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Electrónica Transistores BJT, FET y MOSFET
Profesor: Javier Urquizo Guevara
I Termino 2014-2015
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Electrónica
Contenido
1. Características y funcionamiento del transistor BJT2. Polarización de circuitos básicos de amplificación
con transistores BJT
3. Amplificación con transistores BJT4. Conmutación con transistores BJT
5. Características, funcionamiento y aplicación detransistores de Efecto de Campo (FET)
6. Características, funcionamiento y aplicación deTransistores de Efecto de campo de semiconductorde oxido metálico (MOSFET)
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Electrónica
Transistor
El transistor es un dispositivo electrónico quecumple funciones de amplificador, oscilador,conmutador o rectificador.
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Electrónica
Cronología
• 1904: Diodo de Tubo de Vacío
• 1906: Tríodo, con rejilla de control.
• 1930: Tetrodo, Pentodo tuvieron un rol destacado
por la industria de radio y TV• 1947: Invención del primertransistor. Era mas pequeño, robustoy eficiente. Laboratorios Bell.
• 1951: Fabricación en serie
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Electrónica
Tipos de Transistores
T r
a n s i s t o r
BJTNPN
PNP
FET
JFET
MOSFET
IGBNTRIAC
TIRISTOR
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Electrónica
Transistor BJT
El transistor es un dispositivo semiconductor de trescapas que consta de dos capas de material tipo “n” yuna de material tipo “p” o de dos capas de material
tipo “p” y una de material tipo “n”.
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Electrónica
Características del BJT
Los terminales de este dispositivo se identifican pormedio de las letras mayúsculas:
E para emisor, C para colector y B para base
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Electrónica
Características del BJT
• El emisor tiene gran cantidad de impurezas. Su función esemitir o suministrar los portadores de carga.
• La base tiene muy pocas impurezas y es muy delgada.
• La cantidad de impurezas en el colector es menor que en elemisor, pero mayor que en la base. El área del colector es lamayor de las 3, porque es el colector el que disipa mayorcantidad de calor en el emisor o la base.
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Electrónica
Características del BJT
Por analogía de diodos, el transistor puede serconstruido como dos diodos que se conectan juntos.
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Electrónica
Operación del BJT
Polarización Directa-Inversa:
Para que el transistor funcione se debe tener unaunión p-n polarizada inversamente y la otra
polarizada directamente
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Electrónica
Operación del BJT
Aplicando LKC: = +
El material “emparedado” es muy delgado y su conductividad es baja, por lotanto el es muy pequeño. (típicamente en orden de los microamperios)
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Electrónica
Operación del BJT
La corriente es la unión de dos componentes losportadores mayoritarios y minoritarios
= +
La corriente de portadores minoritarios () sedenomina corriente de fuga y se le da el símbolo ,que simboliza a la corriente
con el terminal del
emisor abierto (open). En general se mide en miliamperes e se mide en nano amperes.
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Electrónica
Punto Q
Para los amplificadores o transistores, el voltaje y lacorriente DC resultantes establecen un pto deoperación sobre las características que definen una
región que se utilizara para la amplificación de la señalaplicada, este pto de operación es pto fijo (PUNTO Q)
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Electrónica
Operación en las Regiones
• Región Activa: definida por el circuitoempleado.
• Región de corte: región donde la corriente delcolector es 0A.
• Región de saturación: región de característicasa la izquierda de VCB= 0V.
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Electrónica
Configuración Base Común
Esta configuración se refiere a:
• La base es común para el circuito de entrada comopara el de salida
• La base es generalmente el terminal mas cercano alpotencial de tierra
• Entrada emisor, salida colector
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Electrónica
Configuración Base Común
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Electrónica
Configuración Base Común
Para describir el comportamiento de los amplificadoresde base común se requiere dos graficas características:
• Entrada o características del emisor
• Salida o características del colector
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Electrónica
Configuración Base Común
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Electrónica
Configuración Base Común
Las curvas (características de salida) claramente indicanque una primera aproximación a la relación entre IE eIC en la región activa esta dada por
• IC≈IE • Una vez que un transistor esta en el estado ‘on’ , el
voltaje base-emisor se asume ser: VBE= 0.7V
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Electrónica
Configuración Base Común
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Electrónica
Configuración Base Común
Las características de salida tiene 3 regiones básicas:
• Región Activa -definida por el circuito empleado. Enla región activa la unión base-emisor se polariza en
directa en tanto que la unión colector-base está eninversa. Región para amplificación de voltaje.
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Electrónica
Configuración Emisor Común
• Región de corte –región donde la corriente delcolector es 0A. En la región de corte las unionesbase-emisor y colector-base de un transistor se
polarizan en directa.
• Región de Saturación-región de características a laizquierda de VCB= 0V. En la región de saturación lasuniones base-emisor y colector-base se polarizan eninversa. No fluye corriente en el colector.
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Electrónica
Configuración Base Común
En el modo DC los niveles de IC e IE debido a losportadores de mayoría están relacionados por unacantidad llamada alfa
=
= +
Debido a que es un valor muy pequeño; =
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Electrónica
Configuración Base Común
Para situaciones AC donde el punto de operación semueve sobre la curva característica, y un AC alfa estadefinida por
= ∆∆
Alfa es un factor de ganancia de corriente en base
común que muestra la eficiencia por calcular elporcentaje de corriente de emisor a colector. El valor de es típicamente entre 0.9 ~ 0.998.
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Electrónica
Configuración Base Común
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Electrónica
Polarización
La polarización apropiada de la configuración de basecomún en la región activa se determina de inmediatocon la aproximación ≅ y suponiendo que
≅ 0
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Electrónica
Configuración Emisor Común
Esta configuración se refiere a:
• El emisor es común o referencia para los terminalesde entrada y de salida.
• El emisor es el terminal mas cercano al potencial detierra
• Entrada base, salida colector
• Casi toda la amplificación usa la conexión de CE dadoque tiene la mas alta ganancia de corriente y voltaje.
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Electrónica
Configuración Emisor Común
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Electrónica
Configuración Emisor Común
De la misma manera que en la configuración basecomún, para describir el comportamiento de losamplificadores de emisor común se requiere dos
graficas características:• Entrada (terminal de la base)
• Salida (terminal del colector)
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Electrónica
Configuración Emisor Común
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Electrónica
Configuración Emisor Común
Características de entrada
• IB esta en microamperios comparado a ICmiliamperios .
• IB fluye cuando VBE > 0.7V para silicio y 0.3V paragermanio.
• La unión Base-emisor esta polarizada directamente.
• Incrementando VCE reducirá IB para valoresdiferentes.
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Electrónica
Configuración Emisor Común
Características de Salida• Para valores pequeños VCE (VCE < VCESAT), IC incrementa
linealmente cuando VCE incrementa.
• VCE > VCESAT IC no depende totalmente de VCE
ICconstante
• IB(uA) es muy pequeño comparado a IC(mA). Pequeñoincremento en IB causa un gran incremento in IC
• IB=0 A
ICEO aparece.• Note el valor cuando IC=0A. Hay todavía algún valor
de flujo de corriente.
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Electrónica
Configuración Emisor Común
Las características de salida tiene 3 regiones básicas:
• Región Activa -definida por el circuito empleado. Enla región activa la unión base-emisor se polariza en
directa en tanto que la unión colector-base está eninversa. Región para amplificación de voltaje,corriente y potencia.
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Electrónica
Configuración Emisor Común
• Región de corte –región donde la corriente delcolector es 0A. En la región de corte las unionesbase-emisor y colector-base de un transistor se
polarizan en directa.
• Región de Saturación-región de características a laizquierda de VCB= 0V. En la región de saturación las
uniones base-emisor y colector-base se polarizan eninversa. Uso del transistor como switch lógico.
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Electrónica
Configuración Emisor Común
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Electrónica
Configuración Emisor Común
La relación de corriente de colector dc (IC) a la corrientede base dc (IB) es beta dc (βDC) la cual es una gananciade corriente dc donde IC e IB son determinados en un
punto de operación particular, punto Q (puntoinactivo). Se conoce a esta relación como la ganancia
de corriente emisor común.
=
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Electrónica
Configuración Emisor Común
Para condiciones AC una beta AC se define comolos cambios de la corriente de colector(IC)comparado a los cambios de la corriente de base
(IB) donde IC e IB están determinados en un puntode operación. En la hoja de datos, βac=hfe.
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Electrónica
Configuración Emisor Común
= 1 −
↔ = + 1
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Electrónica
Configuración Colector Común
Conocido también como seguidor de emisor. La entradacaracterística de la configuración colector común es similar ala de emisor común.Se llama colector común porque tanto la señal de la fuente yla carga el terminal del colector como un punto de conexióncomún.El voltaje de salida se obtiene en el terminal del emisor.La configuración del circuito colector común es obtenido conla resistencia de carga conectada desde emisor a tierra.
Se usa principalmente para acoplamiento de impedancia dadoque este tiene una alta impedancia de entrada y una bajaimpedancia de salida.
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Electrónica
Configuración Colector Común
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Electrónica
Limites de operación
Muchos transistores BJT son usados como amplificador. Por esto esimportante notar los límites de operación.
Al menos 3 valores máximos valores son mencionados en la hoja de datos.
a) Máximo poder de disipación en el colector: Pcmax o PD
b) Máximo voltaje colector-emisor: VCEmax algunas veces llamado comoVBR(CEO) o VCEO.
c) Máxima corriente del colector: ICmax
Hay pocas reglas para los transistores BJT usados como un amplificador. Lasreglas son:
i) El transistor necesita ser operado en la región activaii) IC< ICmax
ii) PC< PCmax
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Electrónica
Ejercicio
Para el siguiente circuito,encuentre:
1. Las corrientes deltransistor IE, IC e IB
2. Los voltajes del transistorVBC y VEC
Datos del transistor: VBE=0.7V,α=0.97
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Electrónica
Zonas de funcionamiento del transistor
Ej i i
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Electrónica
Ejercicio
18 V
2k
3.5 k18k
8k60k
90k
Q 2Q 1
-12 V
Hallar los puntos deoperación Q para cadatransistor (β= 100)
Q1 =
1b I
1c
I
1e
I
1ce
V
Hallar los puntos de operación Q para cada transistor (β 100)
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18 V
2k
3.5 k18k
8k60k
90k
Q 2
Q 1
-12 V
18 V 18 V
-12 V -12 V
3.5 k18k90k
8k 2k60k
AplicamosThevenin
V V Th
6)6090
90(12)
6090
90(18
k k k RTh 3690||60
ThQ 2
Q 1
Hallar los puntos de operación Q para cada transistor (β= 100)
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A
k k
I b
33.918)101(36
127.06
1
mA A I
I I
c
bc
933.033.9)100(1
11
mA A I
I I
e
be
9424.033.9)101(
)1(
1
11
0)(87.0)1(2212
bcb I I k I k
Ak k
Ak I b
209.328)101(
7.0)933.0(82
mA A I
I I
c
bc
221.3209.32)100(2
22
2k8k
18k 3.5 k
18 V 18 V
-12 V -12 V
36k6 V
1b I 1
c I
1e
I 2c I
2e
I
2b
I
Th V Th
R
ceV
ecV
II )1(
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mA A I
I I
e
be
253.3209.32)101(
)1(
2
22
)253.3(18)209.32933.0(8181mAk AmAk V
ce
V V ce
89.51 >0 Q1 “Zona Activa”
12)220.3(5.3)253.3(2182
mAk mAk V ce
V V ce 226.122 >0 Q2 “Zona Activa”
Q1 =
A I b
33.91
mA I c
933.01
mA I e
924.01
V V ce
89.51
Q2 =
A I b
209.322
mA I c
221.32
mA I e
253.32
V V ce
226.122
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Electrónica
Transistores de Efecto de Campo
También llamado FET (Field Effect Transistor), es undispositivo de 3 terminales que se utiliza paraaplicaciones que se asemejan a la del BJT.
Los FET son más estables a la temperatura y en generalmas son mas pequeños que los BJT, lo que los haceparticularmente útiles en chips de circuitos integrados.
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Electrónica
Transistores de Efecto de Campo
La principal diferencia es que el BJT es un dispositivocontrolado por corriente mientras que el FET es undispositivo controlado por voltaje.
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Electrónica
Clasificación del FET
F E T
JFET
Canal N
Canal P
MOSFET
Agotamiento
Canal N
Canal P
EnriquecimientoCanal N
Canal P
T i t d Ef t d U ió d
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Electrónica
Transistor de Efecto de Unión deCampo
Se denomina transistor JFET (Junction Field EffectTransistor) es un dispositivo electrónico que según unosvalores de entrada, reacciona dando unos valores de
salida. Utiliza una unión p-n similar al transistor BJT.
GS
D
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Electrónica
Características del JFET
La parte superior del canal tipon está conectada mediante uncontacto óhmico a un materialconocido como drenaje (D), en
tanto que el extremo inferiordel mismo material estáconectado mediante uncontacto óhmico a una terminalconocida como fuente (S). Losdos materiales tipo p estánconectados entre sí y a laterminal de compuerta (G).
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Electrónica
Características del JFET
La fuente de la presión de agua puede ser vinculada al voltajeaplicado del drenaje a la fuente, el cual establece un flujo deagua (electrones) desde el grifo (fuente). La “compuerta” graciasa una señal aplicada (potencial), controla el flujo de agua (carga)
dirigido hacia el “drenaje”.
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Electrónica
Características del JFET
a) Canal N
NP
P
FuenteS(Surtidor)
DDrenador
GCompuerta
Simbología
Q3
Id
D + - S
+
Vgs-
G
Vds
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Electrónica
Características del JFET
P
N
N
FuenteS(Surtidor)
DDrenador
GCompuerta
b) Canal P Simbología
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Electrónica
Construcción del JFET
Para un valor Vgs=0; Vds > 0La región de empobrecimiento esaquella que no presenta portadoreslibres y por tanto es incapaz de soportarla conducción a través de la región.
En el momento de aplicar Vdd, loselectrones serán atraídos al terminal dedrenaje, estableciéndose la Idconvencional en la dirección marcada.
El flujo de carga se encuentrarelativamente sin ninguna restricción ysolo lo limita la resistencia del canal nentre el drenaje y la fuente
Mientras mayor es la polarizacióninversa aplicada, mas ancha es la regiónde agotamiento.
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Electrónica
Construcción del JFET
Cuando el Vds aumenta desdecero hasta unos cuantos voltios lacorriente Id aumenta. Mientrasmas horizontal es la curva, mayores la resistencia y si Vds aumenta
hasta donde parece que las dosregiones de agotamiento se tocanresulta la condición deEstrechamiento.
Esta condición se lo conoce comoVoltaje de Estrechamiento o Vp(PINCH OFF).
Idss= Corriente de Drenaje a lafuente con una conexión decortocircuito
Aumento de la resistenciadebido al estrechamiento del canal
Idss
0 Vp Vds
Nivel desaturación
Vgs=0V
Resistencia canal N
Id
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Electrónica
Construcción del JFET
Mientras Vds se incrementa mas allá de Vp, la región delencuentro cercano entre las dos regiones de agotamiento seincrementa pero el nivel de Id permanece constante.
Por lo tanto una vez que Vds > Vp, el J’FET tiene lascaracterísticas de una fuente de corriente.
Idss es la corriente máxima de drenaje para un J’FET y estadefinida mediante las condiciones de Vgs= 0 V y Vds > I Vp I
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Electrónica
Construcción del JFET
Para Vgs<0VEn forma análoga como en los BJTtenemos curvas de Ic en función deVce para diferentes valores de Ib,
se pueden desarrollar curvas de IdEn función de Vds para variosniveles de Vgs para JFET
Vgs → voltaje que controla el JFET
Por ejemplo colocamos una fuentede -1V entre G y S (compuerta yfuente)
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Electrónica
Construcción del JFETEl resultado de aplicar una polarización negativa en la compuerta es alcanzarun nivel de saturación aun nivel menor de Vds.
Es decir el nivel de saturación para Iddisminuye y seguirá disminuyendo mientrasVgs se hace más negativo (observe Figura deCaracterísticas).
Además se observa como el Vp continuacayendo en una trayectoria parabólicaconforme Vgs es mas negativo.
Cuando Vgs= - Vp, Vgs será lo
suficientemente negativo como paraestablecer un nivel de saturación que seráen esencia cero miliamperios, por otro ladopara todos los propósitos el dispositivo hasido “apagado”.
Idss
0 Vp Vds
Nivel desaturación
Vgs=0V
Id
RegiónOhmica
Región de saturación
Vgs=-1V
Vgs=-2V
Vgs=-3V Vgs=-4V
5 10 15
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+Vdd >=|Vp|
-
Id =Idss
D
S
G
+-
VgsVgs=0V
Resumen para dispositivos de canal N
La corriente máxima se encuentraDefinida como Idss y ocurre cuando
Vgs=0V y Vds>=|Vp|
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Vgs>=|Vp|
+Vdd
-Id =0A
D
S
G
+-
Vgs
Vgs=-Vgg Para los voltajes de compuerta la fuenteVgs menores que el nivel de estrechamiento
la corriente de drenaje es igual a 0A
Vgg
+Vdd-
Id
D
S
G +
-Vgs
Vgs=-Vgg
Vgg
|Vp|>=|Vgg|>0V
Para todos los niveles de Vgs entre OVY el nivel de estrechamiento, la corriente IdSe encontrará entre 0A y el valor de Idss
(0mA<Id<idss)
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Electrónica
Para el BJT tenemos: B Bc I I f I )(
Variable de control
Constante
Se observa una relación lineal entre Ic e Ib
Pero para un JFET esta relación No existe , sino que se aplica LA ECUACIÓNDE SHOCKEY:
2
1
VpVgs I I DSS D
Constantes
Variable de control
Características de transferencia
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Electrónica
Para el BJT tenemos: B Bc I I f I )(
Variable de control
Constante
Se observa una relación lineal entre Ic e Ib
Pero para un JFET esta relación No existe , sino que se aplica LA ECUACIÓNDE SHOCKEY:
2
1
VpVgs I I DSS D
Constantes
Variable de control
Características de transferencia
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Electrónica
Características de transferencia
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Electrónica
Características de transferencia
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Electrónica
Operación del JFET
Similar al transistor BJT, el JFET también tienetres regiones de operación:
• Región de corte
• Región lineal
• Región de saturación
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Electrónica
Operación del JFET
Región de corte
La condición de la región de corte es que el canal estécompletamente estrangulado en las proximidades de la
fuente, lo que sucede cuando la tensión puerta-fuentealcance la tensión de estrangulamiento (VGS<VP). Eneste caso ID=0.
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Electrónica
Operación del JFET
Región lineal (activa)
Es la región en que se produce un incremento de laintensidad ID al aumentar VDS. Este incremento es
lineal para bajos valores de VDS aunque la linealidad sepierde cuando VDS se acerca a -VP. Para trabajar en laregión lineal se deben dar dos condiciones:
VGS > VP
VGD > VP ;VGS > VP + VDS
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Electrónica
Operación del JFET
Estas condiciones equivalen a admitir que el canal deconducción no se estrangula por la zona de depleciónen inversa tanto en el extremo de drenaje como en lafuente. El valor que toma la corriente ID es:
=
2
− −
2
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Electrónica
Operación del JFET
Región de saturaciónLa región de saturación tiene lugar cuando la tensiónentre drenaje y puerta alcanza la tensión deestrangulamiento. Para que ello ocurra, el canal N,
tiene que estar estrangulado en el extremo cercano aldrenaje, pero no en el extremo del canal cercano a lafuente. Entonces, al igual que en el caso anterior,deben ocurrir dos condiciones:
VGS > VP
VGD < VP ;VGS < VP + VDS
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Electrónica
Operación del JFET
En este caso la intensidad ID ya no depende de VDS,siendo su expresión:
= 1 −
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Electrónica
Comparación JFET y BJT
Transistor de Efecto de campo
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Electrónica
Transistor de Efecto de campoMetal-óxido semiconductor
Se denomina MOSFET (Metal Oxide SemiconductorField Effect Transistor) es un transistor utilizado paraamplificar o conmutar señales electrónicas. Es eltransistor mas utilizado en la industriamicroelectrónica, ya sea en circuitos analógicos odigitales. Prácticamente la
totalidad de los microprocesadores
comerciales están basados entransistores MOSFET.
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Electrónica
MOSFET
Las prestaciones del transistor MOSFET son similares alas del JFET, aunque su principio de operación y suestructura interna son diferentes. Existen cuatro tiposde transistores MOSFET:
• Incremental de canal N
• Incremental de canal P
• Decremental de canal N
• Decremental de canal P
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Electrónica
Características del MOSFET
La característica constructiva común a todos los tiposde transistor MOS es que el terminal de puerta (G) estáformado por una estructura de tipoMetal/Óxido/Semiconductor.
El óxido es aislante, con lo que la corriente de puerta esprácticamente nula, mucho menor que en los JFET. Por
ello, los MOS se emplean para tratar señales de muybaja potencia.
MOSFET de tipo Decremental de
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Electrónica
MOSFET de tipo Decremental decanal n
La construcción básica de este dispositivo correspondea una placa de material tipo “p” que esta formada apartir de base de Silicio y se la conoce como sustrato.
DrenajeDRegión dopada N
CompuertaG
FuenteS
Sustrato
P
n
n
n
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Electrónica
Características
La compuerta se encuentra conectada a una superficiede contacto metálico pero permanece aislada del canaln por una capa de dióxido de silicio (Si O2 ).
La fuente y el drenaje se conectan a la región dopada npor medio de contactos metálicos y unidas por un canaln.
í
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Electrónica
Características
Debido a la presencia de Si O2 se revela lo siguiente :• No existe conexión eléctrica entre la compuerta y el
canal de un MOSFET.
• Se debe a esta capa aislante que se explica la altaimpedancia, muy deseable por cierto.
La muy alta impedancia de entrada, continua
soportando totalmente el hecho de que la corriente dela entrada (Ig) en esencia de valor cero amperios, paralas configuraciones de polarización en DC.
ó
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Electrónica
Operación
SustratoP
n
nn
Vdd
D
G
S
+
-
SS
Id=Is=Idss
í i
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Electrónica
Curvas Características
Idss
Id(mA)
0 Vp Vds
Vgs=0V
Id
Vgs=-1V
Vgs=-2V
Vgs=-3VVgs=-4V
5 10 15
Vgs =1V
-4
8
Vgs 0Vp/2
-3 -2 -1
ModoDe agotamiento
10.9
MOSFET de tipo Decremental de
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Electrónica
MOSFET de tipo Decremental decanal p
A diferencia del MOSFET anterior, el sustrato es del tipo “n” y elcanal del tipo “p”, así mismo, los terminales parecen marcadospero todas las polaridades y las direcciones de las constantesestán invertidas. La curva de salida Id Vs Vds tiene valores
positivos de Id y negativos de Vds con niveles de Vgs positivos.DrenajeD
Región dopada N
CompuertaG
FuenteS
Sustraton
p
pp SS
Id
+
-Vgs
C C í i
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Electrónica
Curvas Características
-6
6
Vgs
0
Vp/2-3
-2
-1 Vgs 0 Vp Vds
Vgs=0
V
Id
Vgs=1V
Vgs=2V
Vgs=3VVgs=4V
5 10 15
Vgs =-1V
Sí b l MOSFET D l
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Electrónica
Símbolos para MOSFET Decremental
SS
D
S
D
S
D
S
S
D
S
G
G
G
G
Canal -n Canal p
MOSFET de tipo Incremental de
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Electrónica
pcanal n
En la construcción básica de un MOSFET de tipoincremental, se puede observar una diferencia marcadaque es la ausencia de un canal entre las regionesdopadas tipo n.
DrenajeD
CompuertaG
FuenteS
Sustrato
P
n
n
Contactos metálicos
Región dopada -n
O ió
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Electrónica
Operación
D
G
S
n
n
Ig=0 +++
- -
Is=Id
+
-
Vsd
Id
ss
O ió
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Electrónica
Operación
Para valores de Vgs menores que elnivel de Umbral, la corriente drenajees 0.
Para los niveles de Vgs>Vt, lacorriente drenaje esta dada por:
= −
=()
() −
Según el grafico Vgs=8V, la saturaciónocurrió en el nivel Vds=6V y por tanto: = −
0 Vp Vds
Vgs=7
Id
Vgs=6V
Vgs=5V
Vgs=4VVgs=3V
5 10 15
Vgs =8V
C C t í ti
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Electrónica
Curvas Características
0 Vp Vds
Vgs=7
Id
Vgs=6V
Vgs=5V
Vgs=4V
Vgs=3V
5 10 15
Vgs =8V
2
7
Id (mA)
6
5
5 6 7
MOSFET de tipo Incremental de
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Electrónica
pcanal p
DrenajeD
Compuerta
GFuenteS
N
p
p
Contactos metálicos
Región dopada -n
ss
C C t í ti
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Electrónica
Curvas Características
0Vp Vds
Vgs=-7
Id
Vgs=-6V
Vgs=-5V
Vgs=-4V Vgs=-3V
5 10 15
Vgs =-8V
-8Vgs
Id
Sí b l MOSFET I t l
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Símbolos para MOSFET Incremental
Canal -n Canal p
D
S
D
S
D
S
D
S
ssss