G03 Caracteristicas Del Transistor

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ESCUELA DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNOCA ASIGNATURA: ELECTRNICA ANALGICA

Practica # 3: Caractersticas del Transistor BJT. 1. Objetivos especficos: Dibujar el smbolo elctrico de un Transistor BJT tipo NPN y PNP. Determinar el estado de un Transistor BJT por medio de prueba estatca. Identificar los terminales de un transistor BJT (Transistor de unin bipolar) tipo NPN o PNP, por medio del manual de reemplazo y de la prueba esttica. Identificar las tres regiones de trabajo de un transistor. Alambrar circuitos con transistores BJT.

2. Equipo y material: 1 Fuente de voltaje DC. 1 Manual NTE o ECG 1 Multitester. 1 Miliamperimetro DC. 1 Microamperimetro DC. 3 Transistores BJT ( NTE 123AP, NTE 152 o D313 y NTE 129). 1 Potenciometro de 100K. Resistores de 820, 100K, 3.3K.

3. Introduccin terica: El trmino transistor es la contraccin de Transfer (resistor), es decir, de resistencia de transferencia. El Transistor BJT es un dispositivo electrnico semiconductor que se utiliza como amplificador o Interruptor electrnico. Es un componente clave en toda la electrnica moderna, el cual es ampliamente utilizado formando parte de conmutadores electrnicos, puertas lgicas, memorias de ordenadores y otros dispositivos. En el caso de circuitos analgicos los transistores son utilizados como amplificadores, osciladores y generadores de ondas. En definicin un transistor es un componente electrnico formado a partir de un material semiconductor intrnseco (Silicio), al cual se le forman tres regiones dopadas (contaminadas con impurezas) en forma diferente, como se muestra en la figura 1. De cada una de estas regiones, sale un terminal que recibe nombres diferentes. Por ser un semiconductor, su uso es extremadamente importante en muchos circuitos.

Fig. 1

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En la figura 2 se muestran los dos tipos de transistores BJT.

Transistor NPN

Estructura de un transistor NPN

Transistor PNP

Estructura de un transistor PNP

Fig. 2 La apariencia fsica de un BJT puede ser muy variada, en la figura 3, se muestran algunos ejemplos de ellos.

Fig. 3 4. Procedimiento: Parte 1: Prueba Esttica de Transistores Bipolares. 4.1 Pruebe (en forma esttica) el estado de los transistores y ordene sus datos utilizando la siguiente tabla.UNION BASE EMISOR TRANSISTOR CODIGO TIPO POLARIZACION DIRECTA INVERSA UNION BASE COLECTOR POLARIZACION DIRECTA INVERSA TERMINALES COLECTOR - EMISOR POLARIZACION DIRECTA INVERSA ESTADO

Tabla 1

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4.2 Dibuje la forma fsica e identifique los terminales. (utilice el manual ECG)

Parte 2: Cambios de la Resistencia entre Colector y Emisor. 4.3 Arme el circuito de la fig.1 utilizando el transistor D313 o un equivalente y solicite revisin.

Fig. 1 4.4 Desplace el terminal central del potencimetro hacia el punto 1 y luego hacia el punto 2; observando el cambio en el valor de la resistencia que hay entre los terminales Colector Emisor del BJT, anote los valores extremos. RCE = _______________ (con el terminal central en el punto 1) RCE = _______________ (con el terminal central en el punto 2)

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4.5 Cuando el terminal central del potencimetro se desplaza cmo cambia el valor de la corriente de base Ib? Con el terminal central en el punto 1 Con el terminal central en el punto 2 Ib = _______________ Ib = _______________

4.6 Explique como cambia la resistencia entre los terminales Colector y Emisor en funcin del valor de la corriente de la base. ______________________________________________________________________ ______________________________________________________________________________________ 4.7 Arme el circuito de la fig. 2 utilizando el transistor 2N2222 o un equivalente y solicite revisin.

Fig. 2 4.8 Con el interruptor S abierto, mida el voltaje que hay entre colector - emisor y a travs de la resistencia de colector Rc. VCE = __________________ VRC = ______________________________

4.9 Cual es el valor de la corriente de colector? IC = _____________ 4.10 Subraye la regin en la cual el BJT estara operando. a) Regin activa b) Regin de saturacin c) Regin de corte

4.11 Dibuje sobre el esquema de la fig. 2, el recorrido de las corrientes que circularn en el circuito al cerrar el interruptor S. 4.12 Ajuste el valor de la resistencia variable a 100K. 4.13 Cierre el interruptor S y mida los voltajes VCE y VRC. VCE = ___________________ 4.14 Mida la corriente Ic. Ic = _______________ VRC = __________________

4.15 Mida el valor de la corriente IB. IB= ___________ 4.16 Calcule el valor de la corriente de colector IC mxima. 4.17 Calcule la corriente de la base IB= ___________ Ic(max)= ______________

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4.18 Explique la el porqu de la diferencia (si es que existe) entre los dos valores de Ib e Ic calculados y medidos. ______________________________________________________________________________ 4.19 Subraye la regin en la cual el BJT estara operando. a) Regin activa b) Regin de saturacin c) Regin de corte

4.20 Conecte el voltmetro entre los terminales colector emisor y ajuste la resistencia variable hasta que el valor del voltaje VCE = 0.4 V 4.21 Subraye la regin en la cual el BJT estara operando. a) Regin activa b) Regin de saturacin c) Regin de corte

4.22 Midiendo el voltaje en las resistencias respectivas, calcule las corrientes IC e Ib en estas condiciones. IC = _________________ IB = ______________

4.23 Ajuste la resistencia variable a 0 y calcule nuevamente: IC = _________________ IB = ______________

4.24 Compare la corriente de colector calculada en el paso anterior con la Ic mxima calculada en el paso 4.16 y explique sus resultados. _____________________________________________________________ ______________________________________________________________________________________

4.25 Por qu el valor de IC, cuando VCE 0V, ya no aumenta aunque se aumente la corriente de la base Ib? 4.26 Subraye la regin en la cual el BJT estara operando. a) Regin activa b) Regin de saturacin c) Regin de corte

5. Conclusiones: 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 10. Cul es el nombre de los tipos de transistores BJT? Qu polaridad posee en el terminal de base un transistor NPN? Cmo se determina cual es el terminal de base en un transistor por medio de prueba esttica? La mayor cada de tensin en un transistor BJT al realizar la prueba esttica, se mide entre B-E o entre B-C? Cul es el valor de la resistencia colector emisor de un transistor en corte? Cul es el valor de la resistencia colector emisor de un transistor en saturacin? En que regiones de trabajo opera un transistor que se comporta como interruptor? Cules son las caractersticas de un transistor que esta en la zona de corte? Cules son las caractersticas de un transistor que esta en la zona de saturacin? Cules son las caractersticas de un transistor que esta en la zona de activa?

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