 0 2.27 4.53 6.05 8.57 10.5
3V 0 2.29 4.57 6.10 8.64 10.5
4V 0 2.31 4.66 6.14 8.73 10.6
5V 0 2.34 4.68 6.18 8.81 10.7
6V 0 2.36 4.72 6.25 8.98 10.8
7V 0 2.39 4.76 6.30 9.00 10.9
8V 0 2.41 4.80 6.39 9.06 11
9V 0 2.43 4.84 6.45 9.14 11.1
10V 0 2.45 4.89 6.50 9.25 11.3
11V 0 2.47 4.92 6.57 9.32 11.3
12V 0 2.49 4.97 6.61 9.40 11.4
8. Graficar los valores obtenidos de las curvas IB en los ejes de IC Vs VCE (Curva característica de salida del transistor NPN).
SHIRLEY RODRIGUEZSHIRLEY RODRIGUEZINSTRUCTORA C.E.E.TINSTRUCTORA C.E.E.T
SENASENABogotá, D.C.Bogotá, D.C.
20092009
SERVICIO NACIONAL DE APRENDIZAJE –SENASERVICIO NACIONAL DE APRENDIZAJE –SENA REGIONAL DISTRITO CAPITALREGIONAL DISTRITO CAPITAL
CENTRO DE ELECTRICIDAD, ELECTRONICA Y TELECOMUNICACIONESCENTRO DE ELECTRICIDAD, ELECTRONICA Y TELECOMUNICACIONESMANTENIMIENTO ELECTRONICO E INSTRUMENTAL INDUSTRIALMANTENIMIENTO ELECTRONICO E INSTRUMENTAL INDUSTRIAL
PAGPAG4 DE DE 4
PRACTICA DE LABORATORIO # 5
Curvas Características Transistor Bipolar
SHIRLEY RODRIGUEZSHIRLEY RODRIGUEZINSTRUCTORA C.E.E.TINSTRUCTORA C.E.E.T
SENASENABogotá, D.C.Bogotá, D.C.
20092009