Post on 04-Jan-2016
description
Electrónica de Potencia
MOSFET e IGBT
Nombre: Bryan Navas
A
• Controlado por voltaje.• Pequeña corriente de entrada.
B• Velocidad de conmutación muy alta →tiempos de
conmutación → nanosegundos.
C
• Cuidados especiales.• Convertidores de alta frecuencia y baja potencia.
MOSFET
Semiconductor de óxido metálico MOSFET
Dispositivos Importantes utilizados en el diseño
y construcción de circuitos integrados
para computadoras digitales.
Empobrecimiento
Canal N Canal P
Enriquecimiento
Canal N Canal P
MOSFET
MOSFET TIPO EMPOBRECIMIENTO
Canal n →substrato de
silicio tipo p
Dos silicios →fuertemente
dopados(baja R)
Compuerta drenaje y fuente. 𝑉 𝐺𝑆→±
(-)→ >>→
(+)→ <<→ >>
Canal p →invierte , y
Características básicas
MOSFET TIPO ENRIQUECIMIENTO
Canal n →sin canal físico
Compuerta drenaje y fuente.
(+)→ voltaje inducido atrae electrones (p)
𝑉 𝐺𝑆≥𝑉 𝑇→𝑐𝑎𝑛𝑎𝑙𝑣𝑖𝑟𝑡𝑢𝑎𝑙𝑛→ 𝐼𝐷𝑆Canal p →invierte , y
Características básicas
Z de entrada alta
(nA) ()
Características en régimen permanente
Corte →
Saturación →
Lineal →
Regiones de operación
Características de conmutaciónSin señal de compuerta →MOSFET enriquecimiento→ Dos diodos conectados espalda con espalda (NPN)
Capacitancias parásitas con la fuente.Un MOSFET → como si tuviera un diodo interno
A
• Combina ventajas de los BJT y de los MOSFET.• Alta impedancia de entrada.
B
• Bajas pérdidas de conducción.• Sin problemas de ruptura secundaria.
C
• se controla → comportamiento como BJT.• Rendimiento más cercano a un BJT.
IGBT
Cuatro capas alternas PNPN.
Tiristor
→ reduce la ganancia de la terminal NPN
Controlado por voltaje.
Más rápido que un BJT.
Velocidad inferior de los MOSFET.
Compuerta, colector y emisor.
400 A, 1200 V, 20KHZ.
Propulsores para motores, fuentes de alimentación, contactores.